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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TPCA8045-H （T2L1，VM	-	RFQ	3369	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8045	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	46a（ta）	4.5V，10V	3.6mohm @ 23A，10V	2.3V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	7540 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
TPN5900CNH，L1Q	1.3400	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN5900	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	150 v	9a（9a）	10V	59MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 200µA	7 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 75 V	-	700MW（TA），39W （TC）
2SK3700（f）	2.5200	RFQ	100	东芝半导体和存储	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK3700	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	5A（5A）		2.5OHM @ 3A，10V	4V @ 1mA	28 NC @ 10 V		1150 pf @ 25 V	-	150W（TC）
TK12P50W，RQ	2.0000	RFQ	6704	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	11.5A（TA）	10V	340MOHM @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	100W（TC）
SSM6K403TU，LF	0.4900	RFQ	6811	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6K403	MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	4.2A（ta）	1.5V，4V	28mohm @ 3a，4v	1V @ 1mA	16.8 NC @ 4 V	±10V	1050 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
HN1B04FU-Y，LXHF	0.4200	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1B04		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	150mA	100NA（ICBO）	NPN，PNP	250mv @ 10mA，100mA / 300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	150MHz，120MHz
RN2106MFV，L3XHF（ct	0.3400	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN2106		150兆	VESM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
TPH1R204PL1，LQ	1.6600	RFQ	16	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8 SOP Advance（5x5.75）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	150a（TC）	4.5V，10V	1.24mohm @ 50a，10v	2.4V @ 500µA	74 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 20 V	-	960MW（TA），170W（tc）
RN1131MFV，L3F	0.1800	RFQ	8	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN1131		150兆	VESM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	120 @ 1mA，5V		100 kohms
SSM3J306T（TE85L，F）	-	RFQ	5083	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J306	MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	2.4A（TA）	4V，10V	117MOHM @ 1A，10V	-	2.5 NC @ 15 V	±20V	280 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
TK20C60W，S1VQ	-	RFQ	8691	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	TK20C60	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	20A（TA）	10V	155mohm @ 10a，10v	3.7V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±30V	1680 PF @ 300 V	-	165W（TC）
SSM3J325F，LF	0.4100	RFQ	17	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J325	MOSFET （金属 o化物）		S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2A（TA）	1.5V，4.5V	150MOHM @ 1A，4.5V	-	4.6 NC @ 4.5 V	±8V	270 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
TK16J60W5，S1VQ	5.2000	RFQ	32	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK16J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	15.8A（TA）	10V	230MOHM @ 7.9A，10V	4.5V @ 790µA	43 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
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SSM3J375F，LXHF	0.4900	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSVI	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2A（TA）	1.5V，4.5V	150MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 1mA	4.6 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	270 pf @ 10 V	-	600MW（TA）
TW015Z65C，S1F	48.8100	RFQ	120	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-4		SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-247-4L x（X）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	100A（TC）	18V	22mohm @ 50a，18v	5V @ 11.7mA	128 NC @ 18 V	+25V，-10V	4850 PF @ 400 V	-	342W（TC）
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SSM3K35MFV（TPL3）	-	RFQ	8872	东芝半导体和存储	π-mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	SSM3K35	MOSFET （金属 o化物）		VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000		n通道	20 v	180mA（TA）	1.2V，4V	3ohm @ 50mA，4V	1V @ 1mA		±10V	9.5 pf @ 3 V	-	150MW（TA）
TK40E10N1，S1X	1.9900	RFQ	3520	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK40E10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	90A（TC）	10V	8.2MOHM @ 20A，10V	4V @ 500µA	49 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 50 V	-	126W（TC）
tpca8011-h（TE12LQM	-	RFQ	5101	东芝半导体和存储	U-Mosiii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8011	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	40a（ta）	2.5V，4.5V	3.5MOHM @ 20a，4.5V	1.3V @ 200µA	32 NC @ 5 V	±12V	2900 PF @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
TK2P60D（TE16L1，NQ）	-	RFQ	2671	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK2P60	MOSFET （金属 o化物）		PW-MOLD	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	2A（TA）	10V	4.3OHM @ 1A，10V	4.4V @ 1mA	7 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	60W（TC）
2SC6000（TE16L1，NQ）	-	RFQ	4731	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SC6000		20 w	PW-MOLD	-			264-2SC6000（TE16L1NQ）TR	Ear99	8541.29.0095	2,000													50 V	7 a	100NA（ICBO）	NPN	180MV @ 83mA，2.5a	250 @ 2.5a，2V	-
RN1108，LXHF（ct	0.3300	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN1108		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
TDTC124E，LM	0.1800	RFQ	4840	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TDTC124		320兆W	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	49 @ 5mA，5v	250 MHz	22 KOHMS
SSM3J307T（TE85L，F）	-	RFQ	9193	东芝半导体和存储	U-MOSV	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J307	MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	5A（5A）	1.5V，4.5V	31MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1170 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
SSM6J53FE（TE85L，F）	-	RFQ	2682	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6J53	MOSFET （金属 o化物）		ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000		P通道	20 v	1.8A（ta）	1.5V，2.5V	136mohm @ 1A，2.5V	1V @ 1mA	10.6 NC @ 4 V	±8V	568 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SSM3H137TU，LF	0.4500	RFQ	30	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3H137	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	34 v	2A（TA）	4V，10V	240MOHM @ 1A，10V	1.7V @ 1mA	3 NC @ 10 V	±20V	119 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
TK4P55D（t6rss-Q）	-	RFQ	5025	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK4P55	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	TK4P55DT6RSQ	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	550 v	4A（ta）	10V	1.88OHM @ 2A，10V	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	80W（TC）
2SA1832-Y，LXHF	0.3900	RFQ	690	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	SC-75，SOT-416			120兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
2SC5459（tojs，q，m）	-	RFQ	5031	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC5459		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1													400 v	3 a	100µA（ICBO）	NPN	1V @ 150mA，1.2a	20 @ 300mA，5V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²