SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
2SC2655-O(ND2,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O (ND2,AF) -
RFQ
ECAD 9458 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC2655 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,1a 70 @ 500mA,2V 100MHz
2SC5200-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O(Q) 3.0600
RFQ
ECAD 2325 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 to-3pl 2SC5200 150 w 到3p(l) 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µA(ICBO) NPN 3V @ 800mA,8a 80 @ 1A,5V 30MHz
2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6076(TE16L1,NV) 0.6300
RFQ
ECAD 7769 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 2SC6076 10 W PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 2,000 80 V 3 a 1µA(ICBO) NPN 500mv @ 100mA,1a 180 @ 500mA,2V 150MHz
RN4904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4904fe,lf(ct 0.2600
RFQ
ECAD 1676年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN4904 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz,200MHz 47kohms 47kohms
2SA1721OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721OTE85LF 0.1207
RFQ
ECAD 5444 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2SA1721 150兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 300 v 100 ma 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 2mA,20mA 30 @ 20mA,10v 50MHz
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-O(Q) -
RFQ
ECAD 3255 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 2SC3074 1 w PW-MOLD 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 200 50 V 5 a 1µA(ICBO) NPN 400mv @ 150mA,3a 70 @ 1A,1V 120MHz
2SC6000(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6000(TE16L1,NQ) -
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 2SC6000 20 w PW-MOLD - 264-2SC6000(TE16L1NQ)TR Ear99 8541.29.0095 2,000 50 V 7 a 100NA(ICBO) NPN 180MV @ 83mA,2.5a 250 @ 2.5a,2V -
RN2422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2422TE85LF 0.4200
RFQ
ECAD 4270 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RN2422 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 800 MA 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 1mA,50mA 65 @ 100mA,1V 200 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
RN2965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965(TE85L,F) 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 RN2965 200MW US6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 PNP-) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SC2235-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y (6MBH1,AF -
RFQ
ECAD 8417 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA(ICBO) NPN 1V @ 50mA,500mA 80 @ 100mA,5V 120MHz
RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2610(TE85L,F) 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-74,SOT-457 RN2610 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 PNP-) 300mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 200MHz 4.7kohms -
2SA1020-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y t6fjt,AF -
RFQ
ECAD 7274 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,1a 70 @ 500mA,2V 100MHz
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1415B,S4X(s -
RFQ
ECAD 3496 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 TTD1415 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50
TTA1943(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTA1943(Q) 2.7000
RFQ
ECAD 567 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 to-3pl TTA1943 150 w 到3p(l) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µA(ICBO) PNP 3V @ 800mA,8a 80 @ 1A,5V 30MHz
2SC4883A Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4883A -
RFQ
ECAD 7097 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 2SC4883 - Rohs符合条件 (1 (无限) 2SC4883ATS 0000.00.0000 50
RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416,LF 0.2000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RN1416 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2961fe(te85l,f) -
RFQ
ECAD 9441 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN2961 100MW ES6 - (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 PNP-) 300mv @ 250µA,5mA 30 @ 10mA,5V 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
2SC5201,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201,t6f(j -
RFQ
ECAD 4968 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC5201 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 1 600 v 50 mA 1µA(ICBO) NPN 1V @ 500mA,20mA 100 @ 20mA,5V -
RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2313(TE85L,F) -
RFQ
ECAD 4403 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 RN2313 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 200 MHz 47科姆斯
2SD2206(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206(te6,f,m) -
RFQ
ECAD 7464 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SD2206 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 100 v 2 a 10µA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA,1a 2000 @ 1A,2V 100MHz
2SJ380(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380(f) -
RFQ
ECAD 1045 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 2SJ380 MOSFET (金属 o化物) TO-220NIS 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 P通道 100 v 12a(12a) 4V,10V 210mohm @ 6a,10v 2V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±20V 1100 pf @ 10 V - 35W(TC)
TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R004PL,LQ 0.7900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPH6R004 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 87A(ta),49A (TC) 4.5V,10V 6mohm @ 24.5a,10v 2.4V @ 200µA 30 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 20 V - 1.8W(ta),81W(81W)TC)
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117 (T5L,F,T) -
RFQ
ECAD 6824 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 SC-75,SOT-416 RN1117 100兆 SSM 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 30 @ 10mA,5V 250 MHz 10 kohms 4.7科姆斯
RN4982FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4982fe,lf(Ct 0.2700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN4982 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
RN1966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1966FE(TE85L,F) 0.3800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN1966 100MW ES6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
2SC6139,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6139,T2F (M -
RFQ
ECAD 7133 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 SC-71 2SC6139 1 w MSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 1 160 v 1.5 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 140 @ 100mA,5V 100MHz
HN3C51F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-gr (TE85L,f -
RFQ
ECAD 3368 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 HN3C51 300MW SM6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100NA(ICBO) 2 NPN (双) 300mv @ 1mA,10mA 200 @ 2mA,6v 100MHz
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1309(TE85L,F) 0.2700
RFQ
ECAD 895 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 RN1309 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 70 @ 10mA,5V 250 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965FE(TE85L,F) 0.1000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN1965 100MW ES6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 PNP-) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
RN2905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905,LF(ct 0.2600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 RN2905 200MW US6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2 PNP-) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库