SIC
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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
2SB1457(T6DW,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457（t6dw，f，m） -
RFQ
 ECAD 5222 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SB1457 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 100 v 2 a 10µA（ICBO） PNP 1.5V @ 1mA，1a 2000 @ 1A，2V 50MHz
TPCC8005-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpcc8005-h te12lqm -
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 TPCC8005 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.3x3.3） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 26a（26a） 4.5V，10V 6.4mohm @ 13a，10v 2.3V @ 500µA 35 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 10 V - 700MW（TA），30W（TC）
2SC5459(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5459（tojs，q，m） -
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC5459 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 400 v 3 a 100µA（ICBO） NPN 1V @ 150mA，1.2a 20 @ 300mA，5V -
TK12P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W，RQ 2.0000
RFQ
 ECAD 6704 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 500 v 11.5A（TA） 10V 340MOHM @ 5.8A，10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 pf @ 300 V - 100W（TC）
TK6R8A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK6R8A08QM，S4X 1.2100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSX-H 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 58A（TC） 6V，10V 6.8mohm @ 29a，10v 3.5V @ 500µA 39 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 40 V - 41W（TC）
TK72A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A08N1，S4X 2.2300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK72A08 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 80a（ta） 10V 4.5mohm @ 40a，10v 4V @ 1mA 175 NC @ 10 V ±20V 8200 PF @ 10 V - 45W（TC）
TK14A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A55D（sta4，Q，m） 3.1600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK14A55 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 14A（TA） 10V 370MOHM @ 7A，10V 4V @ 1mA 40 NC @ 10 V ±30V 2300 PF @ 25 V - 50W（TC）
TW083Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083Z65C，S1F 11.4500
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-247-4 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247-4L x（X） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 30A（TC） 18V 118mohm @ 15a，18v 5V @ 600µA 28 NC @ 18 V +25V，-10V 873 PF @ 400 V - 111W（TC）
RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV，L3F（ct 0.1800
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1105 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 10mA，5V 2.2 kohms 47科姆斯
2SC5171(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171（onk，Q，m） -
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC5171 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µA（ICBO） NPN 1V @ 100mA，1a 100 @ 100mA，5V 200MHz
TPC6107(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6107（TE85L，F，M） -
RFQ
 ECAD 1647年 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 TPC6107 MOSFET （金属 o化物） VS-6（2.9x2.8） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 4.5A（ta） 2V，4.5V 55mohm @ 2.2a，4.5V 1.2V @ 200µA 9.8 NC @ 5 V ±12V 680 pf @ 10 V - 700MW（TA）
HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU-Y，LF 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1A01 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 PNP （双） 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
RN1421TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1421TE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1421 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 800 MA 500NA npn-预先偏见 250mv @ 2mA，50mA 60 @ 100mA，1V 300 MHz 1 kohms 1 kohms
TW140N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW140N120C，S1F 11.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-247-3 sicfet （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 20A（TC） 18V 182Mohm @ 10a，18v 5V @ 1mA 24 NC @ 18 V +25V，-10V 691 PF @ 800 V - 107W（TC）
TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL，L1Q 1.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH1R403 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 60a（ta） 4.5V，10V 1.4mohm @ 30a，10v 2.3V @ 500µA 46 NC @ 10 V ±20V 4400 pf @ 15 V - 1.6W（TA），64W（tc）
RN2908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2908 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 22KOHMS 47kohms
2SC6010(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6010（t2mitum，FM -
RFQ
 ECAD 5872 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 SC-71 2SC6010 1 w MSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 600 v 1 a 100µA（ICBO） NPN 1V @ 75mA，600mA 100 @ 100mA，5V -
RN1410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1410，LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 9455 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1410 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2713JE（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN2713 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 47kohms -
RN2109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2109ACT（TPL3） 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2109 100兆 CST3 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 47科姆斯 22 KOHMS
SSM3K361R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R，LXHF 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 SOT-23-3平线 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3.5A（ta） 4.5V，10V 69mohm @ 2a，10v 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 V ±20V 430 pf @ 15 V - 1.2W（TA）
2SC5819(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5819（TE12L，ZF） -
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 东芝半导体和存储 - 盒子 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 1 w PW-Mini 下载 Ear99 8541.29.0095 1 20 v 1.5 a 100NA（ICBO） NPN 120mv @ 10mA，500mA 400 @ 150mA，2V -
RN2905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905，LXHF（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2905 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SC4793,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793，YHF （M -
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC4793 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA（ICBO） NPN 1.5V @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，5V 100MHz
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-R（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC5095 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 13db〜7.5dB 10V 15mA NPN 50 @ 7mA，6v 10GHz 1.8dB @ 2GHz
2SD2257(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257（Q，M） -
RFQ
 ECAD 9334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2257 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1.5mA，1.5a 2000 @ 2a，2v -
TK40E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E06N1，S1X 1.0400
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK40E06 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 40a（ta） 10V 10.4mohm @ 20a，10v 4V @ 300µA 23 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 30 V - 67W（TC）
XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPJR6604PB，LXHQ 2.7700
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-MOSIX-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 5-Powersfn MOSFET （金属 o化物） S-TOGL™ - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 200a（200a） 6V，10V 0.66mohm @ 100A，10V 3V @ 1mA 128 NC @ 10 V ±20V 11380 pf @ 10 V - 375W（TC）
2SA1586-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SA1586 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-y Q） -
RFQ
 ECAD 1152 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-251-3，IPAK，TO-251AA 2SA1244 1 w PW-MOLD - （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 200 50 V 5 a 1µA（ICBO） PNP 400mv @ 150mA，3a 120 @ 1A，1V 60MHz
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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