晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TPCP8203(TE85L,F)	-	询价	5326	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCP8203			MOSFET（金属O化物）	360毫W	PS-8 (2.9x2.4)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）							40V	4.7A		-	2.5V@1mA	-		-	-
RN2610(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74、SOT-457	RN2610				300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安						100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	-
SSM3J325F,LF	0.4100	询价	17号	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J325			MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道						20V	2A（塔）	1.5V、4.5V	150mOhm@1A，4.5V	-	4.5V时为4.6nC	±8V	270pF@10V	-	600毫W（塔）
TK45P03M1,RQ(S	-	询价	5821	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的		-	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK45P03			MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						30V	45A（塔）	4.5V、10V	9.7毫欧@22.5A，10V	2.3V@200μA	25nC@10V	±20V	1500pF@10V	-	-
2SA949-O(TE6,F,M)	-	询价	1856年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA949				800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																				150伏	50毫安						100nA（ICBO）	国民党	800mV@1mA，10A	70@10mA，5V	120兆赫
2SD2257(Q,M)	-	询价	9334	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2257				2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1																				100伏	3A						10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1.5mA，1.5A	2000 @ 2A、2V	-
SSM3J35MFV，L3F	0.2300	询价	53	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3J35			MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000		P沟道						20V	100mA（塔）		8欧姆@50mA，4V	-			12.2pF@3V	-	150毫W（塔）
TPH1R403NL,L1Q	1.5500	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1R403			MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						30V	60A（塔）	4.5V、10V	1.4毫欧@30A，10V	2.3V@500μA	46nC@10V	±20V	4400pF@15V	-	1.6W（Ta）、64W（Tc）
TK100S04N1L,LXHQ	1.7200	询价	8020	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK100S04			MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						40V	100A（塔）	4.5V、10V	2.3毫欧@50A，10V	2.5V@500μA	76nC@10V	±20V	5490pF@10V	-	180W（温度）
RN1903FE,LF(CT	0.2500	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1903				100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	4,000																				50V	100毫安						500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
RN1101,LF(CT	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1101				100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安						500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
TK7E80W,S1X	2.8500	询价	8245	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150℃	通孔	TO-220-3	TK7E80			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						800V	6.5A（塔）	10V	950毫欧@3.3A，10V	4V@280μA	13nC@10V	±20V	700 pF @ 300 V	-	110W（温度）
SSM3J358R，LF	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J358			MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道						20V	6A（塔）	1.8V、8V	22.1毫欧@6A、8V	1V@1mA	8V时为38.5nC	±10V	1331pF@10V	-	1W（塔）
TK28A65W,S5X	5.0100	询价	34	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK28A65			MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						650伏	27.6A（塔）	10V	110毫欧@13.8A，10V	3.5V@1.6mA	75nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TPH7R506NH,L1Q	1.4700	询价	26	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH7R506			MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						60V	22A（塔）	10V	7.5毫欧@11A，10V	4V@300μA	31nC@10V	±20V	2320pF@30V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
RN2113,LXHF(CT	0.0624	询价	9067	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2113				100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安						100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	47欧姆
TK7P60W,RVQ	1.8400	询价	9031	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK7P60			MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						600伏	7A（塔）	10V	600毫欧@3.5A，10V	3.7V@350μA	15nC@10V	±30V	490 pF @ 300 V	-	60W（温度）
GT40WR21,Q	11.0200	询价	7358	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极		175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准			375W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	100				-															-	1350伏	40A	80A	5.9V@15V，40A	-	-
HN1C03F-B(TE85L,F)	0.1485	询价	6796	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	HN1C03				300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				20V	300毫安						100nA（ICBO）	2 NPN（双）	100毫伏@3毫安，30毫安	350@4mA，2V	30兆赫兹
RN1132MFV，L3F	0.1800	询价	2506	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	RN1132				150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000																				50V	100毫安						100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		200欧姆
TK13A45D(STA4,Q,M)	2.4700	询价	9513	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK13A45			MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						450伏	13A（塔）	10V	460毫欧@6.5A，10V	4V@1mA	25nC@10V	±30V	1350pF@25V	-	45W（温度）
TK62N60W5,S1VF	11.3800	询价	18	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150℃	通孔	TO-247-3				MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道						600伏	61.8A（塔）	10V	45毫欧@30.9A，10V	4.5V@3.1mA	205nC@10V	±30V	6500 pF @ 300 V	-	400W（温度）
RN4902FE,LXHF(CT	0.3800	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4902				100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																				50V	100毫安						500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
HN1A01F-Y(TE85L,F)	-	询价	3952	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	HN1A01				300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	150毫安						100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
TPH1R204PL1,LQ	1.6600	询价	16	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-PowerTDFN				MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5.75)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						40V	150A（温度）	4.5V、10V	1.24毫欧@50A，10V	2.4V@500μA	74nC@10V	±20V	7200pF@20V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
RN2308(TE85L,F)	0.2700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2308				100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安						500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	47欧姆
TK40E06N1,S1X	1.0400	询价	9091	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK40E06			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						60V	40A（塔）	10V	10.4毫欧@20A，10V	4V@300μA	23nC@10V	±20V	1700pF@30V	-	67W（温度）
3SK294(TE85L,F)	0.4700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	12.5V		表面贴装	SC-82A、SOT-343	3SK294		500兆赫	场效应晶体管		南昆士兰大学	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道		30毫安		10毫安	-	26分贝											1.4分贝								6V
TPCA8009-H(TE12L,Q	-	询价	7100	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8009			MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						150伏	7A（塔）	10V	350mOhm@3.5A，10V	4V@1mA	10nC@10V	±20V	600pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TK4A80E,S4X	1.2300	询价	9274	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		150℃	通孔	TO-220-3全包				MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						800V	4A（塔）	10V	3.5欧姆@2A，10V	4V@400μA	15nC@10V	±30V	650pF@25V	-	35W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²