晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TK4A60DA(STA4,Q,M)	-	询价	8479	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK4A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	3.5A（塔）	10V	2.2欧姆@1.8A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	490pF@25V	-	-
2SC4793，HFEF(M	-	询价	4903	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4793			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1															230伏	1A								1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
RN1416，LF	0.2000	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1416			200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安								500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
RN4907FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4907			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000															50V	100毫安								500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	10k欧姆	47k欧姆
2SA1586-Y,LF	0.1800	询价	53	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SA1586			100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	150毫安								100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
SSM6N62TU,LXHF	0.4600	询价	1	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N62		MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			20V	800mA（塔）		85毫欧@800mA，4.5V	1V@1mA	2nC@4.5V		177pF@10V	逻辑电平门，1.2V驱动
2SC3669-Y,T2PASF(M	-	询价	5810	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3669			1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1															80V	2A								1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SA2154MFVGR，L3F	0.1900	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	2SA2154			150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000															50V	150毫安								100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
TK160F10N1L,LQ	2.8400	询价	第1592章	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK160F10		MOSFET（金属O化物）		TO-220SM(W)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100伏	160A（塔）	6V、10V	2.4毫欧@80A，10V	3.5V@1mA	122nC@10V	±20V	10V时为10100pF	-	375W（温度）
RN1108(T5L,F,T)	0.2300	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1108			100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安								500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	47欧姆
RN2103(T5L,F,T)	0.2800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2103			100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安								500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	22欧姆
2SA1020-Y,T6KEHF(M	-	询价	1707	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1															50V	2A								1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN2904FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2904			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000															50V	100毫安								500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
SSM6N7002KFU,LXH	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N7002		MOSFET（金属O化物）	285毫W（塔）	美国6号	下载		1（无限制）	264-SSM6N7002KFULXHCT	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			60V	300mA（塔）		1.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.6nC@4.5V		40pF@10V	-
2SA1162-GR,LXHF	0.3900	询价	第454章	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	150毫安								100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
2SK880-BL(TE85L,F)	0.5900	询价	14	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SK880			100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道									13pF@10V										50V	6毫安@10伏	1.5V@100nA
2SC2655-Y,T6APNF(M	-	询价	3058	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1															50V	2A								1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
SSM6P15FE(TE85L,F)	0.4200	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6P15		MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）			30V	100毫安		12欧姆@10mA，4V	1.7V@100μA	-		9.1pF@3V	逻辑电平门
2SC6100，低频	0.5300	询价	42	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	2SC6100			500毫W	UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	2.5安								100nA（ICBO）	NPN	140mV@20mA，1A	400@300mA，2V	-
TPC8221-H,LQ(S	-	询价	第1370章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPC8221		MOSFET（金属O化物）	450毫W	8-SOP	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）			30V	6A		25毫欧@3A，10V	2.3V@100μA	12nC@10V		830pF@10V	-
RN2114(TE85L,F)	0.2800	询价	5009	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2114			100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安								500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	1欧姆	10欧姆
RN2307,LXHF	0.3900	询价	2595	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2307			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安								500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	47欧姆
RN4902,LF(CT	0.2800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4902			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安								500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
TTA1452B，S4X	1.9800	询价	9235	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				2W	TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50															80V	12A								5μA（ICBO）	国民党	400mV@300mA，6A	120@1A，1V	50兆赫
2SC5201,T6MURAF(J	-	询价	3172	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC5201			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1															600伏	50毫安								1μA（ICBO）	NPN	1V@500mA、20mA	100@20mA，5V	-
2SC5171，MATUDQ（J）	-	询价	1872年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC5171			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1															180伏	2A								5μA（ICBO）	NPN	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
GT50JR21(STA1,E,S)	4.7900	询价	6501	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		230W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-GT50JR21(STA1ES)	EAR99	8541.29.0095	25			-											-	600伏	50A	100A	2V@15V，50A	-	-
2SD2206(TE6,F,M)	-	询价	7464	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SD2206			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1															100伏	2A								10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1mA，1A	2000 @ 1A，2V	100兆赫兹
RN4907，LF	0.2800	询价	3821	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4907			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安								500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
2SC3326-A，LF	0.4000	询价	78	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC3326			150毫W	TO-236	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															20V	300毫安								100nA（ICBO）	NPN	100毫伏@3毫安，30毫安	200@4mA，2V	30兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²