晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
RN1421TE85LF	0.4200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1421			200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	800毫安					500纳安	NPN - 预偏置	250mV@2mA、50mA	60@100mA，1V	300兆赫	1欧姆	1欧姆
RN49A1FE(TE85L,F)	-	询价	2089	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN49A1			100毫W	ES6	-		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	4,000																50V	100毫安					500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	2.2k欧姆、22k欧姆	47k欧姆
TJ15P04M3,RQ(S	0.8700	询价	第878章	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ15P04		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道		40V	15A（塔）	4.5V、10V	36毫欧@7.5A，10V	2V@100μA	26nC@10V	±20V	1100pF@10V	-	29W（温度）
TK28N65W5,S1F	6.6700	询价	1	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-247-3	TK28N65		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		650伏	27.6A（塔）	10V	130毫欧@13.8A，10V	4.5V@1.6mA	90nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	230W（温度）
TK15A50D(STA4,Q,M)	3.2300	询价	29	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK15A50		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		500V	15A（塔）	10V	300毫欧@7.5A，10V	4V@1mA	40nC@10V	±30V	2300pF@25V	-	50W（温度）
TK5R3E08QM,S1X	1.5800	询价	98	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	的积极	175℃	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		80V	120A（温度）	6V、10V	5.3毫欧@50A，10V	3.5V@700μA	55nC@10V	±20V	3980pF@40V	-	150W（温度）
RN1705JE(TE85L,F)	0.4700	询价	第769章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN1705			100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
SSM6N815R，LF	0.4500	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N815		MOSFET（金属O化物）	1.8W（塔）	6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			100V	2A（塔）		103mOhm@2A，10V	2.5V@100μA	3.1nC@4.5V		290pF@15V	逻辑电平门，4V驱动
RN1908FE(TE85L,F)	0.0639	询价	7284	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1908			100毫W	ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	47k欧姆
TPCA8105(TE12L,Q,M	-	询价	5105	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8105		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		12V	6A（塔）	1.8V、4.5V	33mOhm@3A，4.5V	1.2V@200μA	18nC@5V	±8V	1600pF@10V	-	1.6W（Ta）、20W（Tc）
SSM3K315T(TE85L,F)	-	询价	5970	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K315		MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		30V	6A（塔）	4.5V、10V	27.6毫欧@4A，10V	2.5V@1mA	10V时为10.1nC	±20V	450pF@15V	-	700毫W（塔）
TK17N65W,S1F	3.8600	询价	7047	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK17N65		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		650伏	17.3A（塔）	10V	200毫欧@8.7A，10V	3.5V@900μA	45nC@10V	±30V	1800 pF @ 300 V	-	165W（温度）
RN1106MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1106			150毫W	VESM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000																50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@1mA，5V		4.7欧姆	47欧姆
TPH11006NL,LQ	0.8000	询价	35	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH11006		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	17A（温度）	4.5V、10V	11.4毫欧@8.5A，10V	2.5V@200μA	23nC@10V	±20V	2000pF@30V	-	1.6W（Ta）、34W（Tc）
RN2406,LXHF	0.3400	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2406			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	47欧姆
2SA1020-Y,HOF(M	-	询价	4288	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																50V	2A					1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN2423(TE85L,F)	0.4100	询价	130	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2423			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	800毫安					500纳安	PNP - 预偏置	250mV@1mA、50mA	70@100mA，1V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
RN2964FE(TE85L,F)	-	询价	1932年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2964			100毫W	ES6	-		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
TK10A50W,S5X	1.9200	询价	144	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK10A50		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		500V	9.7A（塔）	10V	380毫欧@4.9A，10V	3.7V@500μA	20nC@10V	±30V	700 pF @ 300 V	-	30W（温度）
2SC2229-Y(SHP,F,M)	-	询价	7291	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229			800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																150伏	50毫安					100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
RN2904,LF(CT	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2904			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																50V	100毫安					500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
TK11P65W,RQ	1.7300	询价	2	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK11P65		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		650伏	11.1A（塔）	10V	440毫欧@5.5A，10V	3.5V@450μA	25nC@10V	±30V	890 pF @ 300 V	-	100W（温度）
RN2905,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2905			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																50V	100毫安					500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN4989(TE85L,F)	0.3400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4989			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安					500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
RN2309，LF	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2309			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	22欧姆
RN2907,LF(CT	0.2700	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2907			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安					500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
2SB1375,号角(M	-	询价	5769	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SB1375			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1																60V	3A					10μA（ICBO）	国民党	1.5V@200mA，2A	100@500mA，5V	9兆赫兹
SSM3J304T(TE85L,F)	-	询价	9160	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J304		MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	2.3A（塔）	1.8V、4V	127毫欧@1A，4V	-	6.1nC@4V	±8V	10V时为335pF	-	700毫W（塔）
SSM3J375F，LF	0.4100	询价	28	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J375		MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	2A（塔）	1.5V、4.5V	150mOhm@1A，4.5V	1V@1mA	4.5V时为4.6nC	+6V、-8V	270pF@10V	-	600毫W（塔）
GT40RR21(STA1,E	3.6500	询价	1369	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	GT40RR21	标准		230W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	25			280V，40A，10欧姆，20V											600纳秒	-	1200伏	40A	200A	2.8V@15V，40A	-, 540μJ（关闭）	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²