晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TPN4R712MD,L1Q	0.8500	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN4R712		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道					20V	36A（温度）	2.5V、4.5V	4.7毫欧@18A，4.5V	1.2V@1mA	65nC@5V	±12V	4300pF@10V	-	42W（温度）
TK20J60U(女)	-	询价	2851	东芝半导体和存储	DTMOSII	托盘	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK20J60		MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					600伏	20A（塔）	10V	190毫欧@10A，10V	5V@1mA	27nC@10V	±30V	10V时为1470pF	-	190W（温度）
RN1111,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1111			100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	100毫安		100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10欧姆
2SC4738-GR，LF	0.2000	询价	13	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC4738			100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	150毫安		100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
RN1131MFV(TL3,T)	0.2100	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	RN1131			150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000																		50V	100毫安		100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		100欧姆
RN2903FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2903			100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																		50V	100毫安		500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
RN4906，LF	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4906			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	100毫安		500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
SSM6L36TU,LF	0.3800	询价	14	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6L36		MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道						20V	500mA（塔）、330mA（塔）		630mOhm @ 200mA, 5V, 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V	1V@1mA	1.23nC@4V，1.2nC@4V		10V时为46pF，10V时为43pF	逻辑电平门，1.5V驱动
TK60P03M1,RQ(S	-	询价	6408	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK60P03		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					30V	60A（塔）	4.5V、10V	6.4毫欧@30A，10V	2.3V@500μA	40nC@10V	±20V	2700pF@10V	-	63W（温度）
TK12A60U(Q,M)	-	询价	2935	东芝半导体和存储	DTMOSII	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK12A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					600伏	12A（塔）	10V	400mOhm@6A，10V	5V@1mA	14nC@10V	±30V	720pF@10V	-	35W（温度）
RN2911,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2911			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	100毫安		100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
SSM3J306T(TE85L,F)	-	询价	5083	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J306		MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道					30V	2.4A（塔）	4V、10V	117毫欧@1A，10V	-	15V时为2.5nC	±20V	280pF@15V	-	700毫W（塔）
HN1C01FU-Y,LXHF	0.4100	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1C01			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	150毫安		100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
HN1C01FU-Y(T5L,F,T	-	询价	3498	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1C01			200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	150毫安		100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
HN1A01FU-Y,LXHF	0.3700	询价	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1A01			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	150毫安		100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
2SA1020-O(TE6,F,M)	-	询价	3483	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																		50V	2A		1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TK090U65Z,RQ	5.5000	询价	3	东芝半导体和存储	DTMOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	8-PowerSFN			MOSFET（金属O化物）		收费	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					650伏	30A（塔）	10V	90毫欧@15A，10V	4V@1.27mA	47nC@10V	±30V	2780 pF @ 300 V	-	230W（温度）
TW107N65C,S1F	9.6200	询价	96	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		175℃	通孔	TO-247-3			SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	20A（温度）	18V	145毫欧@10A，18V	5V@1.2mA	21nC@18V	+25V，-10V	600 pF @ 400 V	-	76W（温度）
HN1A01FU-Y,LF	0.2700	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1A01			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	150毫安		100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
2SA1931,KEHINQ(男	-	询价	8804	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1931			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1																		50V	5A		1μA（ICBO）	国民党	400mV@200mA，2A	100 @ 1A、1V	60兆赫
3SK291(TE85L,F)	-	询价	4341	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	12.5V		表面贴装	SC-61AA	3SK291	800兆赫	场效应管		小型MQ	-	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		30毫安	10毫安	-	22.5分贝											2.5分贝			6V
TK5R3E08QM,S1X	1.5800	询价	98	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	的积极		175℃	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					80V	120A（温度）	6V、10V	5.3毫欧@50A，10V	3.5V@700μA	55nC@10V	±20V	3980pF@40V	-	150W（温度）
TK15A50D(STA4,Q,M)	3.2300	询价	29	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK15A50		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					500V	15A（塔）	10V	300毫欧@7.5A，10V	4V@1mA	40nC@10V	±30V	2300pF@25V	-	50W（温度）
RN1908FE(TE85L,F)	0.0639	询价	7284	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1908			100毫W	ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																		50V	100毫安		100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	47k欧姆
2SA1761,F(J	-	询价	6832	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1761			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																		50V	3A		100nA（ICBO）	国民党	500mV@75mA，1.5A	120@100mA，2V	100兆赫兹
TK31V60X,LQ	5.3300	询价	7	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK31V60		MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					600伏	30.8A（塔）	10V	98毫欧@9.4A，10V	3.5V@1.5mA	65nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	240W（温度）
2SA2059(TE12L,F)	0.6300	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				1W	PW-MINI	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,000																		20V	3A		100nA（ICBO）	国民党	190mV@53mA，1.6A	200@500mA，2V	-
RN4989FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4989			100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																		50V	100毫安		500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
2SC2655-Y,T6KEHF(M	-	询价	第1327章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																		50V	2A		1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SC2235-Y(T6CN,A,F	-	询价	3118	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																		120V	800毫安		100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²