SIC
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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
TJ40S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ40S04M3L，LXHQ 1.0800
RFQ
 ECAD 9632 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TJ40S04 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 40 V 40a（ta） 6V，10V 9.1mohm @ 20a，10v 3V @ 1mA 83 NC @ 10 V +10V，-20V 4140 pf @ 10 V - 68W（TC）
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L，LXHQ 1.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TJ60S06 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 60 V 60a（ta） 6V，10V 11.2Mohm @ 30a，10v 3V @ 1mA 156 NC @ 10 V +10V，-20V 7760 pf @ 10 V - 100W（TC）
TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK090U65Z，RQ 5.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Powersfn MOSFET （金属 o化物） 收费 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 30a（TA） 10V 90mohm @ 15a，10v 4V @ 1.27mA 47 NC @ 10 V ±30V 2780 pf @ 300 V - 230W（TC）
SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R，LF 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6J808 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 7a（ta） 4V，10V 35mohm @ 2.5a，10v 2V @ 100µA 24.2 NC @ 10 V +10V，-20V 1020 pf @ 10 V - 1.5W（TA）
SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P816R，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6P816 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 6a（6a） 30.1MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 16.6nc @ 4.5V 1030pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J325 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 150MOHM @ 1A，4.5V - 4.6 NC @ 4.5 V ±8V 270 pf @ 10 V - 600MW（TA）
RN4609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4609（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN4609 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 22KOHMS
TK16J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W5，S1VQ 5.2000
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 TK16J60 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 15.8A（TA） 10V 230MOHM @ 7.9A，10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 130W（TC）
SSM3J306T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J306T（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 5083 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J306 MOSFET （金属 o化物） TSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 2.4A（TA） 4V，10V 117MOHM @ 1A，10V - 2.5 NC @ 15 V ±20V 280 pf @ 15 V - 700MW（TA）
SSM3J375F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J375F，LXHF 0.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-MOSVI 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 150MOHM @ 1A，4.5V 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 V +6V，-8V 270 pf @ 10 V - 600MW（TA）
SSM3K361R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R，LXHF 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 SOT-23-3平线 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3.5A（ta） 4.5V，10V 69mohm @ 2a，10v 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 V ±20V 430 pf @ 15 V - 1.2W（TA）
TW015Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015Z65C，S1F 48.8100
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-247-4 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247-4L x（X） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 100A（TC） 18V 22mohm @ 50a，18v 5V @ 11.7mA 128 NC @ 18 V +25V，-10V 4850 PF @ 400 V - 342W（TC）
TK210V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK210V65Z，LQ 3.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK210V65 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 15A（TA） 10V 210MOHM @ 7.5A，10V 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 300 V - 130W（TC）
2SC6000(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6000（TE16L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SC6000 20 w PW-MOLD - 264-2SC6000（TE16L1NQ）TR Ear99 8541.29.0095 2,000 50 V 7 a 100NA（ICBO） NPN 180MV @ 83mA，2.5a 250 @ 2.5a，2V -
SSM6N357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N357R，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N357 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 650mA（TA） 1.8ohm @ 150mA，5v 2V @ 1mA 1.5NC @ 5V 60pf @ 12V -
RN1108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108，LXHF（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1108 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
TK20C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20C60W，S1VQ -
RFQ
 ECAD 8691 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA TK20C60 MOSFET （金属 o化物） i2pak 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A（TA） 10V 155mohm @ 10a，10v 3.7V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 PF @ 300 V - 165W（TC）
RN4901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4901 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 4.7kohms 4.7kohms
2SA1832-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y，LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 690 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 SC-75，SOT-416 120兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
2SC5459(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5459（tojs，q，m） -
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC5459 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 400 v 3 a 100µA（ICBO） NPN 1V @ 150mA，1.2a 20 @ 300mA，5V -
RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1706，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 939 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN1706 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN2707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2707，LF 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2707 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2709，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2709 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 22KOHMS
SSM3K361TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU，LXHF 0.6200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3.5A（ta） 4.5V，10V 69mohm @ 2a，10v 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 V ±20V 430 pf @ 15 V - 1W（ta）
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2704，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2704 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 47kohms
RN4907FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4907 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 10KOHMS 47kohms
TK17A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A80W，S4X 3.8400
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK17A80 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 17A（TA） 10V 290MOHM @ 8.5A，10V 4V @ 850µA 32 NC @ 10 V ±20V 2050 pf @ 300 V - 45W（TC）
SSM3K7002KF,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF，LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 400mA（TA） 4.5V，10V 1.5OHM @ 100mA，10v 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 V ±20V 40 pf @ 10 V - 270MW（TA）
TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5，RVQ 3.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） D2PAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 15.8A（TA） 10V 230MOHM @ 7.9A，10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 130W（TC）
2SK2847(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2847（f） -
RFQ
 ECAD 1737年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 2SK2847 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 8a（8a） 10V 1.4OHM @ 4A，10V 4V @ 1mA 58 NC @ 10 V ±30V 2040 pf @ 25 V - 85W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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196-LFBGA裸露的垫子

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