SIC
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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
2SK2962,T6WNLF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962，T6WNLF （m -
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK2962 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 1A（TJ）
2SK2989(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989（t6cano，A，f -
RFQ
 ECAD 8088 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK2989 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 5A（TJ）
2SK2989(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989（t6cano，f，m -
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK2989 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 5A（TJ）
2SK2989,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989，T6F（j -
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK2989 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 5A（TJ）
2SJ668(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ668（TE16L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 3389 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SJ668 MOSFET （金属 o化物） PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 2SJ668（TE16L1NQ） Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 60 V 5A（5A） 4V，10V 170MOHM @ 2.5A，10V 2V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 10 V - 20W（TC）
TK7E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7E80W，S1X 2.8500
RFQ
 ECAD 8245 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3 TK7E80 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 6.5A（TA） 10V 950MOHM @ 3.3A，10V 4V @ 280µA 13 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 300 V - 110W（TC）
TK12E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W，S1X 3.6100
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3 TK12E80 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 11.5A（TA） 10V 450MOHM @ 5.8A，10V 4V @ 570µA 23 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 300 V - 165W（TC）
SSM3K341TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341TU，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3K341 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 6a（6a） 4V，10V 36mohm @ 4A，10V 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 550 pf @ 10 V - 1.8W（TA）
SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6K341 MOSFET （金属 o化物） 6-udfnb（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 6a（6a） 4V，10V 36mohm @ 4A，10V 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 550 pf @ 10 V - 2.5W（TA）
SSM6N815R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N815R，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N815 MOSFET （金属 o化物） 1.8W（TA） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 2A（TA） 103mohm @ 2a，10v 2.5V @ 100µA 3.1nc @ 4.5V 290pf @ 15V 逻辑水平门，4V驱动器
TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K2A60F，S4X 1.0400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 u-mosix 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK1K2A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 6a（6a） 10V 1.2OHM @ 3A，10V 4V @ 630µA 21 NC @ 10 V ±30V 740 pf @ 300 V - 35W（TC）
SSM6K824R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K824R，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2947 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6K824 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6a（6a） 1.5V，4.5V 33MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 3.6 NC @ 4.5 V ±8V 410 pf @ 10 V - 1.5W（TA）
SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R，LF 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6J808 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 7a（ta） 4V，10V 35mohm @ 2.5a，10v 2V @ 100µA 24.2 NC @ 10 V +10V，-20V 1020 pf @ 10 V - 1.5W（TA）
SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P816R，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6P816 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 6a（6a） 30.1MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 16.6nc @ 4.5V 1030pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
TPC8228-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8228-H，LQ -
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TPC8228 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 8-sop 下载 264-TPC8228-HLQTR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 3.8a 57MOHM @ 1.9A，10V 2.3V @ 100µA 11NC @ 10V 640pf @ 10V -
RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112CT（tpl3） -
RFQ
 ECAD 9061 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1112 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 100NA（ICBO） npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 300 @ 1mA，5v 22 KOHMS
RN49A1(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn49a1（t5l，f，t） -
RFQ
 ECAD 6337 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN49A1 200MW US6 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN2109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2109CT（tpl3） -
RFQ
 ECAD 8190 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2109 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 100 @ 10mA，5v 47科姆斯 22 KOHMS
RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2971（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2971 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 10KOHMS -
2SC6026CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-Y（TPL3） -
RFQ
 ECAD 7438 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-101，SOT-883 2SC6026 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 60MHz
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N55NU，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6N55 MOSFET （金属 o化物） 1W 6 µdfn （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4a 46mohm @ 4A，10V 2.5V @ 100µA 2.5NC @ 4.5V 280pf @ 15V 逻辑级别门
2SC3328-Y,T6CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-Y，T6CKF（j -
RFQ
 ECAD 5365 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC3328 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 80 V 2 a 1µA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
2SC2229-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2Sc2229-o（te6，f，m） -
RFQ
 ECAD 6227 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2229 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 1mA，10mA 70 @ 10mA，5V 120MHz
RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2911 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2911 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 10KOHMS -
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1，S4X 1.4900
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK42A12 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 120 v 42A（TC） 10V 9.4mohm @ 21a，10v 4V @ 1mA 52 NC @ 10 V ±20V 3100 PF @ 60 V - 35W（TC）
RN1907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907FE，LF（ct 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1907 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1610（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN1610 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz 4.7kohms -
RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4983fe，lf（Ct 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4983 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W，S1F 3.3800
RFQ
 ECAD 8957 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 TK14N65 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 13.7A（TA） 10V 250mohm @ 6.9a，10v 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 PF @ 300 V - 130W（TC）
RN2706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE（TE85L，F） 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN2706 100MW ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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