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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TW140Z120C，S1F	10.2200	RFQ	120	东芝半导体和存储	-	管子	积极的		175°C	通过洞	TO-247-4			SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-247-4L x（X）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					1200 v	20A（TC）	18V	191MOHM @ 10a，18v	5V @ 1mA	24 NC @ 18 V	+25V，-10V	691 PF @ 800 V	-	107W（TC）
SSM3K35MFV（TPL3）	-	RFQ	8872	东芝半导体和存储	π-mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	SSM3K35		MOSFET （金属 o化物）		VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道					20 v	180mA（TA）	1.2V，4V	3ohm @ 50mA，4V	1V @ 1mA		±10V	9.5 pf @ 3 V	-	150MW（TA）
TK6A80E，S4X	1.8900	RFQ	15	东芝半导体和存储	π-mosviii	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK6A80		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					800 v	6a（6a）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4V @ 600µA	32 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 25 V	-	45W（TC）
2SK2989，f（j	-	RFQ	9148	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SK2989				to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	1								5A（TJ）
2SK3662（f）	-	RFQ	1045	东芝半导体和存储	U-Mosiii	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3662		MOSFET （金属 o化物）		TO-220NIS	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	35A（TA）	4V，10V	12.5MOHM @ 18A，10V	2.5V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 10 V	-	35W（TC）
3SK294（TE85L，F）	0.4700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	12.5 v		表面安装	SC-82A，SOT-343	3SK294	500MHz	MOSFET		USQ	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		30mA	10 MA	-	26dB											1.4dB			6 V
TK6A53D（sta4，Q，m）	1.5000	RFQ	2959	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK6A53		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					525 v	6a（6a）	10V	1.3OHM @ 3A，10V	4.4V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	35W（TC）
TK17N65W，S1F	3.8600	RFQ	7047	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK17N65		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	17.3a（ta）	10V	200mohm @ 8.7a，10v	3.5V @ 900µA	45 NC @ 10 V	±30V	1800 PF @ 300 V	-	165W（TC）
2SK3670，f（j	-	RFQ	2775	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SK3670				to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	1								670mA（TJ）
2SJ438（Cano，A，Q）	-	RFQ	6374	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	2SJ438				TO-220NIS	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1								5A（TJ）
TK160F10N1L，LQ	2.8400	RFQ	1592年	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	TK160F10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220SM（W）	下载	rohs3符合条件	3（168））	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	160a（ta）	6V，10V	2.4mohm @ 80a，10v	3.5V @ 1mA	122 NC @ 10 V	±20V	10100 PF @ 10 V	-	375W（TC）
RN2104 （T5L，F，T）	0.2800	RFQ	727	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN2104			100兆	SSM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma		500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	47科姆斯	47科姆斯
TK14A65W5，S5X	2.8900	RFQ	4496	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK14A65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	13.7A（TA）	10V	300mohm @ 6.9a，10v	4.5V @ 690µA	40 NC @ 10 V	±30V	1300 PF @ 300 V	-	40W（TC）
TK4A60DA （STA4，Q，m）	-	RFQ	8479	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK4A60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	3.5A（ta）	10V	2.2OHM @ 1.8A，10V	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	-
tpca8011-h（TE12LQM	-	RFQ	5101	东芝半导体和存储	U-Mosiii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8011		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	40a（ta）	2.5V，4.5V	3.5MOHM @ 20a，4.5V	1.3V @ 200µA	32 NC @ 5 V	±12V	2900 PF @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
2SC2705-O te6，f，m）	-	RFQ	6177	东芝半导体和存储	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2705			800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000																		150 v	50 mA		100NA（ICBO）	NPN	1V @ 1mA，10mA	80 @ 10mA，5V	200MHz
TPH1400ANH，L1Q	1.5000	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH1400		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					100 v	24A（TC）	10V	13.6mohm @ 12a，10v	4V @ 300µA	22 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 50 V	-	1.6W（TA），48W（tc）
TK40E10N1，S1X	1.9900	RFQ	3520	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK40E10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	90A（TC）	10V	8.2MOHM @ 20A，10V	4V @ 500µA	49 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 50 V	-	126W（TC）
RN4906，LF	0.2800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4906			200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000																		50V	100mA		500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	4.7kohms	47kohms
RN1409，LXHF	0.0645	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1409			200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
2SK3309（Q）	-	RFQ	9535	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	2SK3309		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FL	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					450 v	10a（10a）	10V	650MOHM @ 5A，10V	5V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 10 V	-	65W（TC）
RN4910，LF	0.2800	RFQ	7429	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4910			200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000																		50V	100mA		100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200MHz	4.7kohms	-
2SC2235-O，f（j	-	RFQ	8839	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235			900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	1																		120 v	800 MA		100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
SSM3J307T（TE85L，F）	-	RFQ	9193	东芝半导体和存储	U-MOSV	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J307		MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	5A（5A）	1.5V，4.5V	31MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1170 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
TK8A10K3，S5Q	-	RFQ	5357	东芝半导体和存储	U-Mosiv	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK8A10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	8a（8a）	10V	120MOHM @ 4A，10V	4V @ 1mA	12.9 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 10 V	-	18W（TC）
TK14A45D（sta4，Q，m）	3.0300	RFQ	4530	东芝半导体和存储	-	管子	积极的		-	通过洞	TO-220-3完整包	TK14A45		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					450 v	14a		340MOHM @ 7A，10V	-				-	-
tpca8031-h te12l，q	-	RFQ	8993	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8031		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	24A（24A）	4.5V，10V	11mohm @ 12a，10v	2.5V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 10 V	-	1.6W（TA），30W（TC）
tpca8a02-h（TE12LQM	-	RFQ	8734	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8A02		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	34A（ta）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 17A，10V	2.3V @ 1mA	36 NC @ 10 V	±20V	3430 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
2sa949-o（te6，f，m）	-	RFQ	1856年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA949			800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	1																		150 v	50 mA		100NA（ICBO）	PNP	800mv @ 1mA，10a	70 @ 10mA，5V	120MHz
tpcf8b01（te85l，f，m	-	RFQ	5121	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TPCF8B01		MOSFET （金属 o化物）		VS-8 （2.9x1.5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000		P通道					20 v	2.7a（ta）	1.8V，4.5V	110MOHM @ 1.4A，4.5V	1.2V @ 200µA	6 NC @ 5 V	±8V	470 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	330MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²