晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
RN1417(TE85L,F)	0.3500	询价	第384章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1417		200毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安			500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	4.7欧姆
SSM6L39TU,LF	0.4600	询价	20	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6L39	MOSFET（金属O化物）	500毫W	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道		20V	800毫安		143mOhm@600MA，4V	1V@1mA	-		268pF@10V	逻辑电平门，1.8V驱动
TPCC8065-H,LQ(S	-	询价	2198	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCC8065	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	13A（塔）	4.5V、10V	11.4毫欧@6.5A，10V	2.3V@200μA	20nC@10V	±20V	1350pF@10V	-	700mW（Ta）、18W（Tc）
TK42A12N1,S4X	1.4900	询价	210	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK42A12	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	120V	42A（温度）	10V	9.4毫欧@21A，10V	4V@1mA	52nC@10V	±20V	3100pF@60V	-	35W（温度）
RN2116,LF(CT	0.2000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2116		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	10欧姆
RN2710，LF	0.3000	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2710		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	-
2SK3662(女)	-	询价	1045	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SK3662	MOSFET（金属O化物）		TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	35A（塔）	4V、10V	12.5毫欧@18A，10V	2.5V@1mA	91nC@10V	±20V	5120pF@10V	-	35W（温度）
RN2407，LF	0.1900	询价	2430	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2407		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	47欧姆
2SC3324GRTE85LF	-	询价	3943	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC3324		150毫W	TO-236	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													120V	100毫安			100nA（ICBO）	NPN	300mV@1mA、10mA	200@2mA，6V	100兆赫兹
SSM6K405TU，LF	0.3700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6K405	MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	2A（塔）	1.5V、4V	126mOhm@1A，4V	1V@1mA	3.4nC@4V	±10V	195pF@10V	-	500毫W（塔）
2SK3320-BL(TE85L,F	0.7500	询价	72	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	2SK3320		200毫W	无人艇	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道								13pF@10V					6毫安@10伏	200毫伏@100纳安
2SC4207-Y(TE85L,F)	0.3500	询价	49	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-74A、SOT-753	2SC4207		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安			100nA（ICBO）	2 NPN（双）匹配，共发射极	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
RN4987,LXHF(CT	0.4400	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4987		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安			500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
RN2704JE(TE85L,F)	0.4800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN2704		100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN2910,LF(CT	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-61AA	RN2910		200毫W	小型MQ	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	-
RN2307,LXHF	0.3900	询价	2595	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2307		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	47欧姆
TP86R203NL,LQ	0.9000	询价	19号	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TP86R203	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	19A（塔）	4.5V、10V	6.2毫欧@9A，10V	2.3V@200μA	17nC@10V	±20V	1400pF@15V	-	1W（温度）
2SA1020-Y,T6WNLF(J	-	询价	2798	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SA1020-YT6WNLF(日	EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A			1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TK25A20D,S5X	1.7900	询价	40	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	200V	25A（塔）	10V	70毫欧@12.5A，10V	3.5V@1mA	60nC@10V	±20V	2550pF@100V	-	45W（温度）
TPH1110FNH,L1Q	1.8400	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1110	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	250伏	10A（塔）	10V	112毫欧@5A，10V	4V@300μA	11nC@10V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	1.6W（Ta）、57W（Tc）
TK65S04N1L,LQ	2.0100	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK65S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	40V	65A（塔）	10V	4.3毫欧@32.5A，10V	2.5V@300μA	39nC@10V	±20V	2550pF@10V	-	107W（温度）
TK099V65Z,LQ	5.5600	询价	2	东芝半导体和存储	DTMOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK099V65	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	650伏	30A（塔）	10V	99毫欧@15A，10V	4V@1.27mA	47nC@10V	±30V	2780 pF @ 300 V	-	230W（温度）
RN4991(T5L,F,T)	0.0394	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4991		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安			100μA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	-
2SC2712-Y,LXHF	0.3400	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安			100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
XPN7R104NC,L1XHQ	1.2500	询价	9396	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	XPN7R104	MOSFET（金属O化物）		8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	40V	20A（塔）	4.5V、10V	7.1毫欧@10A、10V	2.5V@200μA	21nC@10V	±20V	1290pF@10V	-	840mW（Ta）、65W（Tc）
2SA1020-Y(T6CANOFM	-	询价	6361	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SA1020YT6CANOFM	EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A			1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TK12A60W,S4VX	3.9800	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK12A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	11.5A（塔）	10V	300mOhm@5.8A，10V	3.7V@600μA	25nC@10V	±30V	890 pF @ 300 V	-	35W（温度）
RN1416,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1416		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安			500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
RN1902FE,LF(CT	0.3400	询价	22	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1902		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	1千欧姆
TPC8110(TE12L、Q、M)	-	询价	6368	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8110	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	40V	8A（塔）	4V、10V	25毫欧@4A，10V	2V@1mA	48nC@10V	±20V	10V时为2180pF	-	1W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²