SIC
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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113CT（tpl3） -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1113 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 100NA（ICBO） npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 300 @ 1mA，5v 47科姆斯
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 8069 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2904 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 47kohms
HN1B04FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-Y，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 HN1B04 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 250mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
2SA1586-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SA1586 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
TK125V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK125V65Z，LQ 4.9000
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK125V65 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 24A（24A） 10V 125mohm @ 12a，10v 4V @ 1.02mA 40 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 300 V - 190w（TC）
TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM，LQ 1.7000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-POWERTDFN TPH3R10 MOSFET （金属 o化物） 8 SOP Advance（5x5.75） 下载 （1 （无限） 5,000 n通道 100 v 180a（ta），120a（tc） 6V，10V 3.1MOHM @ 50a，10v 3.5V @ 500µA 83 NC @ 10 V ±20V 7400 PF @ 50 V - 3W（3W），210W（TC）
RN2114(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2114（TE85L，F） 0.2800
RFQ
 ECAD 5009 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2114 100兆 SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 1 kohms 10 kohms
RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4984 （T5L，F，T） 0.1400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4984 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 47kohms 47kohms
SSM3J375F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J375F，LXHF 0.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-MOSVI 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 150MOHM @ 1A，4.5V 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 V +6V，-8V 270 pf @ 10 V - 600MW（TA）
SSM3K361R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R，LXHF 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 SOT-23-3平线 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3.5A（ta） 4.5V，10V 69mohm @ 2a，10v 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 V ±20V 430 pf @ 15 V - 1.2W（TA）
TW015Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015Z65C，S1F 48.8100
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-247-4 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247-4L x（X） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 100A（TC） 18V 22mohm @ 50a，18v 5V @ 11.7mA 128 NC @ 18 V +25V，-10V 4850 PF @ 400 V - 342W（TC）
2SC3324GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324GRTE85LF -
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SC3324 150兆 TO-236 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 ma 100NA（ICBO） NPN 300mv @ 1mA，10mA 200 @ 2mA，6v 100MHz
TK8Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q60W，S1VQ 2.4800
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK TK8Q60 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 75 n通道 600 v 8a（8a） 10V 500MOHM @ 4A，10V 3.7V @ 400µA 18.5 NC @ 10 V ±30V 570 pf @ 300 V - 80W（TC）
TK210V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK210V65Z，LQ 3.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK210V65 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 15A（TA） 10V 210MOHM @ 7.5A，10V 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 300 V - 130W（TC）
HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-GR，LXHF 0.4500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 HN1A01 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 PNP （双） 300mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 80MHz
2SA965-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y，T6F j -
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA965 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） PNP 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
ULN2803AFWG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803AFWG，C，El -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） ULN2803 1.31W 18 SOP 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1,000 50V 500mA - 8 npn达灵顿 1.6V @ 500µA，350mA 1000 @ 350mA，2V -
2SD2257(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257（Cano，A，Q） -
RFQ
 ECAD 7754 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2257 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1.5mA，1.5a 2000 @ 2a，2v -
TK1P90A,LQ(CO Toshiba Semiconductor and Storage TK1P90A，LQ（CO -
RFQ
 ECAD 9799 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK1P90 MOSFET （金属 o化物） PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK1P90ALQ（CO Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 900 v 1A（1A） 10V 9ohm @ 500mA，10v 4V @ 1mA 13 NC @ 10 V ±30V 320 pf @ 25 V - 20W（TC）
TK4A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4A80E，S4X 1.2300
RFQ
 ECAD 9274 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 4A（ta） 10V 3.5OHM @ 2A，10V 4V @ 400µA 15 NC @ 10 V ±30V 650 pf @ 25 V - 35W（TC）
SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FS，LF 0.2500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SC-75，SOT-416 SSM3J15 MOSFET （金属 o化物） SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 12ohm @ 10mA，4V 1.7V @ 100µA ±20V 9.1 PF @ 3 V - 100mW（TA）
TK4P55D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55D（t6rss-Q） -
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK4P55 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK4P55DT6RSQ Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 550 v 4A（ta） 10V 1.88OHM @ 2A，10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - 80W（TC）
RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2965fe（te85l，f） -
RFQ
 ECAD 7583 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2965 100MW ES6 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302，LF 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1302 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
RN2710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2710，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2710 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 4.7kohms -
MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage MT4S300U（TE85L，O，f 0.6800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-82A，SOT-343 MT4S300 250MW USQ 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 16.9db 4V 50mA NPN 200 @ 10mA，3V 26.5GHz 0.55dB @ 2GHz
RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2709，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2709 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 22KOHMS
RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1702，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN1702 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
RN1903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1903 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
RN4907FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4907 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 10KOHMS 47kohms
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    每日平均RFQ量

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196-LFBGA裸露的垫子

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