晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SC2229-O(SHP1,F,M	-	询价	9880	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													150伏	50毫安	100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
TK6R8A08QM,S4X	1.2100	询价	40	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	的积极	175℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	80V	58A（温度）	6V、10V	6.8毫欧@29A，10V	3.5V@500μA	39nC@10V	±20V	2700pF@40V	-	41W（温度）
2SC3225,T6ALPSF(米	-	询价	8797	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC3225		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													40V	2A	10μA（ICBO）	NPN	500毫伏@1毫安，300毫安	500@400mA，1V	220兆赫
2SA1162S-Y,LF	-	询价	9269	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1162		150毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
RN4987FE,LXHF(CT	0.3800	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4987		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
2SA1668	-	询价	4425	东芝半导体和存储	*	管子	的积极				2SA166				-	符合RoHS标准	1（无限制）	2SA1668TS		0000.00.0000	50
2SJ668(TE16L1,NQ)	-	询价	3389	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SJ668	MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SJ668(TE16L1NQ)	EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道	60V	5A（塔）	4V、10V	170毫欧@2.5A，10V	2V@1mA	15nC@10V	±20V	700pF@10V	-	20W（温度）
RN1409,LF	0.1900	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1409		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	22欧姆
TPWR6003PL,L1Q	3.0600	询价	第458章	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerWDFN	TPWR6003	MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	150A（温度）	4.5V、10V	0.6毫欧@50A，10V	2.1V@1mA	110nC@10V	±20V	10000pF@15V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
TK12Q60W,S1VQ	2.0600	询价	75	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	TK12Q60	MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	TK12Q60WS1VQ	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	600伏	11.5A（塔）	10V	340毫欧@5.8A，10V	3.7V@600μA	25nC@10V	±30V	890 pF @ 300 V	-	100W（温度）
TK34A10N1,S4X	1.5500	询价	9909	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK34A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100V	34A（温度）	10V	9.5毫欧@17A，10V	4V@500μA	38nC@10V	±20V	2600pF@50V	-	35W（温度）
TK14A45D(STA4,Q,M)	3.0300	询价	4530	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	-	通孔	TO-220-3全包	TK14A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	450伏	14A		340毫欧@7A，10V	-				-	-
TK13E25D,S1X(S	2.2900	询价	4902	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK13E25	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	250伏	13A（塔）	10V	250mOhm@6.5A，10V	3.5V@1mA	25nC@10V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	102W（温度）
TDTC124E,LM	0.1800	询价	4840	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTC124		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	49@5mA，5V	250兆赫	22欧姆
RN2104MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2104		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
SSM3K56MFV，L3F	0.4500	询价	50	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3K56	MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000		N沟道	20V	800mA（塔）	1.5V、4.5V	235毫欧@800mA，4.5V	1V@1mA	1nC@4.5V	±8V	55pF@10V	-	150毫W（塔）
RN2110CT(TPL3)	-	询价	1745	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2110		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													20V	50毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	300@1mA，5V		4.7欧姆
SSM3J351R，LF	0.4300	询价	162	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J351	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	60V	3.5A（塔）	4V、10V	134mOhm@1A，10V	2V@1mA	15.1nC@10V	+10V，-20V	660pF@10V	-	2W（塔）
SSM6N24TU，LF	0.4500	询价	7409	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N24	MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	500mA（塔）		145mOhm@500mA，4.5V	1.1V@100μA	-		245pF@10V	-
RN2109ACT(TPL3)	0.3400	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2109		100毫W	CST3	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	80毫安	500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	70@10mA，5V		47欧姆	22欧姆
SSM3K15F,LF	0.2300	询价	72	东芝半导体和存储	π-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K15	MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	7.8pF@3V	-	200毫W（塔）
HN1B04FE-GR,LXHF	0.4500	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1B04		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN、PNP	250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA	200@2mA，6V	80兆赫
RN1103ACT(TPL3)	-	询价	8929	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1103		100毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	80毫安	500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	70@10mA，5V		22欧姆	22欧姆
RN2316,LXHF	0.3900	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2316		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	10欧姆
2SC2235-O,F(J	-	询价	8839	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TK9A65W,S5X	2.2200	询价	1169	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK9A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	9.3A（塔）	10V	500毫欧@4.6A，10V	3.5V@350μA	20nC@10V	±30V	700 pF @ 300 V	-	30W（温度）
2SA1954-A(TE85L,F)	-	询价	8074	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SA1954		100毫W	SC-70	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													12V	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	250mV@10mA、200mA	300@10mA，2V	130兆赫
TPN14006NH,L1Q	0.3533	询价	4019	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN14006	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	60V	13A（塔）	6.5V、10V	14毫欧@6.5A，10V	4V@200μA	15nC@10V	±20V	1300pF@30V	-	700mW（Ta）、30W（Tc）
RN1421TE85LF	0.4200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1421		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	800毫安	500纳安	NPN - 预偏置	250mV@2mA、50mA	60@100mA，1V	300兆赫	1欧姆	1欧姆
SSM6K411TU(TE85L,F	-	询价	5581	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6K411	MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	10A（塔）	2.5V、4.5V	12毫欧@7A，4.5V	1.2V@1mA	9.4nC@4.5V	±12V	710pF@10V	-	1W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²