SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-y Q) -
RFQ
ECAD 1152 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-251-3,IPAK,TO-251AA 2SA1244 1 w PW-MOLD - (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 200 50 V 5 a 1µA(ICBO) PNP 400mv @ 150mA,3a 120 @ 1A,1V 60MHz
RN4904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904FE,LXHF(ct 0.3800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN4904 100MW ES6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 200MHz,250MHz 47kohms 47kohms
HN3C51F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-gr (TE85L,f -
RFQ
ECAD 3368 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 HN3C51 300MW SM6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100NA(ICBO) 2 NPN (双) 300mv @ 1mA,10mA 200 @ 2mA,6v 100MHz
RN1108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108,LXHF(ct 0.3300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 RN1108 100兆 SSM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
SSM6J206FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J206FE(TE85L,f -
RFQ
ECAD 3596 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SSM6J206 MOSFET (金属 o化物) ES6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 P通道 20 v 2A(TA) 1.8V,4V 130MOHM @ 1A,4V 1V @ 1mA ±8V 335 pf @ 10 V - 500MW(TA)
RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1701JE(TE85L,F) 0.4700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-553 RN1701 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA(ICBO) 2(NPN- 预偏(双重)()() 300mv @ 250µA,5mA 30 @ 10mA,5V 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TK25E06K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK25E06K3,S1X(s -
RFQ
ECAD 4655 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 TK25E06 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 25A(TA) 18mohm @ 12.5a,10v - 29 NC @ 10 V - 60W(TC)
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2704,LF 0.3100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 RN2704 200MW USV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 200MHz 47kohms 47kohms
RN1131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV,L3F 0.1800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-723 RN1131 150兆 VESM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 500µA,5mA 120 @ 1mA,5V 100 kohms
TK2P90E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK2P90E,RQ 1.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 900 v 2A(TA) 10V 5.9OHM @ 1A,10V 4V @ 200µA 12 nc @ 10 V ±30V 500 pf @ 25 V - 80W(TC)
RN2907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE,LF(ct 0.2600
RFQ
ECAD 9918 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN2907 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y,LF 0.2700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 HN1B04 200MW US6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100NA(ICBO) NPN,PNP 250mv @ 10mA,100mA / 300mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 150MHz
RN2412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412TE85LF 0.2900
RFQ
ECAD 6971 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RN2412 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 200 MHz 22 KOHMS
RN2425(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2425(TE85L,F) 0.4000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RN2425 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 800 MA 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 1mA,50mA 90 @ 100mA,1V 200 MHz 10 kohms
RN4989FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989FE,LF(ct 0.2400
RFQ
ECAD 8519 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 RN4989 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 70 @ 10mA,5V 250MHz,200MHz 47kohms 22KOHMS
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage tpca8031-h te12l,q -
RFQ
ECAD 8993 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV-H 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPCA8031 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 24A(24A) 4.5V,10V 11mohm @ 12a,10v 2.5V @ 1mA 21 NC @ 10 V ±20V 2150 pf @ 10 V - 1.6W(TA),30W(TC)
2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-gr,LXHF 0.3900
RFQ
ECAD 454 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 125°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 200兆 S-Mini 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 200 @ 2mA,6v 80MHz
TTA1452B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TTA1452B,S4X 1.9800
RFQ
ECAD 9235 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 2 w TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 80 V 12 a 5µA(ICBO) PNP 400mv @ 300mA,6a 120 @ 1A,1V 50MHz
2SK2035(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2035 (T5L,F,T) -
RFQ
ECAD 1230 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 2SK2035 MOSFET (金属 o化物) SSM - (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v (100mA)(TA) 2.5V 12ohm @ 10mA,2.5V - 10V 8.5 pf @ 3 V - 100mW(TA)
TPCA8016-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpca8016-h(TE12LQM -
RFQ
ECAD 6814 0.00000000 东芝半导体和存储 - Digi-Reel® 过时的 表面安装 8-Powervdfn TPCA8016 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 25A(TA) 21MOHM @ 13A,10V 2.3V @ 1mA 22 NC @ 10 V 1375 PF @ 10 V -
TPCP8004(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8004(TE85L,F) -
RFQ
ECAD 6792 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 TPCP8004 MOSFET (金属 o化物) PS-8(2.9x2.4) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 8.3a(ta) 4.5V,10V 8.5MOHM @ 4.2A,10V 2.5V @ 1mA 26 NC @ 10 V ±20V 1270 pf @ 10 V - 840MW(TA)
RN2115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2115,LXHF(ct 0.3300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 RN2115 100兆 SSM 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 50 @ 10mA,5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N24TU,LF 0.4500
RFQ
ECAD 7409 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 6-SMD,平坦的铅 SSM6N24 MOSFET (金属 o化物) 500MW(TA) UF6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 500mA(ta) 145mohm @ 500mA,4.5V 1.1V @ 100µA - 245pf @ 10V -
RN4987,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987,LXHF(ct 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 RN4987 200MW US6 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz,200MHz 10KOHMS 47kohms
2SC2229-Y(T6ONK1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y t6onk1fm -
RFQ
ECAD 8244 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SC2229 800兆 to-92mod 下载 (1 (无限) 2SC2229YT6ONK1FM Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 1mA,10mA 70 @ 10mA,5V 120MHz
TK20S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S04K3L (T6L1,NQ -
RFQ
ECAD 2714 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TK20S04 MOSFET (金属 o化物) DPAK+ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 20A(TA) 6V,10V 14mohm @ 10a,10v 3V @ 1mA 18 nc @ 10 V ±20V 820 pf @ 10 V - 38W(TC)
2SA1020-O(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O(M)(m) -
RFQ
ECAD 4526 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,1a 70 @ 500mA,2V 100MHz
TK6A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A55DA(STA4,Q,m) 1.4900
RFQ
ECAD 8915 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 TK6A55 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 5.5A(ta) 10V 1.48OHM @ 2.8A,10V 4.4V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±30V 600 pf @ 25 V - 35W(TC)
SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P40TU,LF 0.4800
RFQ
ECAD 3853 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 6-SMD,平坦的铅 SSM6P40 MOSFET (金属 o化物) 500MW(TA) UF6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 30V 1.4a(ta) 226mohm @ 1A,10V 2V @ 1mA 2.9nc @ 10V 120pf @ 15V 逻辑水平门,4V驱动器
TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD,L1Q 0.8500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn TPN4R712 MOSFET (金属 o化物) 8-tson Advance(3.1x3.1) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 20 v 36a(TC) 2.5V,4.5V 4.7MOHM @ 18A,4.5V 1.2V @ 1mA 65 NC @ 5 V ±12V 4300 PF @ 10 V - 42W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库