晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
TK9A65W,S5X	2.2200	询价	1169	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK9A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	9.3A（塔）	10V	500毫欧@4.6A，10V	3.5V@350μA	20nC@10V	±30V	700 pF @ 300 V	-	30W（温度）
2SD2695(T6CNO,A,F)	-	询价	5381	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SD2695		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1														60V	2A	10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1mA，1A	2000 @ 1A，2V	100兆赫兹
TK35E08N1,S1X	1.1500	询价	50	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK35E08	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		80V	55A（温度）	10V	12.2毫欧@17.5A，10V	4V@300μA	25nC@10V	±20V	1700 pF @ 40 V	-	72W（温度）
2SC2714-Y(TE85L,F)	0.4400	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2714		100毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			23分贝											30V	20毫安		NPN		100@1mA，6V	550兆赫			2.5dB@100MHz
TK14C65W5,S1Q	-	询价	2691	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	TK14C65	MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	13.7A（塔）	10V	300毫欧@6.9A，10V	4.5V@690μA	40nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（温度）
2SA1987-O(Q)	3.4500	询价	1	东芝半导体和存储	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3PL	2SA1987		180W	TO-3P(L)	下载	符合ROHS3标准	不适用	EAR99	8541.29.0075	100														230伏	15A	5μA（ICBO）	国民党	3V@800mA，8A	80@1A，5V	30兆赫兹
TK32A12N1,S4X	1.4000	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK32A12	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		120V	32A（温度）	10V	13.8毫欧@16A，10V	4V@500μA	34nC@10V	±20V	2000pF@60V	-	30W（温度）
TPC6008-H(TE85L,FM	-	询价	7556	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6008	MOSFET（金属O化物）		VS-6 (2.9x2.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		30V	5.9A（塔）	4.5V、10V	60mOhm@3A，10V	2.3V@100μA	4.8nC@10V	±20V	300pF@10V	-	700毫W（塔）
SSM3J133TU，LF	0.4600	询价	71	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J133	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	5.5A（塔）	1.5V、4.5V	29.8毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@4.5V	±8V	10V时为840pF	-	500毫W（塔）
2SJ610(TE16L1,NQ)	-	询价	7676	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SJ610	MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道		250伏	2A（塔）	10V	2.55欧姆@1A，10V	3.5V@1mA	24nC@10V	±20V	10V时为381pF	-	20W（塔）
TPCC8A01-H(TE12LQM	-	询价	4142	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TPCC8A01	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	21A（塔）	4.5V、10V	9.9毫欧@10.5A，10V	2.3V@1mA	20nC@10V	±20V	1900pF@10V	-	700mW（Ta）、30W（Tc）
SSM3K341TU,LXHF	0.5900	询价	2	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	3-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	6A（塔）	4V、10V	36mOhm@4A，10V	2.5V@100μA	9.3nC@10V	±20V	550pF@10V	-	1W（塔）
SSM3K318R，LF	0.4300	询价	710	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K318	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	2.5A（塔）	4.5V、10V	107毫欧@2A，10V	2.8V@1mA	7nC@10V	±20V	235pF@30V	-	1W（塔）
TK5Q65W,S1Q	1.2700	询价	75	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	TK5Q65	MOSFET（金属O化物）		爱帕克	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		650伏	5.2A（塔）	10V	1.22欧姆@2.6A，10V	3.5V@170μA	10V时为10.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	60W（温度）
RN2504(TE85L,F)	0.4800	询价	第247章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN2504		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
SSM6P35AFE，LF	0.4200	询价	10	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6P35	MOSFET（金属O化物）	150毫W（塔）	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）			20V	250mA（塔）		1.4欧姆@150mA，4.5V	1V@100μA	-		42pF@10V	逻辑电平门，1.2V驱动
2SC4935-Y,Q(J	-	询价	8469	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4935		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1														50V	3A	1μA（ICBO）	NPN	600mV@200mA，2A	70@500mA，2V	80兆赫
TPHR8504PL,L1Q	1.9400	询价	5381	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPHR8504	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	150A（温度）	4.5V、10V	0.85mOhm@50A，10V	2.4V@1mA	10V时为103nC	±20V	9600pF@20V	-	1W（Ta）、170W（Tc）
SSM6J53FE(TE85L,F)	-	询价	2682	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6J53	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道		20V	1.8A（塔）	1.5V、2.5V	136mOhm@1A，2.5V	1V@1mA	10.6nC@4V	±8V	568pF@10V	-	500毫W（塔）
SSM6J213FE(TE85L,F	0.4700	询价	8736	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6J213	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道		20V	2.6A（塔）	1.5V、4.5V	103毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.7nC@4.5V	±8V	290pF@10V	-	500毫W（塔）
TK65S04N1L,LQ	2.0100	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK65S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		40V	65A（塔）	10V	4.3毫欧@32.5A，10V	2.5V@300μA	39nC@10V	±20V	2550pF@10V	-	107W（温度）
XPN7R104NC,L1XHQ	1.2500	询价	9396	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	XPN7R104	MOSFET（金属O化物）		8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	20A（塔）	4.5V、10V	7.1毫欧@10A、10V	2.5V@200μA	21nC@10V	±20V	1290pF@10V	-	840mW（Ta）、65W（Tc）
RN2605(TE85L,F)	0.4700	询价	12	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN2605		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
TPN2R203NC,L1Q	1.2200	询价	19号	东芝半导体和存储	U-MOSVIII	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN2R203	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	45A（温度）	10V	2.2毫欧@22.5A，10V	2.3V@500μA	34nC@10V	±20V	15V时为2230pF	-	700mW（Ta）、42W（Tc）
2SC4915-Y，LF	0.4400	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC4915		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			17分贝～23分贝											30V	20毫安		NPN		100@1mA，6V	550兆赫			2.3dB~5dB@100MHz
RN2307(TE85L,F)	-	询价	3221	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2307		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	47欧姆
RN2108,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2108		100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	47欧姆
TPH8R80ANH,L1Q	1.7900	询价	30	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH8R80	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		100伏	32A（温度）	10V	8.8毫欧@16A，10V	4V@500μA	33nC@10V	±20V	2800pF@50V	-	1.6W（Ta）、61W（Tc）
TK3P80E,RQ	1.1500	询价	4414	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		800V	3A（塔）	10V	4.9欧姆@1.5A，10V	4V@300μA	12nC@10V	±30V	500pF@25V	-	80W（温度）
TPH4R50ANH1,LQ	1.5400	询价	8	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5.75)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		100伏	92A（温度）	10V	4.5毫欧@46A，10V	4V@1mA	58nC@10V	±20V	5200pF@50V	-	800毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²