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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SA1244-y Q) | - | ![]() | 1152 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | 2SA1244 | 1 w | PW-MOLD | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0075 | 200 | 50 V | 5 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 150mA,3a | 120 @ 1A,1V | 60MHz | ||||||||||||||||||
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![]() | HN3C51F-gr (TE85L,f | - | ![]() | 3368 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | HN3C51 | 300MW | SM6 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 120V | 100mA | 100NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 300mv @ 1mA,10mA | 200 @ 2mA,6v | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | RN1108,LXHF(ct | 0.3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | RN1108 | 100兆 | SSM | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | 47科姆斯 | |||||||||||||||||
![]() | SSM6J206FE(TE85L,f | - | ![]() | 3596 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SSM6J206 | MOSFET (金属 o化物) | ES6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | P通道 | 20 v | 2A(TA) | 1.8V,4V | 130MOHM @ 1A,4V | 1V @ 1mA | ±8V | 335 pf @ 10 V | - | 500MW(TA) | ||||||||||||||
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![]() | TK2P90E,RQ | 1.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 900 v | 2A(TA) | 10V | 5.9OHM @ 1A,10V | 4V @ 200µA | 12 nc @ 10 V | ±30V | 500 pf @ 25 V | - | 80W(TC) | ||||||||||||||
![]() | RN2907FE,LF(ct | 0.2600 | ![]() | 9918 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | RN2907 | 100MW | ES6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP-) | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 200MHz | 10KOHMS | 47kohms | ||||||||||||||||
![]() | HN1B04FU-Y,LF | 0.2700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 125°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | HN1B04 | 200MW | US6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150mA | 100NA(ICBO) | NPN,PNP | 250mv @ 10mA,100mA / 300mv @ 10mA,100mA | 120 @ 2mA,6v | 150MHz | |||||||||||||||||
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![]() | tpca8031-h te12l,q | - | ![]() | 8993 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-MOSV-H | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCA8031 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 24A(24A) | 4.5V,10V | 11mohm @ 12a,10v | 2.5V @ 1mA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 2150 pf @ 10 V | - | 1.6W(TA),30W(TC) | ||||||||||||||
![]() | 2SA1162-gr,LXHF | 0.3900 | ![]() | 454 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 125°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 200兆 | S-Mini | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 300mv @ 10mA,100mA | 200 @ 2mA,6v | 80MHz | |||||||||||||||||||
![]() | TTA1452B,S4X | 1.9800 | ![]() | 9235 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 2 w | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 12 a | 5µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 300mA,6a | 120 @ 1A,1V | 50MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SK2035 (T5L,F,T) | - | ![]() | 1230 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | 2SK2035 | MOSFET (金属 o化物) | SSM | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | (100mA)(TA) | 2.5V | 12ohm @ 10mA,2.5V | - | 10V | 8.5 pf @ 3 V | - | 100mW(TA) | |||||||||||||||
tpca8016-h(TE12LQM | - | ![]() | 6814 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | Digi-Reel® | 过时的 | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPCA8016 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 25A(TA) | 21MOHM @ 13A,10V | 2.3V @ 1mA | 22 NC @ 10 V | 1375 PF @ 10 V | - | |||||||||||||||||||
![]() | TPCP8004(TE85L,F) | - | ![]() | 6792 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiv | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | TPCP8004 | MOSFET (金属 o化物) | PS-8(2.9x2.4) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 8.3a(ta) | 4.5V,10V | 8.5MOHM @ 4.2A,10V | 2.5V @ 1mA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 1270 pf @ 10 V | - | 840MW(TA) | ||||||||||||||
![]() | RN2115,LXHF(ct | 0.3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | RN2115 | 100兆 | SSM | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 50 @ 10mA,5V | 200 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||
![]() | SSM6N24TU,LF | 0.4500 | ![]() | 7409 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiii | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | SSM6N24 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW(TA) | UF6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 500mA(ta) | 145mohm @ 500mA,4.5V | 1.1V @ 100µA | - | 245pf @ 10V | - | |||||||||||||||
![]() | RN4987,LXHF(ct | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | RN4987 | 200MW | US6 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250MHz,200MHz | 10KOHMS | 47kohms | |||||||||||||||||
![]() | 2SC2229-y t6onk1fm | - | ![]() | 8244 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | 2SC2229 | 800兆 | to-92mod | 下载 | (1 (无限) | 2SC2229YT6ONK1FM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 v | 50 mA | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 1mA,10mA | 70 @ 10mA,5V | 120MHz | |||||||||||||||||
![]() | TK20S04K3L (T6L1,NQ | - | ![]() | 2714 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosiv | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TK20S04 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK+ | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 40 V | 20A(TA) | 6V,10V | 14mohm @ 10a,10v | 3V @ 1mA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 820 pf @ 10 V | - | 38W(TC) | |||||||||||||
![]() | 2SA1020-O(M)(m) | - | ![]() | 4526 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | 2SA1020 | 900兆 | to-92mod | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 2 a | 1µA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,1a | 70 @ 500mA,2V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TK6A55DA(STA4,Q,m) | 1.4900 | ![]() | 8915 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | π-mosvii | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK6A55 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 550 v | 5.5A(ta) | 10V | 1.48OHM @ 2.8A,10V | 4.4V @ 1mA | 12 nc @ 10 V | ±30V | 600 pf @ 25 V | - | 35W(TC) | |||||||||||||
![]() | SSM6P40TU,LF | 0.4800 | ![]() | 3853 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | SSM6P40 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW(TA) | UF6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 1.4a(ta) | 226mohm @ 1A,10V | 2V @ 1mA | 2.9nc @ 10V | 120pf @ 15V | 逻辑水平门,4V驱动器 | |||||||||||||||
![]() | TPN4R712MD,L1Q | 0.8500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosvi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPN4R712 | MOSFET (金属 o化物) | 8-tson Advance(3.1x3.1) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P通道 | 20 v | 36a(TC) | 2.5V,4.5V | 4.7MOHM @ 18A,4.5V | 1.2V @ 1mA | 65 NC @ 5 V | ±12V | 4300 PF @ 10 V | - | 42W(TC) |
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