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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TK14A55D（sta4，Q，m）	3.1600	RFQ	50	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK14A55	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	550 v	14A（TA）	10V	370MOHM @ 7A，10V	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	50W（TC）
RN1902FE，LF（ct	0.3400	RFQ	22	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1902		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	250MHz	10KOHMS	1KOHMS
2SA1869-y，Q（j	-	RFQ	3028	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1869		10 W	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1													50 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	600mv @ 200mA，2a	70 @ 500mA，2V	100MHz
RN1103ACT（TPL3）	-	RFQ	8929	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN1103		100兆	CST3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000													50 V	80 ma	500NA	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V		22 KOHMS	22 KOHMS
RN4986，LXHF（ct	0.4400	RFQ	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4986		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	4.7kohms	47kohms
RN1961FE（TE85L，F）	-	RFQ	8974	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1961		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	4.7kohms
2SC5354，TOJSQ o	-	RFQ	2914	东芝半导体和存储	*	管子	积极的				2SC5354				下载	Rohs符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50
SSM3J306T（TE85L，F）	-	RFQ	5083	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J306	MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	2.4A（TA）	4V，10V	117MOHM @ 1A，10V	-	2.5 NC @ 15 V	±20V	280 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
TK30A06N1，S4X	0.9300	RFQ	4866	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK30A06	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	30A（TC）	10V	15mohm @ 15a，10v	4V @ 200µA	16 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 30 V	-	25W（TC）
HN1C01F-gr （TE85L，f	-	RFQ	7146	东芝半导体和存储	-	（CT）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	HN1C01		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	150mA	100NA（ICBO）	2 NPN （双）	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	800MHz
RN2404TE85LF	-	RFQ	6084	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2404		200兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	47科姆斯	47科姆斯
TK20C60W，S1VQ	-	RFQ	8691	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	TK20C60	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	20A（TA）	10V	155mohm @ 10a，10v	3.7V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±30V	1680 PF @ 300 V	-	165W（TC）
2SA949-y，onk-1f（j	-	RFQ	3985	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA949		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1													150 v	50 mA	100NA（ICBO）	PNP	800mv @ 1mA，10a	70 @ 10mA，5V	120MHz
RN4903FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4903		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	22KOHMS	22KOHMS
RN1401，LXHF	0.3400	RFQ	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1401		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
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SSM6N58NU，LF	0.4600	RFQ	139	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6N58	MOSFET （金属 o化物）	1W	6-udfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	4a		84mohm @ 2A，4.5V	1V @ 1mA	1.8NC @ 4.5V		129pf @ 15V	逻辑水平门，1.8V
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RN4902，LF（ct	0.2800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4902		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	10KOHMS
HN1A01F-y te85l，f）	-	RFQ	3952	东芝半导体和存储	-	（CT）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	HN1A01		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	150mA	100NA（ICBO）	2 PNP （双）	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
RN2908FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN2908		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	22KOHMS	47kohms
TK7A60W5，S5VX	1.6400	RFQ	100	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK7A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	7a（ta）	10V	650MOHM @ 3.5A，10V	4.5V @ 350µA	16 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 300 V	-	30W（TC）
TK16J60W5，S1VQ	5.2000	RFQ	32	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK16J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	15.8A（TA）	10V	230MOHM @ 7.9A，10V	4.5V @ 790µA	43 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
RN1968FE（TE85L，F）	-	RFQ	5591	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1968		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	22KOHMS	47kohms
TK13A45D（sta4，Q，m）	2.4700	RFQ	9513	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK13A45	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	13A（TA）	10V	460MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 25 V	-	45W（TC）
RN2103 （T5L，F，T）	0.2800	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN2103		100兆	SSM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
SSM6N44FE，LM	0.4300	RFQ	111	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6N44	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（双）		30V	100mA		4ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-		8.5pf @ 3V	逻辑级别门
2SC2235-y t6canofm	-	RFQ	1780年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	2SC2235YT6CANOFM	Ear99	8541.21.0075	1													120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
TK5A65W，S5X	1.6000	RFQ	1655年	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK5A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	5.2a（ta）	10V	1.2OHM @ 2.6a，10V	3.5V @ 170µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 300 V	-	30W（TC）
RN4609（TE85L，F）	0.4800	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	RN4609		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz	47kohms	22KOHMS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²