SIC
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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
RN2113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2113ACT（TPL3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2113 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 47科姆斯
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101ACT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 6910 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1101 100兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA npn-预先偏见 150MV @ 500µA，5mA 30 @ 10mA，5V 4.7科姆斯 4.7科姆斯
2SC2705-O(TPE6,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O（tpe6，f） -
RFQ
 ECAD 4015 0.00000000 东芝半导体和存储 - （TB） 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2705 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 150 v 50 mA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 1mA，10mA 80 @ 10mA，5V 200MHz
RN1317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1317（TE85L，F） 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1317 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 10 kohms 4.7科姆斯
RN4991(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4991 （T5L，F，T） 0.0394
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4991 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz，200MHz 10KOHMS -
2SB1495,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495，Q（j -
RFQ
 ECAD 9035 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SB1495 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA（ICBO） PNP 1.5V @ 1.5mA，1.5a 2000 @ 2a，2v -
2SD2257(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257（Q，M） -
RFQ
 ECAD 9334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2257 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1.5mA，1.5a 2000 @ 2a，2v -
RN1673(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1673（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 6017 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1673 300MW US6 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V - 47kohms -
RN2971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2971fe（te85l，f） -
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2971 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 10KOHMS -
2SD2695,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695，t6f（j -
RFQ
 ECAD 2957 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SD2695 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 60 V 2 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1mA，1a 2000 @ 1A，2V 100MHz
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S16U（TE85L，F） 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 MT3S16 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 4.5dbi 5V 60mA NPN 80 @ 5mA，1V 4GHz 2.4db @ 1GHz
RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1971FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1971 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 10KOHMS -
SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU，LXHF 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-MOSVI 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 3.2A（ta） 1.5V，4.5V 93mohm @ 1.5A，4.5V 1V @ 1mA 4.7 NC @ 4.5 V +6V，-8V 290 pf @ 10 V - 500MW（TA）
2SD2695(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695（t6cano，f，m -
RFQ
 ECAD 9371 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SD2695 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 60 V 2 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1mA，1a 2000 @ 1A，2V 100MHz
RN1961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1961FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1961 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2402，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 6149 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2402 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
RN2422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2422TE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 4270 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2422 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 800 MA 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 1mA，50mA 65 @ 100mA，1V 200 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2313（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 4403 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2313 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200 MHz 47科姆斯
RN2965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2965 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SC2655-O(ND2,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O （ND2，AF） -
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2655 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
HN3C51F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-gr （TE85L，f -
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 HN3C51 300MW SM6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 300mv @ 1mA，10mA 200 @ 2mA，6v 100MHz
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1309（TE85L，F） 0.2700
RFQ
 ECAD 895 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1309 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2961fe（te85l，f） -
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2961 100MW ES6 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2610（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN2610 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 4.7kohms -
TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R004PL，LQ 0.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPH6R004 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 87A（ta），49A （TC） 4.5V，10V 6mohm @ 24.5a，10v 2.4V @ 200µA 30 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 20 V - 1.8W（ta），81W（81W）TC）
2SA1020-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y t6fjt，AF -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV，L3F 0.2300
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 SSM3J35 MOSFET （金属 o化物） VESM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 P通道 20 v （100mA）（TA） 8ohm @ 50mA，4V - 12.2 pf @ 3 V - 150MW（TA）
2SA1721OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721OTE85LF 0.1207
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SA1721 150兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 300 v 100 ma 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 2mA，20mA 30 @ 20mA，10v 50MHz
2SC5200-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O（Q） 3.0600
RFQ
 ECAD 2325 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 to-3pl 2SC5200 150 w 到3p（l） 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µA（ICBO） NPN 3V @ 800mA，8a 80 @ 1A，5V 30MHz
2SD2206(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206（te6，f，m） -
RFQ
 ECAD 7464 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SD2206 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 100 v 2 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1mA，1a 2000 @ 1A，2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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