RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
HIP2060ase	1.8300	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				HIP2060		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
2N6760TXV	7.7600	RFQ	437	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-204aa			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRFD313	0.8500	RFQ	900	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）			MOSFET （金属 o化物）		4浸，六角	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		350 v	300mA（TC）	10V	5ohm @ 200mA，10v	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	1W（TC）
CA3083M96	0.5200	RFQ	6	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	CA3083			500MW	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	579														15V	100mA						10µA	5 NPN	700mv @ 5mA，50mA	40 @ 50mA，3v	450MHz
GES5816	0.1000	RFQ	16	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜135°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1														40 V	750 MA						100NA（ICBO）	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 2mA，2V	120MHz
IRFP440	2.9700	RFQ	1	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	500	n通道		500 v	8.8A（TC）	10V	850MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
RF1S30P06	-	RFQ	1602	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RF1		-			-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1											-
RF1S640SM	2.5300	RFQ	665	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		200 v	18A（TC）		180mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	125W（TC）
HGT1S7N60B3	0.9800	RFQ	400	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		60 W	i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		480V，7A，50OHM，15V											-	600 v	14 a	56 a	2.1V @ 15V，7a	160µJ（在）上，120µJ（120µJ）	30 NC	26NS/130NS
RF1S23N06LE	0.7100	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		60 V	23A（TC）	5V	65MOHM @ 23A，5V	2V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±10V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RFP4N40	0.5500	RFQ	546	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	546	n通道		400 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 2a，10v	4V @ 1mA		±20V	750 pf @ 25 V	-	60W（TC）
2N6292	0.3800	RFQ	850	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				40 W	TO-220-3	-				2156-2N6292			850														70 v	7 a						1ma	NPN	3.5V @ 3a，7a	30 @ 2a，4v	4MHz
RF1S25N06SM9A	0.6300	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800
IGT6D10	2.0700	RFQ	8868	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-204aa		逻辑		75 w	TO-3	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	106		-											-	400 v	10 a	40 a	2.7V @ 15V，10a	-		-
BD751C	2.2700	RFQ	274	哈里斯公司	-	大部分	积极的	200°C（TJ）	通过洞	到204				250 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1														130 v	20 a						500µA	NPN	1V @ 500mA，5a	25 @ 5A，2V
2N3053	45.4500	RFQ	6	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				5 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	8														40 V	700 MA						-	NPN	-	-	-
MJE13071	0.9200	RFQ	967	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				80 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1														6 V	5 a						500µA	NPN	3V @ 1a，5a	8 @ 3a，5v
BFT19A	-	RFQ	7831	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	to-205ad	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1														300 v	1 a						100µA（ICBO）	PNP	2.5V @ 3mA，30mA	25 @ 5mA，10v	-
IRF9622156	0.4400	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF9622		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				800											-
RF1S70N06	1.0000	RFQ	3306	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		60 V	70A（TC）		14mohm @ 70a，10v	4V @ 250µA	215 NC @ 20 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W（TC）
2N6500	29.4000	RFQ	60	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				20 w	到66	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.30.0080	12														110 v	4 a						-	NPN	-	15 @ 3a，2v	60MHz
2N6968	4.2100	RFQ	748	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IRFD320	1.9400	RFQ	812	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）			MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		400 v	490mA ta）		1.8OHM @ 210mA，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	1W（ta）
BFT28C	-	RFQ	3340	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				5 w	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	324														250 v	1 a						5µA（ICBO）	PNP	5V @ 1mA，10mA	20 @ 10mA，10v
BDX33DS	1.2800	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	234														120 v	10 a						500µA	npn-达灵顿	2.5V @ 6mA，3a	750 @ 3a，3v	-
HRF3205L	0.9600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	314	n通道		55 v	100A（TC）	10V	8mohm @ 59a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	175W（TC）
RLD03N06CLESM	0.7700	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
CA3045F3159	1.5900	RFQ	2843	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				100
2N1700	47.2100	RFQ	148	哈里斯公司	*	大部分	过时的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	7
D42C11X	0.4400	RFQ	3	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²