SIC
close

2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
TK34A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK34A10N1，S4X 1.5500
RFQ
 ECAD 9909 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK34A10 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 34A（TC） 10V 9.5Mohm @ 17a，10v 4V @ 500µA 38 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 50 V - 35W（TC）
3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK291（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 12.5 v 表面安装 SC-61AA 3SK291 800MHz MOSFET smq - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA 10 MA - 22.5dB 2.5dB 6 V
SSM3J372R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J372 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 6a（6a） 1.8V，10V 42MOHM @ 5A，10V 1.2V @ 1mA 8.2 NC @ 4.5 V +12V，-6V 560 pf @ 15 V - 1W（ta）
TK7A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A90E，S4X 1.6900
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosviii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK7A90 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 7a（ta） 10V 2ohm @ 3.5a，10v 4V @ 700µA 32 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 25 V - 45W（TC）
SSM6K217FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6K217 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n通道 40 V 1.8A（ta） 1.8V，8V 195MOHM @ 1A，8V 1.2V @ 1mA 1.1 NC @ 4.2 V ±12V 130 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N67NU，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6N67 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 6 µdfn （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4A（ta） 39.1MOHM @ 2A，4.5V 1V @ 1mA 3.2nc @ 4.5V 310pf @ 15V 逻辑水平门，1.8V
SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K316T（TE85L，f） -
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3K316 MOSFET （金属 o化物） TSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 4A（ta） 1.8V，10V 53mohm @ 3a，10v 1V @ 1mA 4.3 NC @ 4 V ±12V 270 pf @ 10 V - 700MW（TA）
TK5A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65W，S5X 1.6000
RFQ
 ECAD 1655年 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK5A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 5.2a（ta） 10V 1.2OHM @ 2.6a，10V 3.5V @ 170µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 V - 30W（TC）
SSM3J144TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3J144 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 3.2A（ta） 1.5V，4.5V 93mohm @ 1.5A，4.5V 1V @ 1mA 4.7 NC @ 4.5 V +6V，-8V 290 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM3J331R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J331R，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J331 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 4A（ta） 1.5V，4.5V 55mohm @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 10.4 NC @ 4.5 V ±8V 630 pf @ 10 V - 1W（ta）
TK210V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK210V65Z，LQ 3.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK210V65 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 15A（TA） 10V 210MOHM @ 7.5A，10V 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 300 V - 130W（TC）
TK8A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W5，S5VX 1.7500
RFQ
 ECAD 6899 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK8A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 8a（8a） 10V 540MOHM @ 4A，10V 4.5V @ 400µA 22 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 V - 30W（TC）
RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902，LF（ct 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4902 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K518NU，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6K518 MOSFET （金属 o化物） 6-udfnb（2x2） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6a（6a） 1.5V，4.5V 33MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 3.6 NC @ 4.5 V ±8V 410 pf @ 10 V - 1.25W（TA）
RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2702 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
2SC4793,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793，nseikif（j -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC4793 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA（ICBO） NPN 1.5V @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，5V 100MHz
SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L39TU，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L39 MOSFET （金属 o化物） 500MW UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 800mA 143mohm @ 600mA，4V 1V @ 1mA - 268pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
RN1703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1703，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN1703 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-O（Q） -
RFQ
 ECAD 3255 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SC3074 1 w PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 200 50 V 5 a 1µA（ICBO） NPN 400mv @ 150mA，3a 70 @ 1A，1V 120MHz
RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2309 100兆 SC-70 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
TK4A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60D（sta4，Q，m） -
RFQ
 ECAD 6275 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK4A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 4A（ta） 10V 1.7OHM @ 2A，10V 4.4V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±30V 600 pf @ 25 V - 35W（TC）
XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC，L1XHQ 1.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn XPN3R804 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance-WF （3.1x3.1） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 40a（ta） 4.5V，10V 3.8mohm @ 20a，10v 2.5V @ 300µA 35 NC @ 10 V ±20V 2230 PF @ 10 V - 840MW（TA），100W（TC）
RN4904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4904fe，lf（ct 0.2600
RFQ
 ECAD 1676年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4904 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 47kohms 47kohms
RN2422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2422TE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 4270 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2422 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 800 MA 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 1mA，50mA 65 @ 100mA，1V 200 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
TPCF8304(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8304 （TE85L，F，m -
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCF8304 MOSFET （金属 o化物） 330MW VS-8 （2.9x1.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 3.2a 72MOHM @ 1.6A，10V 1.2V @ 1mA 14NC @ 10V 600pf @ 10V 逻辑级别门
2SC2235-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O，f（j -
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
TK72E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E08N1，S1X 2.4400
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK72E08 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 72A（ta） 10V 4.3mohm @ 36a，10v 4V @ 1mA 81 NC @ 10 V ±20V 5500 PF @ 40 V - 192W（TC）
2SA965-Y,SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y，SWFF（m -
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA965 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） PNP 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE（TE85L，F） 0.0639
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1908 100MW ES6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 47kohms
RN2115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2115，LXHF（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2115 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭