晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
SSM3K35CT，L3F	0.3200	询价	13	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K35	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道		20V	180mA（塔）	1.2V、4V	3欧姆@50mA，4V	1V@1mA		±10V	9.5pF@3V	-	100毫W（塔）
2SC2235-O(T6FJT,AF	-	询价	2992	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1														120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TK8A65W,S5X	1.7800	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	7.8A（塔）	10V	650毫欧@3.9A，10V	3.5V@300μA	16nC@10V	±30V	570 pF @ 300 V	-	30W（温度）
2SA1930,CKQ(J	-	询价	9881	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1930		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1														180伏	2A	5μA（ICBO）	国民党	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
TK2P60D(TE16L1,NQ)	-	询价	2671	东芝半导体和存储	π-MOSVII	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK2P60	MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		600伏	2A（塔）	10V	4.3欧姆@1A，10V	4.4V@1mA	7nC@10V	±30V	280pF@25V	-	60W（温度）
RN1110(T5L,F,T)	-	询价	5975	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1110		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
TK25A20D,S5X	1.7900	询价	40	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		200V	25A（塔）	10V	70毫欧@12.5A，10V	3.5V@1mA	60nC@10V	±20V	2550pF@100V	-	45W（温度）
2SA1721OTE85LF	0.1207	询价	5444	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1721		150毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000														300伏	100毫安	100nA（ICBO）	国民党	500mV@2mA、20mA	30@20mA，10V	50兆赫
XPH2R106NC,L1XHQ	2.1700	询价	9	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-SOIC（0.197英寸，5.00毫米宽）	XPH2R106	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	110A（塔）		2.1毫欧@55A，10V	2.5V@1mA	10V时为104nC	±20V	6900pF@10V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
TPCA8062-H,LQ(CM	-	询价	4497	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8062	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	28A（塔）	4.5V、10V	5.6毫欧@14A，10V	2.3V@300μA	34nC@10V	±20V	2900pF@10V	-	1.6W（Ta）、42W（Tc）
RN1307,LF	0.2200	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1307		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
SSM3K15AMFV，L3F	0.2900	询价	84	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3K15	MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000		N沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	3.6欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	13.5pF@3V	-	150毫W（塔）
2SC2705-O(TPE6,F)	-	询价	4015	东芝半导体和存储	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2705		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000														150伏	50毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@1mA、10mA	80@10mA，5V	200兆赫
TTC5460B,Q(S	-	询价	9144	东芝半导体和存储	*	管子	的积极				TTC5460				下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250
SSM3K37FS,LF	0.2300	询价	122	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150℃（TA）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3K37	MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		20V	200mA（塔）	1.5V、4.5V	2.2欧姆@100mA，4.5V	1V@1mA		±10V	12pF@10V	-	100毫W（塔）
RN1131MFV(TL3,T)	0.2100	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1131		150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000														50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		100欧姆
RN2903FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2903		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000														50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
TK60P03M1,RQ(S	-	询价	6408	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK60P03	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		30V	60A（塔）	4.5V、10V	6.4毫欧@30A，10V	2.3V@500μA	40nC@10V	±20V	2700pF@10V	-	63W（温度）
SSM6L36TU,LF	0.3800	询价	14	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6L36	MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道			20V	500mA（塔）、330mA（塔）		630mOhm @ 200mA, 5V, 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V	1V@1mA	1.23nC@4V，1.2nC@4V		10V时为46pF，10V时为43pF	逻辑电平门，1.5V驱动
TPCC8105,L1Q(CM	-	询价	1963年	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TPCC8105	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	-		1（无限制）	264-TPCC8105L1Q(CMTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道		30V	23A（塔）	4.5V、10V	7.8毫欧@11.5A，10V	2V@500μA	76nC@10V	+20V，-25V	10V时为3240pF	-	700mW（Ta）、30W（Tc）
2SC5085-Y(TE85L,F)	-	询价	3125	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC5085		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			11分贝～16.5分贝											12V	80毫安		NPN		120@20mA，10V	7GHz			1.1dB@1GHz
RN1132MFV，L3F	0.1800	询价	2506	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1132		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000														50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		200欧姆
RN1101,LF(CT	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1101		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
TK80S06K3L(T6L1,NQ	-	询价	7483	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK80S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		60V	80A（塔）	6V、10V	5.5毫欧@40A，10V	3V@1mA	85nC@10V	±20V	4200pF@10V	-	100W（温度）
TK11A45D(STA4,Q,M)	1.8600	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK11A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		450伏	11A（塔）	10V	620毫欧@5.5A，10V	4V@1mA	20nC@10V	±30V	1050pF@25V	-	40W（温度）
SSM3K7002CFU，LF	0.1800	询价	33	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3K7002	MOSFET（金属O化物）		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		60V	170毫安（塔）	4.5V、10V	3.9欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.35nC@4.5V	±20V	17pF@10V	-	150毫W（塔）
2SC2383-O(T6OMI,FM	-	询价	4250	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2383		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1														160伏	1A	1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	60@200mA，5V	100兆赫兹
2SA1242-Y(Q)	-	询价	3646	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	2SA1242		1W	PW-模具	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	200														20V	5A	100nA（ICBO）	国民党	1V@100mA，4A	160@500mA，2V	170兆赫
2SA965-Y,SWFF(M	-	询价	8844	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1														120V	800毫安	100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
RN1108,LF(CT	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1108		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	47欧姆

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²