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2488）

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2SC2235-y t6canofm	-	RFQ	1780年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	2SC2235YT6CANOFM	Ear99	8541.21.0075	1												120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
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TK60P03M1，RQ s	-	RFQ	6408	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK60P03	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	30 V	60a（ta）	4.5V，10V	6.4mohm @ 30a，10v	2.3V @ 500µA	40 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 10 V	-	63W（TC）
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2SJ360（TE12L，F）	-	RFQ	7247	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SJ360	MOSFET （金属 o化物）		PW-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1,000	P通道	60 V	1A（1A）	4V，10V	730mohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA	6.5 NC @ 10 V	±20V	155 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
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TPHR9203PL，L1Q	1.6300	RFQ	8	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPHR9203	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	150a（TC）	4.5V，10V		2.1V @ 500µA	80 NC @ 10 V	±20V	7540 pf @ 15 V	-	132W（TC）
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2SC2705-O te6，f，m）	-	RFQ	6177	东芝半导体和存储	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2705		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000												150 v	50 mA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 1mA，10mA	80 @ 10mA，5V	200MHz
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²