SIC
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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -测试 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f） （ID） - 最大
RN1104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1104ACT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 2761 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1104 100兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 47科姆斯 47科姆斯
RN1107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107ACT（TPL3） 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1107 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 10 kohms 47科姆斯
HN1A01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-GR，LF 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 HN1A01 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 PNP （双） 300mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 80MHz
HN2A01FE-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-gr（TE85LF -
RFQ
 ECAD 8778 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 HN2A01 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 4,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 PNP （双） 300mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 800MHz
RN2104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104CT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 9555 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2104 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 120 @ 10mA，5V 47科姆斯 47科姆斯
RN2108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108CT（tpl3） -
RFQ
 ECAD 4145 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2108 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 120 @ 10mA，5V 22 KOHMS 47科姆斯
RN2108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108（TPL3） -
RFQ
 ECAD 4994 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2108 100兆 CST3 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 22 KOHMS 47科姆斯
RN2112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2112ACT（TPL3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2112 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 22 KOHMS
2SC5086-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-O，LF -
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-75，SOT-416 2SC5086 100MW SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80mA NPN 80 @ 20mA，10v 7GHz 1dB @ 500MHz
2SC5085-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-O（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 7025 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC5085 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80mA NPN 80 @ 20mA，10v 7GHz 1dB @ 500MHz
RN1907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907，LF（ct 0.2800
RFQ
 ECAD 9444 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1907 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
RN2107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2107ACT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 7491 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2107 100兆 CST3 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 10 kohms 47科姆斯
2SC5086-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-y，LF -
RFQ
 ECAD 9674 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-75，SOT-416 2SC5086 100MW SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80mA NPN 120 @ 20mA，10v 7GHz 1dB @ 500MHz
RN1111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1111，lf（Ct 0.0355
RFQ
 ECAD 4214 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1111 100兆 SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 10 kohms
2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-R（TE85L，F） 0.4900
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SK208 100兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 8.2pf @ 10V 50 V 300 µA @ 10 V 400 mv @ 100 na 6.5 MA
2SK2145-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-gr （TE85L，f 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 2SK2145 300兆 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 13pf @ 10V 2.6 ma @ 10 V 200 mv @ 100 na
2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-y te85l，f） 0.4200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SK879 100兆 USM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 8.2pf @ 10V 1.2 ma @ 10 V 400 mv @ 100 na
3SK292(TE85R,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK292（TE85R，F） -
RFQ
 ECAD 9325 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 12.5 v 表面安装 SC-61AA 3SK292 500MHz MOSFET smq - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA 10 MA - 26dB 1.4dB 6 V
TK100A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A08N1，S4X 3.7500
RFQ
 ECAD 2898 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK100A08 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 100A（TC） 10V 3.2MOHM @ 50a，10v 4V @ 1mA 130 NC @ 10 V ±20V 9000 PF @ 40 V - 45W（TC）
TK100A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A10N1，S4X 3.9800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK100A10 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 100A（TC） 10V 3.8mohm @ 50a，10v 4V @ 1mA 140 NC @ 10 V ±20V 8800 PF @ 50 V - 45W（TC）
TK11A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK11A65W，S5X 1.5300
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK11A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 11.1a（ta） 10V 390MOHM @ 5.5A，10V 3.5V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 pf @ 300 V - 35W（TC）
TK22A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A10N1，S4X 1.4100
RFQ
 ECAD 4640 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK22A10 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 22a（TC） 10V 13.8mohm @ 11a，10v 4V @ 300µA 28 NC @ 10 V ±20V 1800 PF @ 50 V - 30W（TC）
TK31N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W5，S1VF 7.0800
RFQ
 ECAD 3930 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 TK31N60 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 30.8A（TA） 10V 99mohm @ 15.4a，10v 4.5V @ 1.5mA 105 NC @ 10 V ±30V 3000 PF @ 300 V - 230W（TC）
TK35A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A08N1，S4X 1.0500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK35A08 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 35A（TC） 10V 12.2MOHM @ 17.5A，10V 4V @ 300µA 25 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 40 V - 30W（TC）
TK40A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK40A06N1，S4X 1.2300
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK40A06 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 40a（TC） 10V 10.4mohm @ 20a，10v 4V @ 300µA 23 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 30 V - 30W（TC）
TK40A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK40A10N1，S4X 1.8500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK40A10 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 40a（TC） 10V 8.2MOHM @ 20A，10V 4V @ 500µA 49 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 50 V - 35W（TC）
TK56A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK56A12N1，S4X 2.0900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK56A12 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 120 v 56A（TC） 10V 7.5mohm @ 28a，10v 4V @ 1mA 69 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 60 V - 45W（TC）
TK58A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK58A06N1，S4X 1.3300
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK58A06 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 58A（TC） 10V 5.4mohm @ 29a，10v 4V @ 500µA 46 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 30 V - 35W（TC）
TK65A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK65A10N1，S4X 2.7900
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK65A10 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 65A（TC） 10V 4.8mohm @ 32.5a，10v 4V @ 1mA 81 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 50 V - 45W（TC）
TPH3300CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3300CNH，L1Q 1.6100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH3300 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 150 v 18A（18A） 10V 33mohm @ 9a，10v 4V @ 300µA 10.6 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 75 V - 1.6W（TA），57W（tc）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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