SIC
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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -测试 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） （ID） - 最大
TK100L60W,VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100L60W，VQ 34.7700
RFQ
 ECAD 5509 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 to-3pl TK100L60 MOSFET （金属 o化物） 到3p（l） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 100 n通道 600 v 100A（TA） 10V 18mohm @ 50a，10v 3.7V @ 5mA 360 NC @ 10 V ±30V 15000 PF @ 30 V - 797W（TC）
TPH2R306NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH，L1Q 1.5700
RFQ
 ECAD 3872 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH2R306 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 60a（TC） 6.5V，10V 2.3MOHM @ 30a，10v 4V @ 1mA 72 NC @ 10 V ±20V 6100 PF @ 30 V - 1.6W（TA），78W（tc）
2SC4944-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944-gr （TE85L，f 0.3500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 2SC4944 200兆 USV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 80MHz
2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-gr （TE85L，F） 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SK208 100兆 SC-59 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 8.2pf @ 10V 50 V 2.6 ma @ 10 V 400 mv @ 100 na 6.5 MA
2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-O（TE85L，F） 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SK208 100兆 SC-59 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 8.2pf @ 10V 50 V 600 µA @ 10 V 400 mv @ 100 na 6.5 MA
2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-bl（TE85L，F） 0.4400
RFQ
 ECAD 1670年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SK209 150兆 SC-59 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 13pf @ 10V 50 V 14 mA @ 10 V 1.5 V @ 100 na 14 ma
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-y te85l，f） 0.4700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SK209 150兆 SC-59 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 13pf @ 10V 50 V 14 mA @ 10 V 1.5 V @ 100 na 14 ma
2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-y te85l，f） 0.5600
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SK880 100兆 USM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 13pf @ 10V 50 V 1.2 ma @ 10 V 1.5 V @ 100 na
3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK293（TE85L，F） 0.5200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 12.5 v 表面安装 SC-82A，SOT-343 3SK293 800MHz MOSFET USQ 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA 10 MA - 22DB 2.5dB 6 V
RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV （TL3，T） -
RFQ
 ECAD 5110 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-723 RN1106 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 10mA，5V 4.7科姆斯 47科姆斯
RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1109 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
RN1113(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113 （T5L，F，T） 0.0305
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1113 100兆 SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 47科姆斯
RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1602（TE85L，F） 0.3800
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN1602 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
RN1906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1906 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 8467 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1906 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1962FE（TE85L，F） 0.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1962 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
RN1964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1964FE（TE85L，F） 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1964 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 47kohms 47kohms
RN4985,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985，LF（ct 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4985 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 2.2kohms 47kohms
SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J16CT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-101，SOT-883 SSM3J16 MOSFET （金属 o化物） CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 P通道 20 v （100mA）（TA） 1.5V，4V 8ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA ±10V 11 pf @ 3 V - 100mW（TA）
SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56MFV，L3F 0.4500
RFQ
 ECAD 490 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 SSM3J56 MOSFET （金属 o化物） VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 P通道 20 v 800mA（ta） 1.2V，4.5V 390MOHM @ 800mA，4.5V - ±8V 100 pf @ 10 V - 150MW（TA）
SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K302T（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3K302 MOSFET （金属 o化物） TSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 3A（3A） 1.8V，4V 71MOHM @ 2A，4V - 4.3 NC @ 4 V ±12V 270 pf @ 10 V - 700MW（TA）
SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FE（TE85L，F） 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-553 SSM5N15 MOSFET （金属 o化物） ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 4ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA ±20V 7.8 pf @ 3 V - 150MW（TA）
SSM5N15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FU，LF 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 SSM5N15 MOSFET （金属 o化物） 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 4ohm @ 10mA，4V - ±20V 7.8 pf @ 3 V - 200mw（ta）
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-OTE85LF 0.2000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SC2712 150兆 TO-236 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 70 @ 2mA，6v 80MHz
2SC4116-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-BL，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 982 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC4116 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 350 @ 2mA，6v 80MHz
2SJ168TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ168TE85LF 0.9000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SJ168 MOSFET （金属 o化物） SC-59 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 60 V 200ma（ta） 10V 2ohm @ 50mA，10v - ±20V 85 pf @ 10 V - 200mw（ta）
2SK1828TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1828TE85LF 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SK1828 MOSFET （金属 o化物） SC-59 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 50mA（TA） 2.5V 40ohm @ 10mA，2.5V 1.5V @ 100µA 10V 5.5 pf @ 3 V - 200mw（ta）
2SK2034TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2034TE85LF -
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SK2034 MOSFET （金属 o化物） SC-70 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v （100mA）（TA） 2.5V 12ohm @ 10mA，2.5V - 10V 8.5 pf @ 3 V - 100mW（TA）
2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880GRTE85LF 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SK880 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 13pf @ 10V 50 V 2.6 ma @ 10 V 1.5 V @ 100 na
RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1605TE85LF 0.3500
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN1605 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF 0.4900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6L09 MOSFET （金属 o化物） 300MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 400mA，200mA 700mohm @ 200ma，10v 1.8V @ 100µA - 20pf @ 5V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    2800+

    全球制造商

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    15,000 m2

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196-LFBGA裸露的垫子

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