晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TPCF8304(TE85L,F,M	-	询价	5747	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCF8304	MOSFET（金属O化物）	330毫W	VS-8 (2.9x1.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）		30V	3.2A		72毫欧@1.6A，10V	1.2V@1mA	14nC@10V		600pF@10V	逻辑电平门
2SA1955FVATPL3Z	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	2SA1955		100毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	8,000													12V	400毫安	100nA（ICBO）	国民党	250mV@10mA、200mA	300@10mA，2V	130兆赫
SSM6K403TU，LF	0.4900	询价	6811	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6K403	MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	4.2A（塔）	1.5V、4V	28毫欧@3A、4V	1V@1mA	16.8nC@4V	±10V	1050pF@10V	-	500毫W（塔）
TPW2R508NH,L1Q	2.8100	询价	1661	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerWDFN		MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	75V	150A（塔）	10V	2.5毫欧@50A，10V	4V@1mA	72nC@10V	±20V	6000pF@37.5V	-	800mW（Ta）、142W（Tc）
RN1103,LF(CT	0.2000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1103		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	22欧姆
TW015Z65C,S1F	48.8100	询价	120	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-4		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247-4L(X)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	650伏	100A（温度）	18V	22毫欧@50A，18V	5V@11.7mA	128nC@18V	+25V，-10V	4850 pF @ 400 V	-	342W（温度）
TPH1400ANH,L1Q	1.5000	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1400	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	100V	24A（温度）	10V	13.6毫欧@12A，10V	4V@300μA	22nC@10V	±20V	1900pF@50V	-	1.6W（Ta）、48W（Tc）
2SC2235-Y,T6F(J	-	询价	7291	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
2SC4738-Y，LF	0.2000	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC4738		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
RN1101ACT(TPL3)	-	询价	6910	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1101		100毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	80毫安	500纳安	NPN - 预偏置	150mV@500μA，5mA	30@10mA，5V		4.7欧姆	4.7欧姆
SSM3K7002KF,LXHF	0.4000	询价	17号	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	60V	400mA（塔）	4.5V、10V	1.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.6nC@4.5V	±20V	40pF@10V	-	270毫W（塔）
RN2402S,LF(D	-	询价	4226	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2402		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	RN2402SLF(D	EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	10欧姆
TPHR8504PL,L1Q	1.9400	询价	5381	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPHR8504	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	40V	150A（温度）	4.5V、10V	0.85mOhm@50A，10V	2.4V@1mA	10V时为103nC	±20V	9600pF@20V	-	1W（Ta）、170W（Tc）
SSM6J501NU，LF	0.4900	询价	123	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6J501	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	10A（塔）	1.5V、4.5V	15.3毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	29.9nC@4.5V	±8V	2600pF@10V	-	1W（塔）
TK16G60W5,RVQ	3.2100	询价	1	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	15.8A（塔）	10V	230毫欧@7.9A，10V	4.5V@790μA	43nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	130W（温度）
SSM6N44FE,LM	0.4300	询价	111	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6N44	MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）		30V	100毫安		4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA	-		8.5pF@3V	逻辑电平门
TTA1452B，S4X	1.9800	询价	9235	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			2W	TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50													80V	12A	5μA（ICBO）	国民党	400mV@300mA，6A	120@1A，1V	50兆赫
TPC8228-H,LQ	-	询价	6012	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPC8228	MOSFET（金属O化物）	1.5W（塔）	8-SOP	下载			264-TPC8228-HLQTR	EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		60V	3.8A		57毫欧@1.9A，10V	2.3V@100μA	11nC@10V		640pF@10V	-
SSM3K127TU，LF	0.3700	询价	34	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3K127	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	2A（塔）	1.8V、4V	123mOhm@1A，4V	1V@1mA	1.5nC@4V	±12V	123pF@15V	-	500毫W（塔）
2SJ380(女)	-	询价	1045	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SJ380	MOSFET（金属O化物）		TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		P沟道	100V	12A（塔）	4V、10V	210毫欧@6A，10V	2V@1mA	48nC@10V	±20V	1100pF@10V	-	35W（温度）
SSM3J145TU，LF	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J145	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	3A（塔）	1.5V、4.5V	103mOhm@1A，4.5V	1V@1mA	4.5V时为4.6nC	+6V、-8V	270pF@10V	-	500毫W（塔）
TPN11006PL,LQ	0.6400	询价	18	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN11006	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	26A（温度）	4.5V、10V	11.4毫欧@13A，10V	2.5V@200μA	17nC@10V	±20V	1625pF@30V	-	610mW（Ta）、61W（Tc）
2SA1425-Y,T2F(J	-	询价	5109	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SA1425		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													120V	800毫安	100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TJ60S04M3L,LXHQ	1.4100	询价	3162	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ60S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道	40V	60A（塔）	6V、10V	6.3毫欧@30A，10V	3V@1mA	125nC@10V	+10V，-20V	6510pF@10V	-	90W（温度）
SSM3J372R,LXHF	0.4600	询价	20	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	6A（塔）	1.8V、10V	42mOhm@5A，10V	1.2V@1mA	8.2nC@4.5V	+6V，-12V	560pF@15V	-	1W（塔）
2SA949-Y,ONK-1F(J	-	询价	3985	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA949		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1													150伏	50毫安	100nA（ICBO）	国民党	800mV@1mA，10A	70@10mA，5V	120兆赫
RN1906FE,LF(CT	0.2400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1906		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
TPCF8B01(TE85L,F,M	-	询价	5121	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCF8B01	MOSFET（金属O化物）		VS-8 (2.9x1.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道	20V	2.7A（塔）	1.8V、4.5V	110毫欧@1.4A，4.5V	1.2V@200μA	6nC@5V	±8V	470pF@10V	肖特基分散（隔离）	330毫W（塔）
2SK2845(TE16L1,Q)	-	询价	5146	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SK2845	MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	900伏	1A（塔）	10V	9欧姆@500mA，10V	4V@1mA	15nC@10V	±30V	350pF@25V	-	40W（温度）
RN4907(T5L,F,T)	-	询价	8660	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4907		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²