SIC
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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
2SK2883(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2883（TE24L，Q） -
RFQ
 ECAD 9932 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SK2883 MOSFET （金属 o化物） TO-220SM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 800 v 3A（3A） 10V 3.6OHM @ 1.5A，10V 4V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±30V 750 pf @ 25 V - 75W（TC）
2SK3313(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3313（Q） -
RFQ
 ECAD 1994 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SK3313 MOSFET （金属 o化物） TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 12a（12a） 10V 620Mohm @ 6a，10v 4V @ 1mA 45 NC @ 10 V ±30V 2040 pf @ 10 V - 40W（TC）
2SK3388(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3388（TE24L，Q） -
RFQ
 ECAD 7495 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-97 2SK3388 MOSFET （金属 o化物） 4-TFP （9.2x9.2） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 250 v 20A（TA） 10V 105mohm @ 10a，10v 3.5V @ 1mA 100 nc @ 10 V ±20V 4000 pf @ 10 V - 125W（TC）
2SK3403(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3403（Q） -
RFQ
 ECAD 1637年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3，短选项卡 2SK3403 MOSFET （金属 o化物） TO-220FL 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 13A（TA） 10V 400mohm @ 6a，10v 5V @ 1mA 34 NC @ 10 V ±30V 1600 pf @ 25 V - 100W（TC）
GT10J312(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312（Q） -
RFQ
 ECAD 7639 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 GT10J312 标准 60 W TO-220SM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 300V，10a，100ohm，15V 200 ns - 600 v 10 a 20 a 2.7V @ 15V，10a - 400NS/400NS
GT30J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121（Q） 3.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 GT30J121 标准 170 w to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 300V，30a，24ohm，15V - 600 v 30 a 60 a 2.45V @ 15V，30a 1MJ（在）上，800µJ（OFF） 90NS/300NS
GT50J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT50J121（Q） -
RFQ
 ECAD 6353 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 to-3pl GT50J121 标准 240 w TO-3P（lh） - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 100 300V，50a，13ohm，15V - 600 v 50 a 100 a 2.45V @ 15V，50a 1.3mj（在）上，1.34mj off） 90NS/300NS
TK5A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A50D（sta4，Q，m） 1.2500
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK5A50 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 5A（5A） 10V 1.5OHM @ 2.5A，10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - 35W（TC）
TPCA8A04-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage tpca8a04-h te12l，q -
RFQ
 ECAD 9760 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8A04 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 44A（TA） 4.5V，10V 3.2MOHM @ 22A，10V 2.3V @ 1mA 59 NC @ 10 V ±20V 5700 PF @ 10 V - -
TPCP8003-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage tpcp8003-h te85l，f -
RFQ
 ECAD 2466 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCP8003 MOSFET （金属 o化物） PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 100 v 2.2A（ta） 4.5V，10V 180MOHM @ 1.1A，10V 2.3V @ 1mA 7.5 NC @ 10 V ±20V 360 pf @ 10 V - 840MW（TA）
TK10A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60D（sta4，Q，m） -
RFQ
 ECAD 1128 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK10A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK10A60DSTA4QM Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 10a（10a） 10V 750MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 25 V - 45W（TC）
TPC8042(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8042（TE12L，Q，m） -
RFQ
 ECAD 6600 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8042 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 18A（18A） 4.5V，10V 3.4mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 56 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 10 V - 1W（ta）
TPC8048-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8048-H （TE12L，Q） -
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H （CT） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8048 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 16A（TA） 4.5V，10V 6.9MOHM @ 8A，10V 2.3V @ 1mA 87 NC @ 10 V ±20V 7540 pf @ 10 V - 1W（ta）
SSM3J129TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J129TU（TE85L） -
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3J129 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 4.6a（ta） 1.5V，4.5V 46mohm @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 8.1 NC @ 4.5 V ±8V 640 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM3J321T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J321T（TE85L，f） -
RFQ
 ECAD 4337 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J321 MOSFET （金属 o化物） TSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 5.2a（ta） 1.5V，4.5V 46mohm @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 8.1 NC @ 4.5 V ±8V 640 pf @ 10 V - 700MW（TA）
SSM3J46CTB(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J46CTB（TPL3） 0.4000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 SSM3J46 MOSFET （金属 o化物） CST3B 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 10,000 P通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 103MOHM @ 1.5A，4.5V 1V @ 1mA 4.7 NC @ 4.5 V ±8V 290 pf @ 10 V - -
SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K123TU，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 397 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3K123 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 4.2A（ta） 1.5V，4V 28mohm @ 3a，4v 1V @ 1mA 13.6 NC @ 4 V ±10V 1010 PF @ 10 V - 500MW（TA）
SSM3K7002BSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BSU，LF -
RFQ
 ECAD 7505 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 SSM3K7002 MOSFET （金属 o化物） USM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 200ma（ta） 4.5V，10V 2.1ohm @ 500mA，10v 3.1V @ 250µA ±20V 17 pf @ 25 V - 150MW（TA）
SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5G10TU（TE85L，F） 0.3600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 SSM5G10 MOSFET （金属 o化物） UFV 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 1.5A（TA） 1.8V，4V 213MOHM @ 1A，4V 1V @ 1mA 6.4 NC @ 4 V ±8V 250 pf @ 10 V Schottky 二极管（孤立） 500MW（TA）
SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J212FE，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 6467 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6J212 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 P通道 20 v 4A（ta） 1.5V，4.5V 40.7MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 14.1 NC @ 4.5 V ±8V 970 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FE，LM 0.4100
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6L35 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 180mA，100mA 3ohm @ 50mA，4V 1V @ 1mA - 9.5pf @ 3V 逻辑级别门
SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36FE，LM 0.4500
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6L36 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 500mA，330mA 630mohm @ 200ma，5v 1V @ 1mA 1.23nc @ 4V 46pf @ 10V 逻辑级别门
SSM3K337R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K337R，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3K337 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 38 v 2A（TA） 4V，10V 150MOHM @ 2A，10V 1.7V @ 1mA 3 NC @ 10 V ±20V 120 pf @ 10 V - 1W（ta）
RN1902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902，LF（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 3188 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1902 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
RN2902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2902fe，lf（ct 0.2600
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2902 200MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFVGR，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 2SC6026 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 60MHz
RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906，LF 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2906 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN1102,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102，LF（ct 0.2000
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1102 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
RN4983,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983，LF（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 7287 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4983 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 22KOHMS 22KOHMS
TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006NL，LQ 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPN11006 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 17a（TC） 4.5V，10V 11.4mohm @ 8.5a，10v 2.5V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 30 V - 700MW（TA），30W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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