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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
RN1103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103ACT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 8929 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1103 100兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 22 KOHMS 22 KOHMS
RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1415（TE85L，F） 0.3400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1415 200兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RN1909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909，LF（ct 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1909 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 47kohms 22KOHMS
TK72A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A12N1，S4X 3.0100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK72A12 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 120 v 72A（TC） 10V 4.5mohm @ 36a，10v 4V @ 1mA 130 NC @ 10 V ±20V 8100 PF @ 60 V - 45W（TC）
TK35N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5，S1F 9.0900
RFQ
 ECAD 7466 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 TK35N65 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 35A（TA） 10V 95MOHM @ 17.5A，10V 4.5V @ 2.1mA 115 NC @ 10 V ±30V 4100 PF @ 300 V - 270W（TC）
2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-gr，LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 454 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 80MHz
RN2707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2707，LF 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2707 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
TK20A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60U（Q，M） -
RFQ
 ECAD 5107 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosii 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK20A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A（TA） 10V 190mohm @ 10a，10v 5V @ 1mA 27 NC @ 10 V ±30V 1470 pf @ 10 V - 45W（TC）
TTA1943(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTA1943（Q） 2.7000
RFQ
 ECAD 567 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 to-3pl TTA1943 150 w 到3p（l） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µA（ICBO） PNP 3V @ 800mA，8a 80 @ 1A，5V 30MHz
TTA004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage tta004b，q 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-225AA，TO-126-3 TTA004 10 W to-126n 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 250 160 v 1.5 a 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，500mA 140 @ 100mA，5V 100MHz
2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-O，LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 70 @ 2mA，6v 80MHz
RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4983fe，lf（Ct 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4983 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
RN4901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4901 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 4562 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4901 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 4.7kohms 4.7kohms
HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR，LXHF 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 HN1B04 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 250mv @ 10mA，100mA / 300mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 80MHz
RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4902，LF -
RFQ
 ECAD 2510 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4902 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
2SC2229-Y(T6ONK1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y t6onk1fm -
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2229 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） 2SC2229YT6ONK1FM Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 1mA，10mA 70 @ 10mA，5V 120MHz
RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416，LF 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1416 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage MT4S300U（TE85L，O，f 0.6800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-82A，SOT-343 MT4S300 250MW USQ 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 16.9db 4V 50mA NPN 200 @ 10mA，3V 26.5GHz 0.55dB @ 2GHz
TPH2R805PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R805PL，LQ 1.2000
RFQ
 ECAD 9118 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 45 v 100A（TC） 4.5V，10V 2.8mohm @ 50a，10v 2.4V @ 500µA 73 NC @ 10 V ±20V 5175 PF @ 22.5 V - 830MW（TA），116W（tc）
2SA1020-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y t6fjt，AF -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
RN1411,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1411，LF 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1411 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 10 kohms
SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV，L3XHF 0.3900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-723 MOSFET （金属 o化物） VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 P通道 20 v 800mA（ta） 1.2V，4.5V 390MOHM @ 800mA，4.5V 1V @ 1mA 1.6 NC @ 4.5 V +6V，-8V 100 pf @ 10 V - 150MW（TA）
SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J133TU，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3J133 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 5.5A（ta） 1.5V，4.5V 29.8mohm @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 12.8 NC @ 4.5 V ±8V 840 pf @ 10 V - 500MW（TA）
RN1311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 5946 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1311 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 10 kohms
TK8Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W，S1Q 1.7200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK TK8Q65 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 75 n通道 650 v 7.8A（ta） 10V 670MOHM @ 3.9A，10V 3.5V @ 300µA 16 NC @ 10 V ±30V 570 pf @ 300 V - 80W（TC）
TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A45DA（STA4，Q，m） 1.4000
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK7A45 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 6.5A（TA） 10V 1.2OHM @ 3.3a，10v 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 540 pf @ 25 V - 35W（TC）
TK7A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A55D（sta4，Q，m） 1.6000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK7A55 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 7a（ta） 10V 1.25OHM @ 3.5A，10V 4.4V @ 1mA 16 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 25 V - 35W（TC）
TPC8A05-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage tpc8a05-h te12l，QM -
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8A05 MOSFET （金属 o化物） 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 10a（10a） 4.5V，10V 13.3MOHM @ 5A，10V 2.3V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 10 V （（（） 1W（ta）
SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K516NU，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6K516 MOSFET （金属 o化物） 6-udfnb（2x2） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 6a（6a） 4.5V，10V 46mohm @ 4A，10V 2.5V @ 100µA 2.5 NC @ 4.5 V +20V，-12V 280 pf @ 15 V - 1.25W（TA）
TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S04K3L（T6L1，NQ -
RFQ
 ECAD 4801 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 过时的 175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK80S04 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 80a（ta） 6V，10V 3.1MOHM @ 40a，10v 3V @ 1mA 87 NC @ 10 V ±20V 4340 pf @ 10 V - 100W（TC）
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    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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