晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
IRFP451	3.6000	询价	第538章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			450伏	14A（温度）	10V	400毫欧@7.9A，10V	4V@250μA	130nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	180W（温度）
IRFU9110	0.3600	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IRFU9		MOSFET（金属O化物）		TO-251AA	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1	P沟道			100伏	3.1A（温度）	10V	1.2欧姆@1.9A，10V	4V@250μA	10V时为8.7nC	±20V	200pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
IRF723	0.7800	询价	79	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			350伏	2.8A（温度）	10V	2.5欧姆@1.8A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	360pF@25V	-	50W（温度）
RFP30N6LER4541	0.4200	询价	4	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RFP30		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1												-
HGTD3N60B3S	0.5200	询价	第944章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		标准		33.3W	TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		480V，3.5A，82欧姆，15V												16纳秒	-	600伏	7A	20A	2.1V@15V，3.5A	66μJ（开），88μJ（关）	21nC	18纳秒/105纳秒
RCA8766	-	询价	9172	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-204AA、TO-3				150W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	99																350伏	10A						1毫安	NPN-达林顿	1.5V@200mA，6A	100 @ 6A，3V	-
IRFPG42	2.2700	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			1000伏	3.9A（温度）	10V	4.2欧姆@2.5A，10V	4V@250μA	120nC@10V	±20V		-	150W（温度）
HGTP14N0FVLR4600	-	询价	9929	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				1
RFP14N05P2	-	询价	5151	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
HUF75345P3	-	询价	第1337章	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	119	N沟道			55V	75A（温度）	10V	7毫欧@75A，10V	4V@250μA	275nC@20V	±20V	4000pF@25V	-	325W（温度）
IRFP140R	2.5400	询价	6300	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	31	N沟道			100伏	31A（温度）	10V	77毫欧@19A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1275pF@25V	-	180W（温度）
IRF543	0.7700	询价	965	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			80V	25A（温度）	10V	100mOhm@17A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1450pF@25V	-	150W（温度）
IGT5E10CS	1.4100	询价	第564章	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
IRF9632	1.5400	询价	第455章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	P沟道			200V	5.5A（温度）	10V	1.2欧姆@3.5A，10V	4V@250μA	45nC@10V	±20V	550pF@25V	-	75W（温度）
IRFF322	0.6500	询价	500	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	500	N沟道			400V	2A（温度）	10V	2.5欧姆@1.25A，10V	4V@250μA	15nC@10V	20V	450pF@25V	-	20W（温度）
红外FR121	0.3400	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1	N沟道			80V	8.4A	-	-	-		-		-	-
RFIS40N10LE	1.3700	询价	800	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RF信息系统40		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1												-
HFA3127B96	-	询价	7981	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				150毫W	16-SOIC	-	不符合RoHS标准		供应商未定义	2156-HFA3127B96-600026			1			-													12V	65毫安							5 NPN		40@10mA，2V	8GHz	3.5dB@1GHz
IRFR420U	0.5000	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				红外FR420		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1												-
IRFD220	0.5200	询价	913	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD220		MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸、HVMDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	N沟道			200V	800mA（塔）	10V	800毫欧@480mA，10V	4V@250μA	14nC@10V	±20V	260pF@25V	-	1W（塔）
IRFP244	-	询价	5094	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	500	N沟道			250伏	15A（温度）	10V	280毫欧@9A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1400pF@25V	-	150W（温度）
红外FR220	0.5900	询价	528	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	528	N沟道			200V	4.6A（温度）		800毫欧@2.4A，10V	4V@250μA	18nC@10V	±20V	330pF@25V	-	50W（温度）
HUF75329P3	0.5900	询价	3	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	400	N沟道			55V	49A（温度）	10V	24毫欧@49A，10V	4V@250μA	75nC@20V	±20V	1060pF@25V	-	128W（温度）
IRF640S2470	1.0000	询价	2957	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF640		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1												-
IRF821	-	询价	9372	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	390	N沟道			450伏	2.5A（温度）	10V	3欧姆@1.4A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	360pF@25V	-	50W（温度）
RF1K4909096	0.5700	询价	4	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-RF1K4909096-600026			1
RFP2N10	0.2900	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			100伏	2A（温度）	10V	1.05欧姆@2A，5V	4V@250μA		±20V	200pF@25V	-	25W（温度）
IGTM20N40A	2.3100	询价	6264	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	100		-													-	400V	20A		-	-		-
HGT1S20N60C3R	1.8000	询价	第580章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		标准		164W	I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		-													-	600伏	40A	80A	2.2V@15V，20A	-	116nC	-
IRFU220S2497	0.4400	询价	900	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRFU220		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1												-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²