SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6076(TE16L1,NV) 0.6300
RFQ
ECAD 7769 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 2SC6076 10 W PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 2,000 80 V 3 a 1µA(ICBO) NPN 500mv @ 100mA,1a 180 @ 500mA,2V 150MHz
RN4982FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4982fe,lf(Ct 0.2700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN4982 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
2SJ380(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380(f) -
RFQ
ECAD 1045 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 2SJ380 MOSFET (金属 o化物) TO-220NIS 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 P通道 100 v 12a(12a) 4V,10V 210mohm @ 6a,10v 2V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±20V 1100 pf @ 10 V - 35W(TC)
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1415B,S4X(s -
RFQ
ECAD 3496 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 TTD1415 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117 (T5L,F,T) -
RFQ
ECAD 6824 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 SC-75,SOT-416 RN1117 100兆 SSM 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 30 @ 10mA,5V 250 MHz 10 kohms 4.7科姆斯
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-O(Q) -
RFQ
ECAD 3255 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 2SC3074 1 w PW-MOLD 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 200 50 V 5 a 1µA(ICBO) NPN 400mv @ 150mA,3a 70 @ 1A,1V 120MHz
TK15A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A50D(sta4,Q,m) 3.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK15A50 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 15A(TA) 10V 300MOHM @ 7.5A,10V 4V @ 1mA 40 NC @ 10 V ±30V 2300 PF @ 25 V - 50W(TC)
2SC2235-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y (6MBH1,AF -
RFQ
ECAD 8417 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA(ICBO) NPN 1V @ 50mA,500mA 80 @ 100mA,5V 120MHz
2SC5201,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201,t6f(j -
RFQ
ECAD 4968 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC5201 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 1 600 v 50 mA 1µA(ICBO) NPN 1V @ 500mA,20mA 100 @ 20mA,5V -
RN4904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4904fe,lf(ct 0.2600
RFQ
ECAD 1676年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN4904 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz,200MHz 47kohms 47kohms
RN4902FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn4902fe(te85l,f) -
RFQ
ECAD 4313 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN4902 100MW ES6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
TK20C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20C60W,S1VQ -
RFQ
ECAD 8691 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA TK20C60 MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A(TA) 10V 155mohm @ 10a,10v 3.7V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 PF @ 300 V - 165W(TC)
2SA949-Y,ONK-1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-y,onk-1f(j -
RFQ
ECAD 3985 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SA949 800兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA(ICBO) PNP 800mv @ 1mA,10a 70 @ 10mA,5V 120MHz
RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1973(TE85L,F) 0.0753
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 RN1973 200MW US6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V - 47kohms -
TK14A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A55D(sta4,Q,m) 3.1600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK14A55 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 14A(TA) 10V 370MOHM @ 7A,10V 4V @ 1mA 40 NC @ 10 V ±30V 2300 PF @ 25 V - 50W(TC)
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110CT(TPL3) -
RFQ
ECAD 1745年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-101,SOT-883 RN2110 50兆 CST3 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 150mv @ 250µA,5mA 300 @ 1mA,5v 4.7科姆斯
RN4986,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986,LXHF(ct 0.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 RN4986 200MW US6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz,200MHz 4.7kohms 47kohms
2SC2229-O(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O(SHP1,f,m -
RFQ
ECAD 9880 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC2229 800兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 1mA,10mA 70 @ 10mA,5V 120MHz
RN4903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903FE,LXHF(ct 0.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN4903 100MW ES6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 70 @ 10mA,5V 200MHz,250MHz 22KOHMS 22KOHMS
RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401,LXHF 0.3400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RN1401 200兆 S-Mini 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 30 @ 10mA,5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
RN2103(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103 (T5L,F,T) 0.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 RN2103 100兆 SSM 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 70 @ 10mA,5V 200 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2713JE(TE85L,F) 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-553 RN2713 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2(PNP- 预偏(双重)() 300mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 200MHz 47kohms -
SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N58NU,LF 0.4600
RFQ
ECAD 139 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6N58 MOSFET (金属 o化物) 1W 6-udfn (2x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 4a 84mohm @ 2A,4.5V 1V @ 1mA 1.8NC @ 4.5V 129pf @ 15V 逻辑水平门,1.8V
TK7A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W5,S5VX 1.6400
RFQ
ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK7A60 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 7a(ta) 10V 650MOHM @ 3.5A,10V 4.5V @ 350µA 16 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 300 V - 30W(TC)
RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902,LF(ct 0.2800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 RN4902 200MW US6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01F-y te85l,f) -
RFQ
ECAD 3952 0.00000000 东芝半导体和存储 - (CT) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 HN1A01 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100NA(ICBO) 2 PNP (双) 300mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 80MHz
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F,LF 0.4100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SSM3J325 MOSFET (金属 o化物) S-Mini 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2A(TA) 1.5V,4.5V 150MOHM @ 1A,4.5V - 4.6 NC @ 4.5 V ±8V 270 pf @ 10 V - 600MW(TA)
TK13A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A45D(sta4,Q,m) 2.4700
RFQ
ECAD 9513 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK13A45 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 13A(TA) 10V 460MOHM @ 6.5A,10V 4V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 25 V - 45W(TC)
SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FE,LM 0.4300
RFQ
ECAD 111 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SSM6N44 MOSFET (金属 o化物) 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道(双) 30V 100mA 4ohm @ 10mA,4V 1.5V @ 100µA - 8.5pf @ 3V 逻辑级别门
2SC2235-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y t6canofm -
RFQ
ECAD 1780年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) 2SC2235YT6CANOFM Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA(ICBO) NPN 1V @ 50mA,500mA 80 @ 100mA,5V 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库