晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
RN2312(TE85L,F)	0.2700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2312		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	22欧姆
TPWR6003PL,L1Q	3.0600	询价	第458章	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerWDFN	TPWR6003	MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	150A（温度）	4.5V、10V	0.6毫欧@50A，10V	2.1V@1mA	110nC@10V	±20V	10000pF@15V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
2SC2235-Y(T6CN,A,F	-	询价	3118	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
SSM6N7002BFU(T5L,F	-	询价	3812	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N7002	MOSFET（金属O化物）	300毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		60V	200毫安		2.1欧姆@500mA，10V	3.1V@250μA	-		17pF@25V	逻辑电平门
SSM3K16CT(TPL3)	0.0571	询价	2573	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	不适合新设计	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K16	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道	20V	100mA（塔）	1.5V、4V	3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA		±10V	9.3pF@3V	-	100毫W（塔）
RN1116(TE85L,F)	0.2800	询价	73	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1116		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
SSM6N58NU，LF	0.4600	询价	139	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6N58	MOSFET（金属O化物）	1W	6-UDFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	4A		84毫欧@2A，4.5V	1V@1mA	1.8nC@4.5V		129pF@15V	逻辑电平门，1.8V驱动
TPCP8203(TE85L,F)	-	询价	5326	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCP8203	MOSFET（金属O化物）	360毫W	PS-8 (2.9x2.4)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		40V	4.7A		-	2.5V@1mA	-		-	-
TJ20S04M3L(T6L1,NQ	1.3300	询价	9822	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ20S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道	40V	20A（塔）	6V、10V	22.2毫欧@10A、10V	3V@1mA	37nC@10V	+10V，-20V	1850pF@10V	-	41W（温度）
RN4982FE,LF(CT	0.2700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4982		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
RN1418(TE85L,F)	0.3400	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1418		200毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	10欧姆
SSM6K781G，LF	0.5100	询价	850	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-UFBGA、WLCSP	SSM6K781	MOSFET（金属O化物）		6-WCSPC (1.5x1.0)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	12V	7A（塔）	1.5V、4.5V	18毫欧@1.5A，4.5V	1V@250μA	5.4nC@4.5V	±8V	6V时600pF	-	1.6W（塔）
TJ40S04M3L,LXHQ	1.0800	询价	9632	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ40S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道	40V	40A（塔）	6V、10V	9.1毫欧@20A，10V	3V@1mA	83nC@10V	+10V，-20V	10V时为4140pF	-	68W（温度）
2SA1869-Y,Q(J	-	询价	3028	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1869		10W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													50V	3A	1μA（ICBO）	国民党	600mV@200mA，2A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SA2059(TE12L,F)	0.6300	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W	PW-MINI	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,000													20V	3A	100nA（ICBO）	国民党	190mV@53mA，1.6A	200@500mA，2V	-
2SJ360(TE12L,F)	-	询价	7247	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SJ360	MOSFET（金属O化物）		PW-MINI	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1,000		P沟道	60V	1A（塔）	4V、10V	730毫欧@500mA，10V	2V@1mA	6.5nC@10V	±20V	155pF@10V	-	500毫W（塔）
RN2905FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2905		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN2111ACT(TPL3)	0.0527	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2111		100毫W	CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	80毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@1mA，5V		10欧姆
2SA949-Y(T6JVC1,FM	-	询价	6789	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA949		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													150伏	50毫安	100nA（ICBO）	国民党	800mV@1mA，10A	70@10mA，5V	120兆赫
RN4901FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4901		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
RN1906FE,LF(CT	0.2400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1906		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
2SK2995(女)	-	询价	9943	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SK2995	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)IS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	250伏	30A（塔）	10V	68毫欧@15A，10V	3.5V@1mA	132nC@10V	±20V	5400pF@10V	-	90W（温度）
SSM6N7002BFU，LF	-	询价	3756	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N7002	MOSFET（金属O化物）	300毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		60V	200毫安		2.1欧姆@500mA，10V	3.1V@250μA	-		17pF@25V	逻辑电平门
TK1P90A,LQ(CO	-	询价	9799	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK1P90	MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK1P90ALQ(CO	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	900伏	1A（塔）	10V	9欧姆@500mA，10V	4V@1mA	13nC@10V	±30V	320pF@25V	-	20W（温度）
SSM6K403TU，LF	0.4900	询价	6811	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6K403	MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	4.2A（塔）	1.5V、4V	28毫欧@3A、4V	1V@1mA	16.8nC@4V	±10V	1050pF@10V	-	500毫W（塔）
RN1411,LF	0.1900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1411		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10欧姆
RN2106(T5L,F,T)	-	询价	3234	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2106		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	47欧姆
RN1416,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1416		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
SSM5H12TU(TE85L,F)	-	询价	5864	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD（5 英尺），浅浅	SSM5H12	MOSFET（金属O化物）		超短波病毒	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	1.9A（塔）	1.8V、4V	133mOhm@1A，4V	1V@1mA	1.9nC@4V	±12V	123pF@15V	肖特基分散（隔离）	500毫W（塔）
TK28A65W,S5X	5.0100	询价	34	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK28A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	27.6A（塔）	10V	110毫欧@13.8A，10V	3.5V@1.6mA	75nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	45W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²