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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
TK20J60W，S1VE	5.3600	RFQ	24	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK20J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	20A（TA）	10V	155mohm @ 10a，10v	3.7V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±30V	1680 PF @ 300 V	-	165W（TC）
SSM3K16F，LF	0.2300	RFQ	6974	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SC-75，SOT-416		MOSFET （金属 o化物）		SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	（100mA）（TA）	1.5V，4V	3ohm @ 10mA，4V	1.1V @ 100µA		±10V	9.3 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
RN4904，LXHF（ct	0.4400	RFQ	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4904		200MW	US6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000														50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	47kohms	47kohms
TK7E80W，S1X	2.8500	RFQ	8245	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3	TK7E80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	6.5A（TA）	10V	950MOHM @ 3.3A，10V	4V @ 280µA	13 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 300 V	-	110W（TC）
SSM3K127TU，LF	0.3700	RFQ	34	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3K127	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		30 V	2A（TA）	1.8V，4V	123MOHM @ 1A，4V	1V @ 1mA	1.5 NC @ 4 V	±12V	123 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
2SC5171 lbs2matq，m	-	RFQ	8910	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC5171		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0075	1														180 v	2 a	5µA（ICBO）	NPN	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	200MHz
TK3R2A08QM，S4X	2.1700	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	92A（TC）	6V，10V	3.2MOHM @ 46A，10V	3.5V @ 1.3mA	102 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 40 V	-	45W（TC）
2SC4738-Y，LF	0.2000	RFQ	8	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2SC4738		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000														50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
TPH8R80ANH，L1Q	1.7900	RFQ	30	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH8R80	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		100 v	32A（TC）	10V	8.8mohm @ 16a，10v	4V @ 500µA	33 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 50 V	-	1.6W（61W），61W（tc）
SSM6L14FE（TE85L，F）	0.4300	RFQ	35	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6L14	MOSFET （金属 o化物）	150MW（TA）	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000	n和p通道			20V	800mA（ta），720mA（ta）		240MOHM @ 500mA，4.5V，300MOHM @ 400mA，4.5V	1V @ 1mA	2NC @ 4.5V，1.76NC @ 4.5V		90pf @ 10V，110pf @ 10V	逻辑级别门，1.5V
TPH14006NH，L1Q	1.1400	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH14006	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	14A（TA）	6.5V，10V	14mohm @ 7a，10v	4V @ 200µA	16 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 30 V	-	1.6W（TA），32W（（ta）
RN4983，LXHF（ct	0.4400	RFQ	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4983		200MW	US6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000														50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	22KOHMS	22KOHMS
TK30E06N1，S1X	0.9400	RFQ	6995	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK30E06	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	43A（ta）	10V	15mohm @ 15a，10v	4V @ 200µA	16 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 30 V	-	53W（TC）
TK13A45D（sta4，Q，m）	2.4700	RFQ	9513	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK13A45	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		450 v	13A（TA）	10V	460MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 25 V	-	45W（TC）
TJ20S04M3L （T6L1，NQ	1.3300	RFQ	9822	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ20S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道		40 V	20A（TA）	6V，10V	22.2MOHM @ 10A，10V	3V @ 1mA	37 NC @ 10 V	+10V，-20V	1850 pf @ 10 V	-	41W（TC）
TK60F10N1L，LXGQ	2.3200	RFQ	1	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	TK60F10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220SM（W）	-		3（168））	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	60a（ta）	6V，10V	6.11MOHM @ 30a，10v	3.5V @ 500µA	60 NC @ 10 V	±20V	4320 PF @ 10 V	-	205W（TC）
RN1405，LXHF	0.3400	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1405		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000														50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
RN1962TE85LF	-	RFQ	5519	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1962		500MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000														50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
2SC4738-gr，LXHF	0.3300	RFQ	4	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	SC-75，SOT-416			120兆	SSM	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000														50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
RN2109，lf（Ct	0.2000	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN2109		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
RN1116，LF（ct	0.2000	RFQ	170	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN1116		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
tpcp8001-h（TE85LFM	-	RFQ	4459	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TPCP8001	MOSFET （金属 o化物）		PS-8（2.9x2.4）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	7.2A（ta）	4.5V，10V	16mohm @ 3.6a，10v	2.3V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 10 V	-	1W（TA），30W（TC）
TPH1400ANH，L1Q	1.5000	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH1400	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		100 v	24A（TC）	10V	13.6mohm @ 12a，10v	4V @ 300µA	22 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 50 V	-	1.6W（TA），48W（tc）
2SC4207-gr （TE85L，f	0.3500	RFQ	41	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	2SC4207		300MW	SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000														50V	150mA	100NA（ICBO）	2 NPN （双）常见发射极	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
TP89R103NL，LQ	0.6600	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TP89R103	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	15A（TC）	4.5V，10V	9.1MOHM @ 7.5A，10V	2.3V @ 100µA	9.8 NC @ 10 V	±20V	820 pf @ 15 V	-	1W（TC）
2SC4793，HFEF （M	-	RFQ	4903	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC4793		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0075	1														230 v	1 a	1µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
TK5Q65W，S1Q	1.2700	RFQ	75	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TK5Q65	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		650 v	5.2a（ta）	10V	1.22OHM @ 2.6a，10V	3.5V @ 170µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	380 pf @ 300 V	-	60W（TC）
TK380P65Y，RQ	1.7300	RFQ	2	东芝半导体和存储	DTMOSV	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK380P65	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		650 v	9.7a（TC）	10V	380MOHM @ 4.9A，10V	4V @ 360µA	20 nc @ 10 V	±30V	590 pf @ 300 V	-	80W（TC）
2SC5087R（TE85L，F）	0.1270	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-61AA	2SC5087		150MW	smq	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000			-											12V	80mA		NPN		120 @ 20mA，10v	8GHz			1.1db〜2dB @ 1GHz
SSM6N17FU（TE85L，F）	0.4900	RFQ	14	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSM6N17	MOSFET （金属 o化物）	200mw（ta）	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			50V	（100mA）（TA）		20ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 1µA	-		7pf @ 3V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²