晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
RN1101MFV，L3F	0.0261	询价	9895	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		表面贴装	SOT-723	RN1101		150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安				500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	30@10mA，5V		4.7欧姆	4.7欧姆
2SC2655-Y(TE6,F,M)	-	询价	1528	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A				1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
SSM3J353F，LF	0.4900	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J353	MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	30V	2A（塔）	4V、10V	150mOhm@2A，10V	2.2V@250μA	3.4nC@4.5V	+20V，-25V	159pF@15V	-	600毫W（塔）
SSM6J502NU，LF	0.4800	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6J502	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	23.1毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	24.8nC@4.5V	±8V	1800pF@10V	-	1W（塔）
SSM6N7002BFU，LF	-	询价	3756	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N7002	MOSFET（金属O化物）	300毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		60V	200毫安		2.1欧姆@500mA，10V	3.1V@250μA	-		17pF@25V	逻辑电平门
RN1103MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1103		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安				500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	70@10mA，5V		22欧姆	22欧姆
2SK2989,T6F(J	-	询价	7347	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2989			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1				5A（Tj）
TK15A60U(STA4,Q,M)	-	询价	1261	东芝半导体和存储	DTMOSII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK15A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	15A（塔）	10V	300毫欧@7.5A，10V	5V@1mA	17nC@10V	±30V	950pF@10V	-	40W（温度）
2SA1586-Y,LF	0.1800	询价	53	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SA1586		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安				100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
TJ40S04M3L,LXHQ	1.0800	询价	9632	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ40S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道	40V	40A（塔）	6V、10V	9.1毫欧@20A，10V	3V@1mA	83nC@10V	+10V，-20V	10V时为4140pF	-	68W（温度）
TK160F10N1,LXGQ	3.8300	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	不适合新设计	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK160F10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM(W)	下载		3（168小时）		EAR99	8541.21.0095	1,000		N沟道	100V	160A（塔）	10V	2.4毫欧@80A，10V	4V@1mA	121nC@10V	±20V	10V时为8510pF	-	375W（温度）
2SK880-BL(TE85L,F)	0.5900	询价	14	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SK880		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道								13pF@10V					50V	6毫安@10伏	1.5V@100nA
SSM3J331R，LF	0.4500	询价	23	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J331	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	4A（塔）	1.5V、4.5V	55mOhm@3A，4.5V	1V@1mA	10.4nC@4.5V	±8V	630pF@10V	-	1W（塔）
TPN3300ANH、LQ	0.9000	询价	7	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN3300	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100V	9.4A（温度）	10V	33毫欧@4.7A，10V	4V@100μA	11nC@10V	±20V	880pF@50V	-	700mW（Ta）、27W（Tc）
SSM6K516NU，LF	0.4100	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6K516	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	6A（塔）	4.5V、10V	46毫欧@4A，10V	2.5V@100μA	2.5nC@4.5V	+20V，-12V	280pF@15V	-	1.25W（塔）
RN1108MFV,L3F	0.1800	询价	29	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1108		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安				500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		22欧姆	47欧姆
RN2308,LXHF	0.3900	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2308		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安				500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	47欧姆
2SD2257(CANO,A,Q)	-	询价	7754	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2257		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1													100V	3A				10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1.5mA，1.5A	2000 @ 2A、2V	-
2SA1943-O(S1,F	2.9200	询价	20	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3PL			150W	TO-3P(L)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	25													230伏	15A				5μA（ICBO）	国民党	3V@800mA，8A	80@1A，5V	30兆赫兹
TK12J60W,S1VE(S	-	询价	8348	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极	150℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK12J60	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	-		1（无限制）	264-TK12J60WS1VE(S	EAR99	8541.29.0095	25		N沟道	600伏	11.5A（塔）	10V	300mOhm@5.8A，10V	3.7V@600μA	25nC@10V	±30V	890 pF @ 300 V	-	110W（温度）
RN1444ATE85LF	-	询价	7205	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1444		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													20V	300毫安				100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	100毫伏@3毫安，30毫安	200@4mA，2V	30兆赫	2.2欧姆
TPC6012(TE85L,F,M)	-	询价	5714	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6012	MOSFET（金属O化物）		VS-6 (2.9x2.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	6A（塔）	2.5V、4.5V	20毫欧@3A，4.5V	1.2V@200μA	9nC@5V	±12V	630pF@10V	-	700毫W（塔）
TPN11003NL,LQ	0.6800	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN11003	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	11A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@5.5A，10V	2.3V@100μA	10V时为7.5nC	±20V	660pF@15V	-	700mW（Ta）、19W（Tc）
2SK2962,T6F(J	-	询价	4247	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1				1A（Tj）
2SC4793,YHF(米	-	询价	9650	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4793		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													230伏	1A				1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
2SC2235-Y(6MBH1,AF	-	询价	8417	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													120V	800毫安				100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
2SJ438(CANO,A,Q)	-	询价	6374	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-220-3全包	2SJ438			TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1				5A（Tj）
2SC2655-Y(T6CANOFM	-	询价	8697	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SC2655YT6CANOFM	EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A				1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
SSM3J114TU(T5L,T)	-	询价	2761	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J114	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	1.8A（塔）	1.5V、4V	149毫欧@600mA，4V	1V@1mA	7.7nC@4V	±8V	10V时为331pF	-	500毫W（塔）
TPCA8045-H(T2L1,VM	-	询价	3369	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8045	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	40V	46A（塔）	4.5V、10V	3.6毫欧@23A，10V	2.3V@1mA	90nC@10V	±20V	7540pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²