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2488）

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2SC3328-Y，T6CKF（j	-	RFQ	5365	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC3328		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1													80 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
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TK10A60E，S5X	-	RFQ	2076	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK10A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	10a（10a）	10V	750MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 25 V	-	45W（TC）
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2SA1587-BL，LF	0.2700	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA1587		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													120 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 1mA，10mA	350 @ 2mA，6v	100MHz
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2SK2035 （T5L，F，T）	-	RFQ	1230	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SK2035	MOSFET （金属 o化物）		SSM	-		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	（100mA）（TA）	2.5V	12ohm @ 10mA，2.5V	-		10V	8.5 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
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TJ15P04M3，RQ s	0.8700	RFQ	878	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ15P04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	15A（TA）	4.5V，10V	36mohm @ 7.5a，10v	2V @ 100µA	26 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 10 V	-	29W（TC）
TPC8207（TE12L）	-	RFQ	4725	东芝半导体和存储	-	Digi-Reel®	过时的		表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8207	MOSFET （金属 o化物）	750MW	8-SOP（5.5x6.0）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	6a		20mohm @ 4.8A，4V	1.2V @ 200µA	22nc @ 5V		2010pf @ 10V	逻辑级别门
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2SC3665-Y，T2NSF（j	-	RFQ	3531	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC3665		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1													120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
2SC2235-y t6cn，A，f	-	RFQ	3118	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1													120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
SSM3K37CT，L3F	0.2900	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	SSM3K37	MOSFET （金属 o化物）		CST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	20 v	200ma（ta）	1.5V，4.5V	2.2OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA		±10V	12 pf @ 10 V	-	100mW（TA）
SSM3J35CTC，L3F	0.3400	RFQ	6	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	SSM3J35	MOSFET （金属 o化物）		CST3C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道	20 v	250mA（ta）	1.2V，4.5V	1.4OHM @ 150mA，4.5V	1V @ 100µA		±10V	42 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
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2SK3309（Q）	-	RFQ	9535	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	2SK3309	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FL	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	10a（10a）	10V	650MOHM @ 5A，10V	5V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 10 V	-	65W（TC）
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TK25N60X，S1F	4.6600	RFQ	4357	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK25N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	25A（TA）	10V	125MOHM @ 7.5A，10V	3.5V @ 1.2mA	40 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 300 V	-	180W（TC）
rn4991fe，lf（ct	0.2500	RFQ	2649	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4991		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	4,000													50V	100mA	100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz，200MHz	10KOHMS	-
TK46A08N1，S4X	1.0700	RFQ	7780	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK46A08	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	46A（TC）	10V	8.4mohm @ 23A，10V	4V @ 500µA	37 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 40 V	-	35W（TC）
tpcc8136.lq	-	RFQ	7165	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPCC8136	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	-		（1 （无限）	264-TPCC8136.LQTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	9.4A（TA）	1.8V，4.5V	16mohm @ 9.4a，4.5V	1.2V @ 1mA	36 NC @ 5 V	±12V	2350 pf @ 10 V	-	700MW（TA），18W （TC）
RN2314（TE85L，F）	0.2800	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN2314		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	1 kohms	10 kohms
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²