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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -测试 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-y te85l，f） 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SC2714 100MW S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 23dB 30V 20mA NPN 100 @ 1mA，6v 550MHz 2.5db @ 100MHz
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-A，LF 0.4000
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SC3326 150兆 TO-236 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 MA 100NA（ICBO） NPN 100mv @ 3mA，30mA 200 @ 4mA，2V 30MHz
2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-y te85l，f） 0.3500
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 2SC4207 300MW SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2（npn （双）匹配对，常见的发射极，常见的发射极 250mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-y te85l，f） -
RFQ
 ECAD 3125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC5085 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 11db〜16.5dB 12V 80mA NPN 120 @ 20mA，10v 7GHz 1.1db @ 1GHz
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-R（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC5095 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 13db〜7.5dB 10V 15mA NPN 50 @ 7mA，6v 10GHz 1.8dB @ 2GHz
2SK2035(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2035 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 1230 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-75，SOT-416 2SK2035 MOSFET （金属 o化物） SSM - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v （100mA）（TA） 2.5V 12ohm @ 10mA，2.5V - 10V 8.5 pf @ 3 V - 100mW（TA）
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-BL（TE85L，f 0.6800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 2SK2145 300兆 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 13pf @ 10V 6 mA @ 10 V 200 mv @ 100 na
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL（TE85L，F） 0.5900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SK880 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 13pf @ 10V 50 V 6 mA @ 10 V 1.5 V @ 100 na
3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK291（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 12.5 v 表面安装 SC-61AA 3SK291 800MHz MOSFET smq - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA 10 MA - 22.5dB 2.5dB 6 V
RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P（TE12L，F） 1.5493
RFQ
 ECAD 7126 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 16 V 表面安装 TO-243AA RFM04U6 470MHz MOSFET PW-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 2a 500 MA 4.3W 13.3db - 6 V
RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101，LF（ct 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1101 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV，L3F 0.1700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1104 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 10mA，5V 47科姆斯 47科姆斯
RN1107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107，LF（ct 0.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1107 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 10 kohms 47科姆斯
RN1108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108 （T5L，F，T） 0.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1108 100兆 SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV （TL3，T） 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1131 150兆 VESM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 120 @ 1mA，5V 100 kohms
RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1310（TE85L，F） 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1310 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯
RN1961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1961FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1961 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2711 200MW 5-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 400 @ 1mA，5V 200MHz 10KOHMS -
RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4603（TE85L，F） 0.3800
RFQ
 ECAD 7481 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN4603 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 22KOHMS 22KOHMS
RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4984 （T5L，F，T） 0.1400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4984 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 47kohms 47kohms
RN4991(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4991 （T5L，F，T） 0.0394
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4991 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz，200MHz 10KOHMS -
TK16C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16C60W，S1VQ -
RFQ
 ECAD 7901 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA TK16C60 MOSFET （金属 o化物） i2pak 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 15.8A（TA） 10V 190mohm @ 7.9a，10v 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 130W（TC）
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL，LQ 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPN11003 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 11A（TC） 4.5V，10V 11MOHM @ 5.5A，10V 2.3V @ 100µA 7.5 NC @ 10 V ±20V 660 pf @ 15 V - 700MW（TA），19w（tc）
TPN6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R003NL，LQ 0.8800
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPN6R003 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 27a（TC） 4.5V，10V 6mohm @ 13.5a，10v 2.3V @ 200µA 17 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 15 V - 700MW（TA），32W （TC）
TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R903NL，LQ 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH8R903 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 20A（TC） 10V 8.9MOHM @ 10a，10v 2.3V @ 1mA 9.8 NC @ 10 V ±20V 820 pf @ 15 V - 1.6W（ta），24W（24W）TC）
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH，L1Q 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPN1600 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 17a（TC） 10V 16mohm @ 8.5a，10v 4V @ 200µA 19 nc @ 10 V ±20V 1600 PF @ 50 V - 700MW（TA），42W（TC）
TP89R103NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TP89R103NL，LQ 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TP89R103 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 15A（TC） 4.5V，10V 9.1MOHM @ 7.5A，10V 2.3V @ 100µA 9.8 NC @ 10 V ±20V 820 pf @ 15 V - 1W（TC）
TP86R203NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TP86R203NL，LQ 0.9000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TP86R203 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V （19a ta） 4.5V，10V 6.2MOHM @ 9A，10V 2.3V @ 200µA 17 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 15 V - 1W（TC）
2SC6026CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-gr，L3F 0.3700
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-101，SOT-883 2SC6026 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 60MHz
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110CT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 1745年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2110 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 300 @ 1mA，5v 4.7科姆斯
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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