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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
RN2314（TE85L，F）	0.2800	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN2314			100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma					500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	1 kohms	10 kohms
RN2412TE85LF	0.2900	RFQ	6971	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2412			200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma					100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200 MHz	22 KOHMS
SSM3J108TU（TE85L）	-	RFQ	2405	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J108		MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	1.8A（ta）	1.8V，4V	158mohm @ 800mA，4V	1V @ 1mA		±8V	250 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TPN30008NH，LQ	0.9000	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN30008		MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.3x3.3）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					80 V	9.6A（TC）	10V	30mohm @ 4.8A，10V	4V @ 100µA	11 NC @ 10 V	±20V	920 PF @ 40 V	-	700MW（TA），27W（27W）TC）
TK10A60W，S4VX	2.7800	RFQ	50	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK10A60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	9.7A（ta）	10V	380MOHM @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 300 V	-	30W（TC）
TK12A60W，S4VX	3.9800	RFQ	50	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK12A60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	11.5A（TA）	10V	300MOHM @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	35W（TC）
TPN14006NH，L1Q	0.3533	RFQ	4019	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN14006		MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					60 V	13A（TA）	6.5V，10V	14mohm @ 6.5a，10v	4V @ 200µA	15 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 30 V	-	700MW（TA），30W（TC）
TK8A60W，S4VX	2.6600	RFQ	4513	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK8A60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	8a（8a）	10V	500MOHM @ 4A，10V	3.7V @ 400µA	18.5 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 300 V	-	30W（TC）
SSM6J213FE（te85l，f	0.4700	RFQ	8736	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6J213		MOSFET （金属 o化物）		ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000		P通道					20 v	2.6a（ta）	1.5V，4.5V	103MOHM @ 1.5A，4.5V	1V @ 1mA	4.7 NC @ 4.5 V	±8V	290 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SSM6J505NU，LF	0.5100	RFQ	19	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6J505		MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					12 v	12a（12a）	1.2V，4.5V	12MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	37.6 NC @ 4.5 V	±6V	2700 PF @ 10 V	-	1.25W（TA）
TPN2R503NC，L1Q	-	RFQ	1432	东芝半导体和存储	U-Mosviii	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN2R503		MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	40a（ta）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 500µA	40 NC @ 10 V	±20V	2230 pf @ 15 V	-	700MW（TA），35W （TC）
TK32E12N1，S1X	1.5300	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK32E12		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					120 v	60a（TC）	10V	13.8mohm @ 16a，10v	4V @ 500µA	34 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 60 V	-	98W（TC）
TK12Q60W，S1VQ	2.0600	RFQ	75	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TK12Q60		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	TK12Q60WS1VQ	Ear99	8541.29.0095	75		n通道					600 v	11.5A（TA）	10V	340MOHM @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	100W（TC）
TK16N60W，S1VF	4.1900	RFQ	7281	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK16N60		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	15.8A（TA）	10V	190mohm @ 7.9a，10v	3.7V @ 790µA	38 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
2SC5095-R（TE85L，F）	-	RFQ	9694	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC5095			100MW	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000						13db〜7.5dB												10V	15mA						NPN		50 @ 7mA，6v	10GHz			1.8dB @ 2GHz
2SK2035 （T5L，F，T）	-	RFQ	1230	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SK2035		MOSFET （金属 o化物）		SSM	-		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	（100mA）（TA）	2.5V	12ohm @ 10mA，2.5V	-		10V	8.5 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
2SK2145-BL（TE85L，f	0.6800	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	2SK2145			300兆	SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		2 n 通道（双）												13pf @ 10V								6 mA @ 10 V	200 mv @ 100 na
2SK880-BL（TE85L，F）	0.5900	RFQ	14	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SK880			100兆	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道												13pf @ 10V							50 V	6 mA @ 10 V	1.5 V @ 100 na
3SK291（TE85L，F）	-	RFQ	4341	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	12.5 v		表面安装	SC-61AA	3SK291	800MHz	MOSFET		smq	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	10 MA	-	22.5dB											2.5dB			6 V
RFM04U6P（TE12L，F）	1.5493	RFQ	7126	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	16 V		表面安装	TO-243AA	RFM04U6	470MHz	MOSFET		PW-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		2a	500 MA	4.3W	13.3db											-			6 V
RN1104MFV，L3F	0.1700	RFQ	8	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	RN1104			150兆	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																		50 V	100 ma					500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	80 @ 10mA，5V		47科姆斯	47科姆斯
RN1107，LF（ct	0.2000	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN1107			100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma					500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
RN1108 （T5L，F，T）	0.2300	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN1108			100兆	SSM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma					500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
RN1131MFV （TL3，T）	0.2100	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	RN1131			150兆	VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																		50 V	100 ma					100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	120 @ 1mA，5V		100 kohms
RN1310（TE85L，F）	0.2600	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN1310			100兆	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma					100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
RN2711（TE85L，F）	-	RFQ	1334	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	RN2711			200MW	5-SSOP	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50V	100mA					100NA（ICBO）	2（PNP- 预偏（双重）（）	300mv @ 250µA，5mA	400 @ 1mA，5V	200MHz	10KOHMS	-
RN4603（TE85L，F）	0.3800	RFQ	7481	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457	RN4603			300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50V	100mA					100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	22KOHMS	22KOHMS
SSM3J304T（TE85L，F）	-	RFQ	9160	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J304		MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	2.3a（ta）	1.8V，4V	127MOHM @ 1A，4V	-	6.1 NC @ 4 V	±8V	335 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
SSM3K16CT（TPL3）	0.0571	RFQ	2573	东芝半导体和存储	π-mosvi	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	SSM3K16		MOSFET （金属 o化物）		CST3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					20 v	（100mA）（TA）	1.5V，4V	3ohm @ 10mA，4V	1.1V @ 100µA		±10V	9.3 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
SSM3K309T（TE85L，F）	-	RFQ	1396	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3K309		MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	4.7a（ta）	1.8V，4V	31MOHM @ 4A，4V	-		±12V	1020 pf @ 10 V	-	700MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²