晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
SSM3J15CT，L3F	0.3100	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883			MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000	P沟道			30V	100mA（塔）	2.5V、4V	12欧姆@10mA，4V	1.7V@100μA		±20V	9.1pF@3V	-	100毫W（塔）
2SK2962,T6F(J	-	询价	4247	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962				TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1					1A（Tj）
TPW2R508NH,L1Q	2.8100	询价	1661	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerWDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道			75V	150A（塔）	10V	2.5毫欧@50A，10V	4V@1mA	72nC@10V	±20V	6000pF@37.5V	-	800mW（Ta）、142W（Tc）
2SJ380(女)	-	询价	1045	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SJ380		MOSFET（金属O化物）		TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	P沟道			100伏	12A（塔）	4V、10V	210毫欧@6A，10V	2V@1mA	48nC@10V	±20V	1100pF@10V	-	35W（温度）
2SA965-Y,T6F(J	-	询价	5034	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1															120V	800毫安						100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
2SC5066-O,LF	-	询价	9564	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC5066			100毫W	SSM	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			-												12V	30毫安							NPN		80@10mA，5V	7GHz			1dB@500MHz
RN2905,LF(CT	0.2600	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2905			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安						100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN2101,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2101			100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安						500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
RN4987,LXHF(CT	0.4400	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4987			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安						500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
2SJ438,Q(J	-	询价	2689	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-220-3全包	2SJ438				TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1					5A（Tj）
2SA2154CT-Y(TPL3)	-	询价	5156	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	2SA2154			100毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000															50V	100毫安						100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
RN1103,LF(CT	0.2000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1103			100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安						500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	22欧姆
SSM3J144TU，LF	0.4100	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J144		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道			20V	3.2A（塔）	1.5V、4.5V	93毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.7nC@4.5V	+6V、-8V	290pF@10V	-	500毫W（塔）
RN1310(TE85L,F)	0.2600	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1310			100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安						100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
RN1410,LXHF	0.0645	询价	9455	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1410			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安						100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
2SC5171(LBS2MATQ,M	-	询价	8910	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC5171			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1															180伏	2A						5μA（ICBO）	NPN	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
TTA003,L1NQ(O	0.6900	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TTA003			10W	PW-模具	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	2,000															80V	3A						100nA（ICBO）	国民党	500mV@100mA，1A	100@500mA，2V	100兆赫兹
TPH8R903NL,LQ	0.8500	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH8R903		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道			30V	20A（温度）	10V	8.9毫欧@10A、10V	2.3V@1mA	9.8nC@10V	±20V	15V时为820pF	-	1.6W（Ta）、24W（Tc）
TK1P90A,LQ(CO	-	询价	9799	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK1P90		MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK1P90ALQ(CO	EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道			900伏	1A（塔）	10V	9欧姆@500mA，10V	4V@1mA	13nC@10V	±30V	320pF@25V	-	20W（温度）
GT30N135SRA,S1E	3.7700	询价	3270	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		348 W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		300V，60A，39欧姆，15V												-	1350伏	60A	120A	2.6V@15V，60A	-, 1.3mJ（关闭）	270℃	-
2SA1869-Y,Q(J	-	询价	3028	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1869			10W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1															50V	3A						1μA（ICBO）	国民党	600mV@200mA，2A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN4901FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4901			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000															50V	100毫安						500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
TJ40S04M3L,LXHQ	1.0800	询价	9632	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ40S04		MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000	P沟道			40V	40A（塔）	6V、10V	9.1毫欧@20A，10V	3V@1mA	83nC@10V	+10V，-20V	10V时为4140pF	-	68W（温度）
2SK2995(女)	-	询价	9943	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SK2995		MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)IS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道			250伏	30A（塔）	10V	68毫欧@15A，10V	3.5V@1mA	132nC@10V	±20V	5400pF@10V	-	90W（温度）
RN1906FE,LF(CT	0.2400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1906			100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000															50V	100毫安						500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
RN1411,LF	0.1900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1411			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安						100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10欧姆
SSM3K35MFV(TPL3)	-	询价	8872	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3K35		MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000	N沟道			20V	180mA（塔）	1.2V、4V	3欧姆@50mA，4V	1V@1mA		±10V	9.5pF@3V	-	150毫W（塔）
2SA1020-Y,T6KEHF(M	-	询价	1707	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1															50V	2A						1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SA1162-GR,LXHF	0.3900	询价	第454章	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	150毫安						100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
RN2904FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2904			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000															50V	100毫安						500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²