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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1705，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN1705 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
RN2966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2966fe（te85l，f） -
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2966 100MW ES6 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN2504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2504（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 247 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74A，SOT-753 RN2504 300MW SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 47kohms
RN4986FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4986 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 4.7kohms 47kohms
RN4901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4901 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1911 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 2298 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1911 100MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
RN1703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1703，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN1703 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
RN1908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908，LF（ct 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1908 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 47kohms
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2704，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2704 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 47kohms
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438，Q（j -
RFQ
 ECAD 2689 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 2SJ438 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 5A（TJ）
RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2703，LF 0.2900
RFQ
 ECAD 5173 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2703 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 22KOHMS 22KOHMS
RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2702 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1706，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 939 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN1706 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN2605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2605（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN2605 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE，LF（ct 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1903 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
RN2707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2707，LF 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2707 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110ACT（TPL3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2110 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 4.7科姆斯
TK6A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60W，S4VX 2.2500
RFQ
 ECAD 9900 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK6A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 6.2a（ta） 10V 750MOHM @ 3.1A，10V 3.7V @ 310µA 12 nc @ 10 V ±30V 390 pf @ 300 V - 30W（TC）
TK31J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W5，S1VQ 9.6500
RFQ
 ECAD 2743 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 TK31J60 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 30.8A（TA） 10V 88mohm @ 15.4a，10v 3.7V @ 1.5mA 105 NC @ 10 V ±30V 3000 PF @ 300 V - 230W（TC）
TK16A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W，S4VX 2.9700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK16A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 15.8A（TA） 10V 190mohm @ 7.9a，10v 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 40W（TC）
TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W，S1VQ -
RFQ
 ECAD 8499 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 TK16J60 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 15.8A（TA） 10V 190mohm @ 7.9a，10v 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 130W（TC）
TK12E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12E60W，S1VX 3.4000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK12E60 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 11.5A（TA） 10V 300MOHM @ 5.8A，10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 pf @ 300 V - 110W（TC）
TK16E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W，S1VX 2.8600
RFQ
 ECAD 4631 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK16E60 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 15.8A（TA） 10V 190mohm @ 7.9a，10v 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 130W（TC）
TPH12008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH12008NH，L1Q 1.2500
RFQ
 ECAD 9998 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH12008 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 80 V 24A（TC） 10V 12.3mohm @ 12a，10v 4V @ 300µA 22 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 40 V - 1.6W（TA），48W（tc）
TPH8R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R008NH，L1Q 1.6400
RFQ
 ECAD 5756 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH8R008 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 80 V 34A（TC） 10V 8mohm @ 17a，10v 4V @ 500µA 35 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 40 V - 1.6W（61W），61W（tc）
SSM3J334R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J334R，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 208 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J334 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 4A（ta） 4V，10V 71MOHM @ 3A，10V 2V @ 100µA 5.9 NC @ 10 V ±20V 280 pf @ 15 V - 1W（ta）
SSM3K335R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K335R，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3K335 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 6a（6a） 4.5V，10V 38mohm @ 4a，10v 2.5V @ 100µA 2.7 NC @ 4.5 V ±20V 340 pf @ 15 V - 1W（ta）
TK5Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5Q60W，S1VQ 1.8600
RFQ
 ECAD 2135 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK TK5Q60 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 75 n通道 600 v 5.4A（ta） 10V 900MOHM @ 2.7a，10V 3.7V @ 270µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 V - 60W（TC）
TPH4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008NH，L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH4R008 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 80 V 60a（TC） 10V 4mohm @ 30a，10v 4V @ 1mA 59 NC @ 10 V ±20V 5300 PF @ 40 V - 1.6W（TA），78W（tc）
TK16G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W，RVQ 6.0900
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB TK16G60 MOSFET （金属 o化物） D2PAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 15.8A（TA） 10V 190mohm @ 7.9a，10v 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 130W（TC）
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    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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