晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
RN2706JE(TE85L,F)	0.3900	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN2706		100毫W	ESV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
SSM3J120TU，LF	-	询价	2941	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J120	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道		20V	4A（塔）	1.5V、4V	38毫欧@3A、4V	1V@1mA	22.3nC@4V	±8V	10V时为1484pF	-	500毫W（塔）
TK46A08N1,S4X	1.0700	询价	7780	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK46A08	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		80V	46A（温度）	10V	8.4毫欧@23A，10V	4V@500μA	37nC@10V	±20V	2500pF@40V	-	35W（温度）
RN2312(TE85L,F)	0.2700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2312		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	22欧姆
2SA965-Y,SWFF(M	-	询价	8844	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1													120V	800毫安	100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
SSM3J56ACT，L3F	0.3900	询价	32	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3J56	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000	P沟道		20V	1.4A（塔）	1.2V、4.5V	390毫欧@800毫安，4.5伏	1V@1mA	1.6nC@4.5V	±8V	100pF@10V	-	500毫W（塔）
RN1970FE(TE85L,F)	-	询价	9551	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1970		100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
RN1104MFV，L3F	0.1700	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1104		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		47欧姆	47欧姆
HN4B102J(TE85L,F)	0.6100	询价	6062	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-74A、SOT-753	HN4B102		750毫W	SMV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													30V	1.8A、2A	100nA（ICBO）	NPN、PNP	140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA	200@200mA，2V	-
RN1311,LF	0.2200	询价	5946	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1311		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10欧姆
RN2905,LF(CT	0.2600	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2905		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN1116,LF(CT	0.2000	询价	170	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1116		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
2SC5066-O,LF	-	询价	9564	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC5066		100毫W	SSM	-	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		-											12V	30毫安		NPN		80@10mA，5V	7GHz			1dB@500MHz
TK25N60X5,S1F	4.5900	询价	8939	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK25N60	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30	N沟道		600伏	25A（塔）	10V	140毫欧@7.5A，10V	4.5V@1.2mA	60nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	180W（温度）
RN1701JE(TE85L,F)	0.4700	询价	12	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN1701		100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
RN2971(TE85L,F)	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2971		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
TPH3R203NL,L1Q	1.2500	询价	18	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH3R203	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道		30V	47A（温度）	4.5V、10V	3.2毫欧@23.5A，10V	2.3V@300μA	21nC@10V	±20V	2100pF@15V	-	1.6W（Ta）、44W（Tc）
TPN5900CNH,L1Q	1.3400	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN5900	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000	N沟道		150伏	9A（塔）	10V	59毫欧@4.5A，10V	4V@200μA	7nC@10V	±20V	600pF@75V	-	700mW（Ta）、39W（Tc）
2SA1931，NETQ（J）	-	询价	8766	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1931		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1													50V	5A	1μA（ICBO）	国民党	400mV@200mA，2A	100 @ 1A、1V	60兆赫
2SA1428-O,T2WNLF(J	-	询价	6056	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SA1428		900毫W	MSTM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN2117(TE85L,F)	0.3900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2117		100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	4.7欧姆
TK12A45D(STA4,Q,M)	2.2300	询价	第1473章	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK12A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		450伏	12A（塔）	10V	520毫欧@6A，10V	4V@1mA	24nC@10V	±30V	1200pF@25V	-	45W（温度）
2SD2206,T6F(J	-	询价	第1678章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SD2206		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1													100V	2A	10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1mA、1A	2000 @ 1A，2V	100兆赫兹
RN1117MFV，L3F	0.1800	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1117		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	8,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	4.7欧姆
RN1970(TE85L,F)	0.4700	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1970		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
2SB1457(T6DW,F,M)	-	询价	5222	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SB1457		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	1													100V	2A	10μA（ICBO）	国民党	1.5V@1mA、1A	2000 @ 1A，2V	50兆赫
2SA1972,F(J	-	询价	7950	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1972		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	1													400V	500毫安	10μA（ICBO）	国民党	1V@10mA，100mA	140@20mA，5V	35兆赫
2SA1242-Y(Q)	-	询价	3646	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	2SA1242		1W	PW-模具	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	200													20V	5A	100nA（ICBO）	国民党	1V@100mA，4A	160@500mA，2V	170兆赫
TTD1415B,S4X(S	-	询价	3496	东芝半导体和存储	*	管子	的积极				TTD1415				下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50
2SC3668-Y,T2F(M	-	询价	8734	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3668		1W	MSTM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1													50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²