SIC
close

2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
2SA1587-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1587-BL，LF 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SA1587 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 1mA，10mA 350 @ 2mA，6v 100MHz
RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1427TE85LF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1427 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 800 MA 500NA npn-预先偏见 250mv @ 1mA，50mA 90 @ 100mA，1V 300 MHz 2.2 kohms 10 kohms
2SC2235-O(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O （T6FJT，AF -
RFQ
 ECAD 2992 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV，L3F 0.1000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1130 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 100 @ 10mA，5v 250 MHz 100 kohms 100 kohms
2SC5171,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171，matudq（j。 -
RFQ
 ECAD 1872年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC5171 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µA（ICBO） NPN 1V @ 100mA，1a 100 @ 100mA，5V 200MHz
RN1906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906FE，LF（ct 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1906 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
2SC2655-Y,T6APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y，T6APNF （M -
RFQ
 ECAD 3058 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2655 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1414，LF 0.1900
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1414 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
TK6A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A55DA（STA4，Q，m） 1.4900
RFQ
 ECAD 8915 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK6A55 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 5.5A（ta） 10V 1.48OHM @ 2.8A，10V 4.4V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±30V 600 pf @ 25 V - 35W（TC）
TK170V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK170V65Z，LQ 3.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK170V65 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 18A（18A） 10V 170MOHM @ 9A，10V 4V @ 730µA 29 NC @ 10 V ±30V 1635 PF @ 300 V - 150W（TC）
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962，T6F （M -
RFQ
 ECAD 4332 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK2962 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 1A（TJ）
RN2109MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2109MFV，L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 7200 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2109 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 47科姆斯 22 KOHMS
2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5065-y te85l，f） 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SC5065 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 12db〜17dB 12V 30mA NPN 120 @ 10mA，5V 7GHz 1.1db @ 1GHz
RN2907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE，LF（ct 0.2600
RFQ
 ECAD 9918 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2907 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
TPCF8402(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage tpcf8402（te85l，f，m -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCF8402 MOSFET （金属 o化物） 330MW VS-8 （2.9x1.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 30V 4a，3.2a 50MOHM @ 2A，10V 2V @ 1mA 10NC @ 10V 470pf @ 10V 逻辑级别门
RN2303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2303（TE85L，F） 0.2700
RFQ
 ECAD 367 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2303 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
2SA1931,NSEIKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931，NSEIKIQ（j。 -
RFQ
 ECAD 5094 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1931 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 50 V 5 a 1µA（ICBO） PNP 400mv @ 200mA，2a 100 @ 1A，1V 60MHz
TW083Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083Z65C，S1F 11.4500
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-247-4 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247-4L x（X） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 30A（TC） 18V 118mohm @ 15a，18v 5V @ 600µA 28 NC @ 18 V +25V，-10V 873 PF @ 400 V - 111W（TC）
TW030Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW030Z120C，S1F 30.4100
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-247-4 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247-4L x（X） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 60a（TC） 18V 41mohm @ 30a，18v 5V @ 13mA 82 NC @ 18 V +25V，-10V 2925 PF @ 800 V - 249W（TC）
TW140Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW140Z120C，S1F 10.2200
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-247-4 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247-4L x（X） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 20A（TC） 18V 191MOHM @ 10a，18v 5V @ 1mA 24 NC @ 18 V +25V，-10V 691 PF @ 800 V - 107W（TC）
SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV（TPL3） -
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 SSM3K35 MOSFET （金属 o化物） VESM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 20 v 180mA（TA） 1.2V，4V 3ohm @ 50mA，4V 1V @ 1mA ±10V 9.5 pf @ 3 V - 150MW（TA）
TK6A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK6A80E，S4X 1.8900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosviii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK6A80 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 6a（6a） 10V 1.7OHM @ 3A，10V 4V @ 600µA 32 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 25 V - 45W（TC）
2SK2989,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989，f（j -
RFQ
 ECAD 9148 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK2989 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 5A（TJ）
2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3662（f） -
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SK3662 MOSFET （金属 o化物） TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 35A（TA） 4V，10V 12.5MOHM @ 18A，10V 2.5V @ 1mA 91 NC @ 10 V ±20V 5120 PF @ 10 V - 35W（TC）
3SK294(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK294（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 12.5 v 表面安装 SC-82A，SOT-343 3SK294 500MHz MOSFET USQ 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30mA 10 MA - 26dB 1.4dB 6 V
TK6A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A53D（sta4，Q，m） 1.5000
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK6A53 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 525 v 6a（6a） 10V 1.3OHM @ 3A，10V 4.4V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±30V 600 pf @ 25 V - 35W（TC）
TK17N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK17N65W，S1F 3.8600
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 TK17N65 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 17.3a（ta） 10V 200mohm @ 8.7a，10v 3.5V @ 900µA 45 NC @ 10 V ±30V 1800 PF @ 300 V - 165W（TC）
2SK3670,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670，f（j -
RFQ
 ECAD 2775 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK3670 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 670mA（TJ）
2SJ438(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438（Cano，A，Q） -
RFQ
 ECAD 6374 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 2SJ438 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 5A（TJ）
TK160F10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L，LQ 2.8400
RFQ
 ECAD 1592年 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB TK160F10 MOSFET （金属 o化物） TO-220SM（W） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 160a（ta） 6V，10V 2.4mohm @ 80a，10v 3.5V @ 1mA 122 NC @ 10 V ±20V 10100 PF @ 10 V - 375W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭