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2488）

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RN2902，LF	-	RFQ	7224	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2902		200MW	US6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000												50V	100mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	10KOHMS
RN1902FE，LF（ct	0.3400	RFQ	22	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1902		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000												50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	250MHz	10KOHMS	1KOHMS
2SC5354，TOJSQ o	-	RFQ	2914	东芝半导体和存储	*	管子	积极的				2SC5354				下载	Rohs符合条件	不适用	Ear99	8541.29.0095	50
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2SA1931，netq（j	-	RFQ	8766	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1931		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0075	1												50 V	5 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 200mA，2a	100 @ 1A，1V	60MHz
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TK5A65W，S5X	1.6000	RFQ	1655年	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK5A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	5.2a（ta）	10V	1.2OHM @ 2.6a，10V	3.5V @ 170µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 300 V	-	30W（TC）
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SSM3J306T（TE85L，F）	-	RFQ	5083	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J306	MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	30 V	2.4A（TA）	4V，10V	117MOHM @ 1A，10V	-	2.5 NC @ 15 V	±20V	280 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
HN1C01F-gr （TE85L，f	-	RFQ	7146	东芝半导体和存储	-	（CT）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	HN1C01		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000												50V	150mA	100NA（ICBO）	2 NPN （双）	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	800MHz
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RN2904FE （T5L，F，T）	-	RFQ	8069	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN2904		100MW	ES6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000												50V	100mA	100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	47kohms	47kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²