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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
TPH9R00CQH，LQ	2.0000	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	264-TPH9R00CQHLQTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		150 v	64A（TC）	8V，10V	9mohm @ 32a，10v	4.3V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 75 V	-	960MW（TA），210W （TC）
TK090Z65Z，S1F	6.3200	RFQ	25	东芝半导体和存储	dtmosvi	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-4			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L（t）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		650 v	30a（TA）	10V	90mohm @ 15a，10v	4V @ 1.27mA	47 NC @ 10 V	±30V	2780 pf @ 300 V	-	230W（TC）
TW027N65C，S1F	22.7000	RFQ	4982	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	58A（TC）	18V	37mohm @ 29a，18v	5V @ 3mA	65 NC @ 18 V	+25V，-10V	2288 PF @ 400 V	-	156W（TC）
TW048N65C，S1F	16.3200	RFQ	17	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	40a（TC）	18V	65mohm @ 20a，18v	5V @ 1.6mA	41 NC @ 18 V	+25V，-10V	1362 PF @ 400 V	-	132W（TC）
TW140N120C，S1F	11.3700	RFQ	10	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	20A（TC）	18V	182Mohm @ 10a，18v	5V @ 1mA	24 NC @ 18 V	+25V，-10V	691 PF @ 800 V	-	107W（TC）
TW107N65C，S1F	9.6200	RFQ	96	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	20A（TC）	18V	145mohm @ 10a，18v	5V @ 1.2mA	21 NC @ 18 V	+25V，-10V	600 pf @ 400 V	-	76W（TC）
TW015N120C，S1F	68.0400	RFQ	2613	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	100A（TC）	18V	20mohm @ 50a，18v	5V @ 11.7mA	158 NC @ 18 V	+25V，-10V	6000 PF @ 800 V	-	431W（TC）
TDTC143Z，LM	0.1800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TDTC143			320兆W	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma					500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
TK8A25DA，S4X	0.9000	RFQ	40	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	7.5A（ta）	10V	500MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 100 V	-	30W（TC）
TK5P60W5，RVQ	1.3300	RFQ	1789年	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		600 v	4.5A（ta）	10V	990MOHM @ 2.3A，10V	4.5V @ 230µA	11.5 NC @ 10 V	±30V	370 pf @ 300 V	-	60W（TC）
2SC2873-y te12l，ZC	0.4200	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				500兆	PW-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1,000																50 V	2 a					100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	120MHz
TPW2R508NH，L1Q	2.8100	RFQ	1661年	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-dsop提前	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		75 v	150a（ta）	10V	2.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±20V	6000 PF @ 37.5 V	-	800MW（TA），142W （TC）
TTA1452B，S4X	1.9800	RFQ	9235	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				2 w	TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50																80 V	12 a					5µA（ICBO）	PNP	400mv @ 300mA，6a	120 @ 1A，1V	50MHz
TPH2R805PL，LQ	1.2000	RFQ	9118	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		45 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 50a，10v	2.4V @ 500µA	73 NC @ 10 V	±20V	5175 PF @ 22.5 V	-	830MW（TA），116W（tc）
TK25A20D，S5X	1.7900	RFQ	40	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	25A（TA）	10V	70MOHM @ 12.5a，10V	3.5V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 100 V	-	45W（TC）
TK12A50W，S5X	2.1100	RFQ	50	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	11.5A（TA）	10V	300MOHM @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	35W（TC）
TDTC114Y，LM	0.1800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TDTC114			320兆W	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma					500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	79 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms
2SA1943-O （S1，f	2.9200	RFQ	20	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	to-3pl				150 w	到3p（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25																230 v	15 a					5µA（ICBO）	PNP	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz
2SA2059（TE12L，F）	0.6300	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1 w	PW-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000																20 v	3 a					100NA（ICBO）	PNP	190MV @ 53mA，1.6a	200 @ 500mA，2V	-
TK22V65X5，LQ	5.6600	RFQ	2	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		650 v	22a（22a）	10V	170mohm @ 11a，10v	4.5V @ 1.1mA	50 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 300 V	-	180W（TC）
SSM3K16F，LF	0.2300	RFQ	6974	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SC-75，SOT-416			MOSFET （金属 o化物）		SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	（100mA）（TA）	1.5V，4V	3ohm @ 10mA，4V	1.1V @ 100µA		±10V	9.3 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
GT40R21 （STA1，E。	3.6500	RFQ	1369	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	GT40R21	标准		230 w	to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25			280V，40a，10ohm，20V											600 ns	-	1200 v	40 a	200 a	2.8V @ 15V，40a	- （540µJ）（（540µJ））	-
TK25V60X5，LQ	5.0300	RFQ	8257	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		600 v	25A（TA）	10V	150MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 1.2mA	60 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 300 V	-	180W（TC）
tta008b，q	0.6600	RFQ	250	东芝半导体和存储	-	托盘	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				1.5 w	to-126n	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	250																80 V	2 a					100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，2V	100MHz
SSM3J16FU（TE85L，F）	0.3700	RFQ	9188	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		USM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	（100mA）（TA）	1.5V，4V	8ohm @ 10mA，4V	1.1V @ 100µA		±10V	11 pf @ 3 V	-	150MW（TA）
TK62N60W5，S1VF	11.3800	RFQ	18	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	61.8A（TA）	10V	45mohm @ 30.9a，10v	4.5V @ 3.1mA	205 NC @ 10 V	±30V	6500 PF @ 300 V	-	400W（TC）
TK2P90E，RQ	1.1900	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		900 v	2A（TA）	10V	5.9OHM @ 1A，10V	4V @ 200µA	12 nc @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	80W（TC）
TK3P80E，RQ	1.1500	RFQ	4414	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		800 v	3A（3A）	10V	4.9ohm @ 1.5A，10V	4V @ 300µA	12 nc @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	80W（TC）
HN4B102J（TE85L，F）	0.6100	RFQ	6062	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	HN4B102			750MW	SMV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																30V	1.8a，2a					100NA（ICBO）	NPN，PNP	140mv @ 20mA，600mA / 200mv @ 20mA，600mA	200 @ 200ma，2V	-
TPCP8407，LF	0.7400	RFQ	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TPCP8407		MOSFET （金属 o化物）	690MW（TA）	PS-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	264-TPCP8407LFCT	Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			40V	（5a ta），4a ta（4a ta）		36.3mohm @ 2.5a，10v，56.8mohm @ 2a，10v	3V @ 1mA	11.8nc @ 10v，18nc @ 10v		505pf @ 10V，810pf @ 10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²