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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -测试 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
SSM6N357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N357R，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N357 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 650mA（TA） 1.8ohm @ 150mA，5v 2V @ 1mA 1.5NC @ 5V 60pf @ 12V -
RN2113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2113ACT（TPL3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2113 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 47科姆斯
2SC5201,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201，t6f（j -
RFQ
 ECAD 4968 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC5201 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 600 v 50 mA 1µA（ICBO） NPN 1V @ 500mA，20mA 100 @ 20mA，5V -
RN2308(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2308（TE85L，F） 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2308 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
TK10A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W，S4VX 2.7800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK10A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 9.7A（ta） 10V 380MOHM @ 4.9A，10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 V - 30W（TC）
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110CT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 1745年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2110 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 300 @ 1mA，5v 4.7科姆斯
RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV，L3F 0.1700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1104 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 10mA，5V 47科姆斯 47科姆斯
TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD，L1Q 0.8500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPN4R712 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 20 v 36a（TC） 2.5V，4.5V 4.7MOHM @ 18A，4.5V 1.2V @ 1mA 65 NC @ 5 V ±12V 4300 PF @ 10 V - 42W（TC）
RN1970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1970 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R3E08QM，S1X 2.3500
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSX-H 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 120A（TC） 6V，10V 3.3mohm @ 50a，10v 3.5V @ 1.3mA 110 NC @ 10 V ±20V 7670 pf @ 40 V - 230W（TC）
2SC2235-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y （6MBH1，AF -
RFQ
 ECAD 8417 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
TK160F10N1,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1，LXGQ 3.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 175°C 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB TK160F10 MOSFET （金属 o化物） TO-220SM（W） 下载 3（168）） Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 100 v 160a（ta） 10V 2.4mohm @ 80a，10v 4V @ 1mA 121 NC @ 10 V ±20V 8510 PF @ 10 V - 375W（TC）
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1309（TE85L，F） 0.2700
RFQ
 ECAD 895 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1309 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL（TE85L，F） 0.5900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SK880 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 13pf @ 10V 50 V 6 mA @ 10 V 1.5 V @ 100 na
3SK294(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK294（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 12.5 v 表面安装 SC-82A，SOT-343 3SK294 500MHz MOSFET USQ 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30mA 10 MA - 26dB 1.4dB 6 V
RN2109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2109CT（tpl3） -
RFQ
 ECAD 8190 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2109 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 100 @ 10mA，5v 47科姆斯 22 KOHMS
2SJ668(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ668（TE16L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 3389 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SJ668 MOSFET （金属 o化物） PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 2SJ668（TE16L1NQ） Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 60 V 5A（5A） 4V，10V 170MOHM @ 2.5A，10V 2V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 10 V - 20W（TC）
TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R006PL，L1Q 0.8500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH7R006 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 60a（TC） 4.5V，10V 13.5MOHM @ 10a，4.5V 2.5V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1875 PF @ 30 V - 81W（TC）
RN1309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309，LF 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1309 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 5mA，5V 250 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
TK12A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50W，S5X 2.1100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 11.5A（TA） 10V 300MOHM @ 5.8A，10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 pf @ 300 V - 35W（TC）
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101CT（tpl3） -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1101 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 500NA npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 4.7科姆斯 4.7科姆斯
SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6K202 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n通道 30 V 2.3a（ta） 1.8V，4V 85MOHM @ 1.5A，4V 1V @ 1mA ±12V 270 pf @ 10 V - 500MW（TA）
RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2971（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2971 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 10KOHMS -
RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103，lf（Ct 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1103 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2911 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2911 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 10KOHMS -
2SA1931,KEHINQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931，Kehinq（m -
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1931 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 50 V 5 a 1µA（ICBO） PNP 400mv @ 200mA，2a 100 @ 1A，1V 60MHz
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL，LQ 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPN11003 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 11A（TC） 4.5V，10V 11MOHM @ 5.5A，10V 2.3V @ 100µA 7.5 NC @ 10 V ±20V 660 pf @ 15 V - 700MW（TA），19w（tc）
TK28V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W，LQ 5.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK28V65 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 27.6a（ta） 10V 120MOHM @ 13.8A，10V 3.5V @ 1.6mA 75 NC @ 10 V ±30V 3000 PF @ 300 V - 240W（TC）
HN1B04FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y，LXHF 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1B04 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 250mv @ 10mA，100mA / 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 150MHz，120MHz
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113（TE85L，F） 0.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MT3S113 800MW S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 11.8db 5.3V 100mA NPN 200 @ 30mA，5v 12.5GHz 1.45db @ 1GHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    2800+

    全球制造商

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