晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
2SB1375,号角(M	-	询价	5769	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SB1375			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1																	60V	3A					10μA（ICBO）	国民党	1.5V@200mA，2A	100@500mA，5V	9兆赫兹
SSM3J375F，LF	0.4100	询价	28	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J375		MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道			20V	2A（塔）	1.5V、4.5V	150mOhm@1A，4.5V	1V@1mA	4.5V时为4.6nC	+6V、-8V	270pF@10V	-	600毫W（塔）
GT40RR21(STA1,E	3.6500	询价	1369	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	GT40RR21	标准		230W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	25			280V，40A，10欧姆，20V												600纳秒	-	1200伏	40A	200A	2.8V@15V，40A	-, 540μJ（关闭）	-
TK14N65W,S1F	3.3800	询价	8957	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK14N65		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			650伏	13.7A（塔）	10V	250毫欧@6.9A，10V	3.5V@690μA	35nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（温度）
RN2104MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2104			150毫W	VESM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000																	50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
SSM6N24TU，LF	0.4500	询价	7409	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N24		MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				30V	500mA（塔）		145mOhm@500mA，4.5V	1.1V@100μA	-		245pF@10V	-
SSM3K56MFV，L3F	0.4500	询价	50	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3K56		MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000		N沟道			20V	800mA（塔）	1.5V、4.5V	235毫欧@800mA，4.5V	1V@1mA	1nC@4.5V	±8V	55pF@10V	-	150毫W（塔）
RN2109ACT(TPL3)	0.3400	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2109			100毫W	CST3	-	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000																	50V	80毫安					500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	70@10mA，5V		47欧姆	22欧姆
SSM3K16FS,LF	0.2300	询价	6974	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-75、SOT-416			MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道			20V	100mA（塔）	1.5V、4V	3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA		±10V	9.3pF@3V	-	100毫W（塔）
2SC5354,XGQ(O	-	询价	第1637章	东芝半导体和存储	*	管子	的积极				2SC5354					下载	符合RoHS标准	不适用	EAR99	8541.29.0095	50
SSM3K15F,LF	0.2300	询价	72	东芝半导体和存储	π-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K15		MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道			30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	7.8pF@3V	-	200毫W（塔）
2SC5096-R，LF	-	询价	8066	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC5096			100毫W	SSM	-		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000				1.4分贝													10V	15毫安						NPN		50@7mA，6V	10GHz			1.4dB@1GHz
TK8A25DA,S4X	0.9000	询价	40	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			250伏	7.5A（塔）	10V	500毫欧@3.8A，10V	3.5V@1mA	16nC@10V	±20V	550pF@100V	-	30W（温度）
RN2113ACT(TPL3)	0.0527	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2113			100毫W	CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000																	50V	80毫安					100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@1mA，5V		47欧姆
TK34A10N1,S4X	1.5500	询价	9909	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK34A10		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			100V	34A（温度）	10V	9.5毫欧@17A，10V	4V@500μA	38nC@10V	±20V	2600pF@50V	-	35W（温度）
2SC4915-Y，LF	0.4400	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC4915			100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000				17分贝～23分贝													30V	20毫安						NPN		100@1mA，6V	550兆赫			2.3dB~5dB@100MHz
SSM3J351R，LF	0.4300	询价	162	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J351		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道			60V	3.5A（塔）	4V、10V	134mOhm@1A，10V	2V@1mA	15.1nC@10V	+10V，-20V	660pF@10V	-	2W（塔）
TPC8223-H,LQ(S	-	询价	5007	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPC8223		MOSFET（金属O化物）	450毫W	8-SOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）				30V	9A		17毫欧@4.5A，10V	2.3V@100μA	17nC@10V		1190pF@10V	逻辑电平门
RN2103,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2103			100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																	50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	22欧姆
2SD1223(TE16L1,NQ)	0.9000	询价	第1484章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SD1223			1W	PW-模具	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000																	80V	4A					20μA（ICBO）	NPN-达林顿	1.5V@6mA，3A	1000 @ 3A，2V	-
2SA1930(LBS2MATQ,M	-	询价	6177	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1930			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1																	180伏	2A					5μA（ICBO）	国民党	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
TK8Q65W,S1Q	1.7200	询价	5	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	TK8Q65		MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道			650伏	7.8A（塔）	10V	670毫欧@3.9A，10V	3.5V@300μA	16nC@10V	±30V	570 pF @ 300 V	-	80W（温度）
RN2109MFV，L3F	0.1800	询价	7200	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2109			150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000																	50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V		47欧姆	22欧姆
RN2410，LF	0.1900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2410			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																	50V	100毫安					100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7欧姆
TK4A55D(STA4,Q,M)	-	询价	6988	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK4A55		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			550伏	4A（塔）	10V	1.88欧姆@2A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	490pF@25V	-	35W（温度）
RN4910，LF	0.2800	询价	7429	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4910			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																	50V	100毫安					100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	-
SSM6N62TU,LXHF	0.4600	询价	1	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N62		MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				20V	800mA（塔）		85毫欧@800mA，4.5V	1V@1mA	2nC@4.5V		177pF@10V	逻辑电平门，1.2V驱动
SSM6J409TU(TE85L,F	-	询价	3544	东芝半导体和存储	U-MOSV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J409		MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道			20V	9.5A（塔）	1.5V、4.5V	22.1毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	15nC@4.5V	±8V	1100pF@10V	-	1W（塔）
2SC5065-Y(TE85L,F)	0.4100	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC5065			100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000				12分贝～17分贝													12V	30毫安						NPN		120@10mA，5V	7GHz			1.1dB@1GHz
RN1102ACT(TPL3)	-	询价	6140	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1102			100毫W	CST3	-		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000																	50V	80毫安					500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	50@10mA，5V		10欧姆	10欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²