SIC
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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 配置 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f） （ID） - 最大
2SD2257(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257（Q，M） -
RFQ
 ECAD 9334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2257 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1.5mA，1.5a 2000 @ 2a，2v -
2SB1375,CLARIONF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1375，Clarionf （m -
RFQ
 ECAD 5769 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SB1375 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 60 V 3 a 10µA（ICBO） PNP 1.5V @ 200mA，2a 100 @ 500mA，5V 9MHz
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-R（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC5095 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 13db〜7.5dB 10V 15mA NPN 50 @ 7mA，6v 10GHz 1.8dB @ 2GHz
RN1101MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV，L3F 0.0261
RFQ
 ECAD 9895 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOT-723 RN1101 150兆 VESM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 30 @ 10mA，5V 4.7科姆斯 4.7科姆斯
2SA1930,CKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930，CKQ（j -
RFQ
 ECAD 9881 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1930 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µA（ICBO） PNP 1V @ 100mA，1a 100 @ 100mA，5V 200MHz
RN1968(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1968 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 47kohms
RN2905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905，LXHF（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2905 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SC3665-Y(T2NSW,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-y t2nsw，FM -
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 SC-71 2SC3665 1 w MSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
TK40E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E06N1，S1X 1.0400
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK40E06 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 40a（ta） 10V 10.4mohm @ 20a，10v 4V @ 300µA 23 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 30 V - 67W（TC）
HN3C51F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-gr （TE85L，f -
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 HN3C51 300MW SM6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 300mv @ 1mA，10mA 200 @ 2mA，6v 100MHz
2SC4793,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793，YHF （M -
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC4793 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA（ICBO） NPN 1.5V @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，5V 100MHz
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-y te85l，f） 0.4900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SK208 100兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 8.2pf @ 10V 50 V 1.2 ma @ 10 V 400 mv @ 100 na 6.5 MA
2SA2059(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2059（TE12L，F） 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA 1 w PW-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 20 v 3 a 100NA（ICBO） PNP 190MV @ 53mA，1.6a 200 @ 500mA，2V -
TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X，LQ 5.3300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSIV-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK31V60 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 30.8A（TA） 10V 98mohm @ 9.4a，10V 3.5V @ 1.5mA 65 NC @ 10 V ±30V 3000 PF @ 300 V - 240W（TC）
2SC2229-O(MIT1F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O（MIT1F，M） -
RFQ
 ECAD 5931 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2229 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 1mA，10mA 70 @ 10mA，5V 120MHz
2SA1020-Y(T6TR1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y t6tr1，AF -
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S16U（TE85L，F） 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 MT3S16 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 4.5dbi 5V 60mA NPN 80 @ 5mA，1V 4GHz 2.4db @ 1GHz
RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4603（TE85L，F） 0.3800
RFQ
 ECAD 7481 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN4603 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 22KOHMS 22KOHMS
2SA1586-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SA1586 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110ACT（TPL3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2110 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 4.7科姆斯
TK8Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q60W，S1VQ 2.4800
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK TK8Q60 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 75 n通道 600 v 8a（8a） 10V 500MOHM @ 4A，10V 3.7V @ 400µA 18.5 NC @ 10 V ±30V 570 pf @ 300 V - 80W（TC）
TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD，L1Q 0.8500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPN4R712 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 20 v 36a（TC） 2.5V，4.5V 4.7MOHM @ 18A，4.5V 1.2V @ 1mA 65 NC @ 5 V ±12V 4300 PF @ 10 V - 42W（TC）
RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV，L3F 0.1700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1104 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 10mA，5V 47科姆斯 47科姆斯
RN1970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1970 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R3E08QM，S1X 2.3500
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSX-H 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 120A（TC） 6V，10V 3.3mohm @ 50a，10v 3.5V @ 1.3mA 110 NC @ 10 V ±20V 7670 pf @ 40 V - 230W（TC）
2SC6026CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-Y（TPL3） -
RFQ
 ECAD 7438 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-101，SOT-883 2SC6026 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 60MHz
SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P40TU，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 3853 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6P40 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 1.4a（ta） 226mohm @ 1A，10V 2V @ 1mA 2.9nc @ 10V 120pf @ 15V 逻辑水平门，4V驱动器
2SA1020-O(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O（M）（m） -
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04F te85l，f） -
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 HN1B04 300MW SM6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 250mv @ 10mA，100mA 70 @ 100mA，1V 200MHz
2SC2229-Y(SHP,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y shp，f，m） -
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2229 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 1mA，10mA 70 @ 10mA，5V 120MHz
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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