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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SC6076（TE16L1，NV）	0.6300	RFQ	7769	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SC6076			10 W	PW-MOLD	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	2,000															80 V	3 a					1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	180 @ 500mA，2V	150MHz
2SC4793 lbsan，f，m）	-	RFQ	3354	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC4793			2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1															230 v	1 a					1µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
RN2113ACT（TPL3）	0.0527	RFQ	10	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN2113			100兆	CST3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000															50 V	80 ma					100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V		47科姆斯
2SC5201，t6f（j	-	RFQ	4968	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC5201			900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1															600 v	50 mA					1µA（ICBO）	NPN	1V @ 500mA，20mA	100 @ 20mA，5V	-
SSM6N357R，LF	0.4100	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6N357		MOSFET （金属 o化物）	1.5W（TA）	6-TSOP-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			60V	650mA（TA）		1.8ohm @ 150mA，5V	2V @ 1mA	1.5NC @ 5V		60pf @ 12V	-
RN2308（TE85L，F）	0.2700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN2308			100兆	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma					500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
TK3R1P04PL，RQ	1.1600	RFQ	14	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK3R1P04		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	58A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 29A，10V	2.4V @ 500µA	60 NC @ 10 V	±20V	4670 pf @ 20 V	-	87W（TC）
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RN2110CT（TPL3）	-	RFQ	1745年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN2110			50兆	CST3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000															20 v	50 mA					100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	300 @ 1mA，5v		4.7科姆斯
TK3P80E，RQ	1.1500	RFQ	4414	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		800 v	3A（3A）	10V	4.9ohm @ 1.5A，10V	4V @ 300µA	12 nc @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	80W（TC）
RN2407，LF	0.1900	RFQ	2430	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2407			200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma					500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	10 kohms	47科姆斯
gt40wr21，q	11.0200	RFQ	7358	东芝半导体和存储	-	托盘	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		375 w	to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	100			-											-	1350 v	40 a	80 a	5.9V @ 15V，40a	-	-
SSM6N58NU，LF	0.4600	RFQ	139	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6N58		MOSFET （金属 o化物）	1W	6-udfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	4a		84mohm @ 2A，4.5V	1V @ 1mA	1.8NC @ 4.5V		129pf @ 15V	逻辑水平门，1.8V
TK28A65W，S5X	5.0100	RFQ	34	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK28A65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	27.6a（ta）	10V	110MOHM @ 13.8A，10V	3.5V @ 1.6mA	75 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	45W（TC）
TK12J60W，S1VE s	-	RFQ	8348	东芝半导体和存储	-	托盘	积极的	150°C	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK12J60		MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	-		（1 （无限）	264-TK12J60WS1VE s	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	11.5A（TA）	10V	300MOHM @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	110W（TC）
TW140Z120C，S1F	10.2200	RFQ	120	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-4			SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-247-4L x（X）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	20A（TC）	18V	191MOHM @ 10a，18v	5V @ 1mA	24 NC @ 18 V	+25V，-10V	691 PF @ 800 V	-	107W（TC）
RN2402，LF	0.2200	RFQ	6149	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2402			200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma					500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
TPN6R003NL，LQ	0.8800	RFQ	9982	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN6R003		MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	27a（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 13.5a，10v	2.3V @ 200µA	17 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 15 V	-	700MW（TA），32W （TC）
2SA1955FVATPL3Z	0.2000	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	2SA1955			100兆	CST3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	8,000															12 v	400 MA					100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 10mA，200mA	300 @ 10mA，2V	130MHz
RN1704，LF	0.3000	RFQ	210	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	RN1704			200MW	USV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000															50V	100mA					500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
RN4907 （T5L，F，T）	-	RFQ	8660	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4907			200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000															50V	100mA					100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	47kohms
TK170V65Z，LQ	3.6700	RFQ	2	东芝半导体和存储	dtmosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫	TK170V65		MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		650 v	18A（18A）	10V	170MOHM @ 9A，10V	4V @ 730µA	29 NC @ 10 V	±30V	1635 PF @ 300 V	-	150W（TC）
TPCA8105（te12l，Q，m	-	RFQ	5105	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8105		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		12 v	6a（6a）	1.8V，4.5V	33mohm @ 3A，4.5V	1.2V @ 200µA	18 nc @ 5 V	±8V	1600 PF @ 10 V	-	1.6W（TA），20W（tc）
SSM3J145TU，LF	0.3800	RFQ	7	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J145		MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	3A（3A）	1.5V，4.5V	103MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 1mA	4.6 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	270 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TK16A60W，S4X	2.3741	RFQ	4531	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		通过洞	TO-220-3完整包	TK16A60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	TK16A60WS4X	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	15.8A（TA）	10V	190mohm @ 7.9a，10v	3.7V @ 790µA	40 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	40W（TC）
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tpc6008-h te85l，FM	-	RFQ	7556	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	TPC6008		MOSFET （金属 o化物）		VS-6（2.9x2.8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		30 V	5.9a（ta）	4.5V，10V	60mohm @ 3a，10v	2.3V @ 100µA	4.8 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
RN4989FE，LF（ct	0.2400	RFQ	8519	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4989			100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	4,000															50V	100mA					500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	47kohms	22KOHMS
TK35A65W5，S5X	6.3000	RFQ	7564	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK35A65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	35A（TA）	10V	95MOHM @ 17.5A，10V	4.5V @ 2.1mA	115 NC @ 10 V	±30V	4100 PF @ 300 V	-	50W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²