SIC
close

2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
RN2905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905，LF（ct 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2905 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN2423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2423（TE85L，F） 0.4100
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2423 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 800 MA 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 1mA，50mA 70 @ 100mA，1V 200 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
TK560A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y，S4X 1.5700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK560A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 7A（TC） 10V 560MOHM @ 3.5A，10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 V - 30W
SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K516NU，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6K516 MOSFET （金属 o化物） 6-udfnb（2x2） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 6a（6a） 4.5V，10V 46mohm @ 4A，10V 2.5V @ 100µA 2.5 NC @ 4.5 V +20V，-12V 280 pf @ 15 V - 1.25W（TA）
TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK099V65Z，LQ 5.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK099V65 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 30a（TA） 10V 99mohm @ 15a，10v 4V @ 1.27mA 47 NC @ 10 V ±30V 2780 pf @ 300 V - 230W（TC）
SSM3K37CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37CT，L3F 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-101，SOT-883 SSM3K37 MOSFET （金属 o化物） CST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 20 v 200ma（ta） 1.5V，4.5V 2.2OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 1mA ±10V 12 pf @ 10 V - 100mW（TA）
2SC3225,T6ALPSF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3225，T6ALPSF （m -
RFQ
 ECAD 8797 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC3225 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 40 V 2 a 10µA（ICBO） NPN 500mv @ 1mA，300mA 500 @ 400mA，1V 220MHz
RN4907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4907 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 8660 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4907 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
TPC8A06-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H（TE12LQM） -
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8A06 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） TPC8A06HTE12LQM Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 12a（12a） 4.5V，10V 10.1MOHM @ 6A，10V 2.3V @ 1mA 19 nc @ 10 V ±20V 1800 pf @ 10 V （（（） -
TJ15P04M3,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TJ15P04M3，RQ s 0.8700
RFQ
 ECAD 878 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TJ15P04 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 40 V 15A（TA） 4.5V，10V 36mohm @ 7.5a，10v 2V @ 100µA 26 NC @ 10 V ±20V 1100 pf @ 10 V - 29W（TC）
2SC2229-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2Sc2229-o（te6，f，m） -
RFQ
 ECAD 6227 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2229 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 1mA，10mA 70 @ 10mA，5V 120MHz
2SA1162S-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-Y，LF -
RFQ
 ECAD 9269 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SA1162 150兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 70 @ 2mA，6v 80MHz
SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6J503 MOSFET （金属 o化物） 6-udfnb（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6a（6a） 1.5V，4.5V 32.4MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 12.8 NC @ 10 V ±8V 840 pf @ 10 V - 1W（ta）
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6J53 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 P通道 20 v 1.8A（ta） 1.5V，2.5V 136mohm @ 1A，2.5V 1V @ 1mA 10.6 NC @ 4 V ±8V 568 pf @ 10 V - 500MW（TA）
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 2SC6100 500兆 UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 2.5 a 100NA（ICBO） NPN 140mv @ 20mA，1a 400 @ 300mA，2V -
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302，LF 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1302 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
2SC2235-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y，T6F j -
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
TK35A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W5，S5X 6.3000
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK35A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 35A（TA） 10V 95MOHM @ 17.5A，10V 4.5V @ 2.1mA 115 NC @ 10 V ±30V 4100 PF @ 300 V - 50W（TC）
2SC5066-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5066-O，LF -
RFQ
 ECAD 9564 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-75，SOT-416 2SC5066 100MW SSM - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 30mA NPN 80 @ 10mA，5V 7GHz 1dB @ 500MHz
SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6K341 MOSFET （金属 o化物） 6-udfnb（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 6a（6a） 4V，10V 36mohm @ 4A，10V 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 550 pf @ 10 V - 2.5W（TA）
2SC2235-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O，f（j -
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL，L1Q 2.9700
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn TPWR8004 MOSFET （金属 o化物） 8-dsop提前 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 150a（TC） 4.5V，10V 0.8MOHM @ 50a，10v 2.4V @ 1mA 103 NC @ 10 V ±20V 9600 PF @ 20 V - 1W（1W），170w（tc）
RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309，LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1309 100兆 SC-70 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 5mA，5V 250 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
2SC2229-Y(T6MIT1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y t6mit1fm -
RFQ
 ECAD 1667年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2229 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） 2SC2229YT6MIT1FM Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 1mA，10mA 70 @ 10mA，5V 120MHz
TK16C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16C60W，S1VQ -
RFQ
 ECAD 7901 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA TK16C60 MOSFET （金属 o化物） i2pak 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 15.8A（TA） 10V 190mohm @ 7.9a，10v 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 130W（TC）
TK160F10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L，LQ 2.8400
RFQ
 ECAD 1592年 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB TK160F10 MOSFET （金属 o化物） TO-220SM（W） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 160a（ta） 6V，10V 2.4mohm @ 80a，10v 3.5V @ 1mA 122 NC @ 10 V ±20V 10100 PF @ 10 V - 375W（TC）
2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-Y（TPL3） -
RFQ
 ECAD 5156 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-101，SOT-883 2SA2154 100兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
RN4609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4609（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN4609 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 22KOHMS
RN1970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1970 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
RN2113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2113MFV，L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2113 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 120 @ 1mA，5V 47科姆斯
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0个项目）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭