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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRFD213	0.5900	RFQ	5	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）		MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		250 v	450mA（ta）		2ohm @ 270mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V		140 pf @ 25 V	-	-
2N5323	-	RFQ	9647	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N532		10 W	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1													50 V	2 a	-	PNP	-	-	-
HFA3128B	4.9200	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HFA3128B-600026			1
提示116	0.2000	RFQ	8072	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			2 w	TO-220F	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1200													80 V	2 a	2mA	pnp-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	-
IRFR1109A	0.3600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的				IRFR1109	-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	2,500											-
RFP45N02L	0.4600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		20 v	45A（TC）	5V	22mohm @ 45a，5v	2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±10V	1300 pf @ 15 V	-	90W（TC）
IRF810	0.4600	RFQ	93	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF81	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
RJH6675	2.1700	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			175 w	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1													450 v	15 a	100µA	NPN	5V @ 5a，15a	8 @ 10a，2v	50MHz
RF1S23N06LESM9A	0.6300	RFQ	800	哈里斯公司	-	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IRF214	-	RFQ	8900	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
RFG50N06LE	-	RFQ	1345	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	50A（TC）	5V	22mohm @ 50a，5v	2V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±10V	2100 PF @ 25 V	-	142W（TC）
提示112	-	RFQ	4081	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			2 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1													100 v	2 a	2mA	npn-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	-
IRF626	0.5300	RFQ	997	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		275 v	3.8A（TC）	10V	1.1OHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	40W（TC）
BDX34B	-	RFQ	8182	哈里斯公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			70 W	TO-220	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	200													80 V	10 a	500µA	pnp-达灵顿	2.5V @ 6mA，3a	750 @ 3a，3v	-
D45D5	-	RFQ	3022	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			2.1 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	37													80 V	6 a	10µA	pnp-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	2000 @ 1A，2V	-
2N1893	28.1500	RFQ	836	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N18		800兆	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	12													80 V	500 MA	10NA（ICBO）	NPN	5V @ 15a，150a	-	-
IRF9510	0.6000	RFQ	2	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道		100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	43W（TC）
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RFD14N06LSM9A	0.3400	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
2N1482	-	RFQ	5206	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1													55 v	1.5 a	5µA（ICBO）	NPN	750mv @ 10mA，200mA	35 @ 200ma，4V
BD244B	0.1900	RFQ	2813	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			65 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	271													80 V	6 a	700µA	PNP	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
2N6487	0.9600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6487		1.8 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	314													60 V	15 a	1ma	NPN	3.5V @ 5a，15a	20 @ 5A，4V	5MHz
RFM10N45	-	RFQ	2712	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		450 v	10A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA		±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFR421	0.4100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		450 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRF632	1.4100	RFQ	21	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		200 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RFP50N06R4034	0.6100	RFQ	3	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFP50	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
RFP23N06LE	0.4100	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定				1
D40D3	-	RFQ	8028	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-202长标签			1.67 w	TO-202AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1														1 a	100NA	NPN	-	-
HFA3127B	5.3200	RFQ	1	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）			150MW	16-Soic	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.21.0075	48		-											12V	65mA		5 NPN		40 @ 10mA，2V	8GHz	3.5db @ 1GHz
D44VM10	0.8200	RFQ	750	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			50 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1													80 V	8 a	10µA	NPN	600mv @ 300mA，6a	40 @ 4A，1V	50MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²