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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RFIS40N10LE	1.3700	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFIS40		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1											-
D44VM4	0.6900	RFQ	600	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				50 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0075	1															45 v	8 a						10µA	NPN	600mv @ 300mA，6a	40 @ 4A，1V	50MHz
IRFU220S2497	0.4400	RFQ	900	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRFU220		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1											-
D44VM10	0.8200	RFQ	750	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				50 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1															80 V	8 a						10µA	NPN	600mv @ 300mA，6a	40 @ 4A，1V	50MHz
HGTG7N60A4D	1.7700	RFQ	269	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		125 w	TO-247	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	450		390V，7a，25ohm，15V											34 ns	-	600 v	34 a	56 a	2.7V @ 15V，7a	55µJ（在）上，60µJ（60µJ）	37 NC	11NS/100NS
RFP15N08L	0.5700	RFQ	49	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		80 V	15A（TC）	5V	140MOHM @ 7.5A，5V	2.5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±10V		-	72W（TC）
IRF823	0.4100	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		450 v	2.2A（TC）	10V	4ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFD210	0.9100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD210		MOSFET （金属 o化物）		4浸，hexdip，hvmdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		200 v	600mA（TA）	10V	1.5OHM @ 360mA，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1W（ta）
RFP2N10	0.2900	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		100 v	2A（TC）	10V	1.05OHM @ 2A，5V	4V @ 250µA		±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRFU9110	0.3600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9		MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	P通道		100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRF121-0001	0.7900	RFQ	500	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
RF1S9630SM	0.9700	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	P通道		200 v	6.5a	-	-	-		-		-	-
RFP14N05P2	-	RFQ	5151	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-					0000.00.0000	1
IRFP451	3.6000	RFQ	538	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		450 v	14A（TC）	10V	400MOHM @ 7.9A，10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IRF723	0.7800	RFQ	79	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		350 v	2.8A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RCA1C04	-	RFQ	1421	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定			1
2N6032	115.1800	RFQ	41	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AE				140 w	TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	3															90 v	50 a						10mA	NPN	1.3V @ 5a，50a	10 @ 50a，2.6V
TIP12525	-	RFQ	8782	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1
HGTG2ON60C3DR	3.2100	RFQ	302	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
IRFP140R	2.5400	RFQ	6300	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	31	n通道		100 v	31a（TC）	10V	77mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	180W（TC）
CA3083S2064	0.5000	RFQ	4	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		0000.00.0000	1
RCA1001	1.0000	RFQ	1599年	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				90 W	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1															80 V	8 a						500µA	npn-达灵顿	4V @ 40mA，8a	1000 @ 3a，3v	-
IRFP245	1.5400	RFQ	400	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		250 v	14A（TC）	10V	340MOHM @ 10a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF641	1.6000	RFQ	14	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	125W（TC）
D45C9	-	RFQ	5042	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				30 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0075	36															60 V	4 a						10µA	PNP	500mv @ 50mA，1a	40 @ 200ma，1V	40MHz
TIP127	1.0000	RFQ	6542	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220AB	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50															100 v	5 a						500µA	pnp-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
RF1S17N06L	0.6700	RFQ	4	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RF1		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1											-
IRF740R	-	RFQ	8783	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	46	n通道		400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF9511	1.0000	RFQ	8141	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	P通道		80 V	3A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	20W（TC）
IRF9542	1.7800	RFQ	497	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	169	P通道		100 v	15A（TC）	10V	300mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²