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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SC6076(TE16L1,NV) | 0.6300 | ![]() | 7769 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SC6076 | 10 W | PW-MOLD | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 80 V | 3 a | 1µA(ICBO) | NPN | 500mv @ 100mA,1a | 180 @ 500mA,2V | 150MHz | |||||||||||||||||
![]() | rn4982fe,lf(Ct | 0.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | RN4982 | 100MW | ES6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100NA(ICBO) | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 250µA,5mA | 50 @ 10mA,5V | 250MHz | 10KOHMS | 10KOHMS | ||||||||||||||||
![]() | 2SJ380(f) | - | ![]() | 1045 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 2SJ380 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220NIS | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P通道 | 100 v | 12a(12a) | 4V,10V | 210mohm @ 6a,10v | 2V @ 1mA | 48 NC @ 10 V | ±20V | 1100 pf @ 10 V | - | 35W(TC) | ||||||||||||||
![]() | TTD1415B,S4X(s | - | ![]() | 3496 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 积极的 | TTD1415 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1117 (T5L,F,T) | - | ![]() | 6824 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | RN1117 | 100兆 | SSM | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 4.7科姆斯 | ||||||||||||||||
![]() | 2SC3074-O(Q) | - | ![]() | 3255 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SC3074 | 1 w | PW-MOLD | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0075 | 200 | 50 V | 5 a | 1µA(ICBO) | NPN | 400mv @ 150mA,3a | 70 @ 1A,1V | 120MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TK15A50D(sta4,Q,m) | 3.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK15A50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 15A(TA) | 10V | 300MOHM @ 7.5A,10V | 4V @ 1mA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 2300 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | |||||||||||||
![]() | 2SC2235-Y (6MBH1,AF | - | ![]() | 8417 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | 2SC2235 | 900兆 | to-92mod | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 v | 800 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 80 @ 100mA,5V | 120MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SC5201,t6f(j | - | ![]() | 4968 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | 2SC5201 | 900兆 | to-92mod | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 600 v | 50 mA | 1µA(ICBO) | NPN | 1V @ 500mA,20mA | 100 @ 20mA,5V | - | ||||||||||||||||||
![]() | rn4904fe,lf(ct | 0.2600 | ![]() | 1676年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | RN4904 | 100MW | ES6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250MHz,200MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
![]() | rn4902fe(te85l,f) | - | ![]() | 4313 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | RN4902 | 100MW | ES6 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100NA(ICBO) | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 250µA,5mA | 50 @ 10mA,5V | 200MHz | 10KOHMS | 10KOHMS | |||||||||||||||||
TK20C60W,S1VQ | - | ![]() | 8691 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | dtmosiv | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | TK20C60 | MOSFET (金属 o化物) | i2pak | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 20A(TA) | 10V | 155mohm @ 10a,10v | 3.7V @ 1mA | 48 NC @ 10 V | ±30V | 1680 PF @ 300 V | - | 165W(TC) | ||||||||||||||
![]() | 2SA949-y,onk-1f(j | - | ![]() | 3985 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | 2SA949 | 800兆 | to-92mod | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 v | 50 mA | 100NA(ICBO) | PNP | 800mv @ 1mA,10a | 70 @ 10mA,5V | 120MHz | ||||||||||||||||||
![]() | RN1973(TE85L,F) | 0.0753 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | RN1973 | 200MW | US6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100NA(ICBO) | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 250µA,5mA | 120 @ 1mA,5V | - | 47kohms | - | ||||||||||||||||
![]() | TK14A55D(sta4,Q,m) | 3.1600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK14A55 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 550 v | 14A(TA) | 10V | 370MOHM @ 7A,10V | 4V @ 1mA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 2300 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | |||||||||||||
![]() | RN2110CT(TPL3) | - | ![]() | 1745年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | RN2110 | 50兆 | CST3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 20 v | 50 mA | 100NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 150mv @ 250µA,5mA | 300 @ 1mA,5v | 4.7科姆斯 | |||||||||||||||||||
![]() | RN4986,LXHF(ct | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | RN4986 | 200MW | US6 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250MHz,200MHz | 4.7kohms | 47kohms | |||||||||||||||||
![]() | 2SC2229-O(SHP1,f,m | - | ![]() | 9880 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | 2SC2229 | 800兆 | to-92mod | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 v | 50 mA | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 1mA,10mA | 70 @ 10mA,5V | 120MHz | ||||||||||||||||||
![]() | RN4903FE,LXHF(ct | 0.3800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | RN4903 | 100MW | ES6 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 250µA,5mA | 70 @ 10mA,5V | 200MHz,250MHz | 22KOHMS | 22KOHMS | |||||||||||||||||
![]() | RN1401,LXHF | 0.3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | RN1401 | 200兆 | S-Mini | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 30 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | |||||||||||||||||
![]() | RN2103 (T5L,F,T) | 0.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | RN2103 | 100兆 | SSM | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 70 @ 10mA,5V | 200 MHz | 22 KOHMS | 22 KOHMS | ||||||||||||||||
![]() | RN2713JE(TE85L,F) | 0.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-553 | RN2713 | 100MW | ESV | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100NA(ICBO) | 2(PNP- 预偏(双重)() | 300mv @ 250µA,5mA | 120 @ 1mA,5V | 200MHz | 47kohms | - | ||||||||||||||||
![]() | SSM6N58NU,LF | 0.4600 | ![]() | 139 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | SSM6N58 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | 6-udfn (2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 4a | 84mohm @ 2A,4.5V | 1V @ 1mA | 1.8NC @ 4.5V | 129pf @ 15V | 逻辑水平门,1.8V | |||||||||||||||
![]() | TK7A60W5,S5VX | 1.6400 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | dtmosiv | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK7A60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 7a(ta) | 10V | 650MOHM @ 3.5A,10V | 4.5V @ 350µA | 16 NC @ 10 V | ±30V | 490 pf @ 300 V | - | 30W(TC) | |||||||||||||
![]() | RN4902,LF(ct | 0.2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | RN4902 | 200MW | US6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 250µA,5mA | 50 @ 10mA,5V | 200MHz | 10KOHMS | 10KOHMS | ||||||||||||||||
![]() | HN1A01F-y te85l,f) | - | ![]() | 3952 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | (CT) | 积极的 | 125°C(TJ) | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | HN1A01 | 300MW | SM6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 150mA | 100NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 300mv @ 10mA,100mA | 120 @ 2mA,6v | 80MHz | |||||||||||||||||
![]() | SSM3J325F,LF | 0.4100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SSM3J325 | MOSFET (金属 o化物) | S-Mini | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2A(TA) | 1.5V,4.5V | 150MOHM @ 1A,4.5V | - | 4.6 NC @ 4.5 V | ±8V | 270 pf @ 10 V | - | 600MW(TA) | |||||||||||||
![]() | TK13A45D(sta4,Q,m) | 2.4700 | ![]() | 9513 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK13A45 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 450 v | 13A(TA) | 10V | 460MOHM @ 6.5A,10V | 4V @ 1mA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 1350 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | |||||||||||||
![]() | SSM6N44FE,LM | 0.4300 | ![]() | 111 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SSM6N44 | MOSFET (金属 o化物) | 150MW | ES6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 100mA | 4ohm @ 10mA,4V | 1.5V @ 100µA | - | 8.5pf @ 3V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||
![]() | 2SC2235-y t6canofm | - | ![]() | 1780年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | 2SC2235 | 900兆 | to-92mod | 下载 | (1 (无限) | 2SC2235YT6CANOFM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 v | 800 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 80 @ 100mA,5V | 120MHz |
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