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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
TK12P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W，RQ 2.0000
RFQ
 ECAD 6704 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 500 v 11.5A（TA） 10V 340MOHM @ 5.8A，10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 pf @ 300 V - 100W（TC）
TPN1200APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1200APL，L1Q 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 40a（TC） 4.5V，10V 11.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 300µA 24 NC @ 10 V ±20V 1855 PF @ 50 V - 630MW（ta），104W（tc）
TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W，LQ 3.4800
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 13.7A（TA） 10V 280MOHM @ 6.9a，10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 PF @ 300 V - 139W（TC）
TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105，L1Q 0.8200
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.3x3.3） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 30 V 23a（23A） 4.5V，10V 7.8mohm @ 11.5a，10v 2V @ 500µA 76 NC @ 10 V +20V，-25V 3240 pf @ 10 V - 700MW（TA），30W（TC）
2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O （S1，f 3.0100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 to-3pl 150 w 到3p（l） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 230 v 15 a 5µA（ICBO） NPN 3V @ 800mA，8a 55 @ 1A，5V 30MHz
GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR21（sta1，E，S） 4.7900
RFQ
 ECAD 6501 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 标准 230 w to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-GT50JR21（STA1ES） Ear99 8541.29.0095 25 - - 600 v 50 a 100 a 2V @ 15V，50a - -
SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT，L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SC-101，SOT-883 MOSFET （金属 o化物） CST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 P通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 12ohm @ 10mA，4V 1.7V @ 100µA ±20V 9.1 PF @ 3 V - 100mW（TA）
RN2313,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2313，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 4580 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2313 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200 MHz 47科姆斯
TK5P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W，RQ 1.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） DPAK - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 5.2a（ta） 10V 1.22OHM @ 2.6a，10V 3.5V @ 170µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 V - 60W（TC）
SSM6K824R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K824R，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2947 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6K824 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6a（6a） 1.5V，4.5V 33MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 3.6 NC @ 4.5 V ±8V 410 pf @ 10 V - 1.5W（TA）
SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R，LF 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6J808 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 7a（ta） 4V，10V 35mohm @ 2.5a，10v 2V @ 100µA 24.2 NC @ 10 V +10V，-20V 1020 pf @ 10 V - 1.5W（TA）
SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P816R，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6P816 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 6a（6a） 30.1MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 16.6nc @ 4.5V 1030pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
TPC8228-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8228-H，LQ -
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TPC8228 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 8-sop 下载 264-TPC8228-HLQTR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 3.8a 57MOHM @ 1.9A，10V 2.3V @ 100µA 11NC @ 10V 640pf @ 10V -
RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103，lf（Ct 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1103 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
2SC6000(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6000（TE16L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SC6000 20 w PW-MOLD - 264-2SC6000（TE16L1NQ）TR Ear99 8541.29.0095 2,000 50 V 7 a 100NA（ICBO） NPN 180MV @ 83mA，2.5a 250 @ 2.5a，2V -
TK100E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E08N1，S1X 3.9800
RFQ
 ECAD 7657 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK100E08 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 100A（TA） 10V 3.2MOHM @ 50a，10v 4V @ 1mA 130 NC @ 10 V ±20V 9000 PF @ 40 V - 255W（TC）
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965FE（TE85L，F） 0.1000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1965 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
2SC6139,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6139，T2F （M -
RFQ
 ECAD 7133 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 SC-71 2SC6139 1 w MSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 160 v 1.5 a 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，500mA 140 @ 100mA，5V 100MHz
HN1C01FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y t5l，f，t -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1C01 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 250mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
RN2905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905，LF（ct 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2905 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN1966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1966FE（TE85L，F） 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1966 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306，LF 0.1900
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2306 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
RN2704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2704JE（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN2704 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 47kohms
TK11P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11P65W，RQ 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK11P65 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 11.1a（ta） 10V 440MOHM @ 5.5A，10V 3.5V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 pf @ 300 V - 100W（TC）
2SC6010(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6010（t2mitum，FM -
RFQ
 ECAD 5872 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 SC-71 2SC6010 1 w MSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 600 v 1 a 100µA（ICBO） NPN 1V @ 75mA，600mA 100 @ 100mA，5V -
2SC4883A Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4883A -
RFQ
 ECAD 7097 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 2SC4883 - Rohs符合条件 （1 （无限） 2SC4883ATS 0000.00.0000 50
RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416，LF 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1416 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
TTA1943(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTA1943（Q） 2.7000
RFQ
 ECAD 567 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 to-3pl TTA1943 150 w 到3p（l） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µA（ICBO） PNP 3V @ 800mA，8a 80 @ 1A，5V 30MHz
RN1411,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1411，LF 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1411 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 10 kohms
2SC5066-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5066-O，LF -
RFQ
 ECAD 9564 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-75，SOT-416 2SC5066 100MW SSM - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 30mA NPN 80 @ 10mA，5V 7GHz 1dB @ 500MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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