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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BD240A	-	RFQ	3864	哈里斯公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				30 W	TO-220	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	253															60 V	2 a						300µA	PNP	700mv @ 200mA，1a	40 @ 200ma，4V	-
RF1S9630	1.1500	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IRFR121	0.3400	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	n通道		80 V	8.4a	-	-	-		-		-	-
HGTG40N60B3	1.0000	RFQ	4143	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		290 w	TO-247	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	450		480V，40a，3ohm，15V												-	600 v	70 a	330 a	2V @ 15V，40a	1.05mj（在）上，800µJ off）	250 NC	47NS/170NS
HGTG20N100D2	9.2800	RFQ	539	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		150 w	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		-												-	1000 v	34 a	100 a	4.1V @ 10V，20A	-	163 NC	-
RF1K4909096	0.5700	RFQ	4	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RF1K4909096-600026			1
IRF640S2470	1.0000	RFQ	2957	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF640		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
2N6771	0.3300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				40 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1															450 v	1 a						100µA	NPN	1V @ 200mA，1a	20 @ 300mA，3v	50MHz
IRFP141	1.2500	RFQ	288	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		80 V	31a（TC）	10V	77mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	180W（TC）
RLP03N06CLE	0.4500	RFQ	3	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IRFP244	-	RFQ	5094	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	500	n通道		250 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF341	1.4400	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		350 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	125W（TC）
HUF76139S3	1.2200	RFQ	800	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±16V	2700 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRFPG42	2.2700	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		1000 v	3.9a（TC）	10V	4.2OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	150W（TC）
D45D5	-	RFQ	3022	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2.1 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	37															80 V	6 a						10µA	pnp-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	2000 @ 1A，2V	-
HGTD3N60B3	0.5100	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		标准		33.3 w	我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		480V，3.5a，82ohm，15V											16 ns	-	600 v	7 a	20 a	2.1V @ 15V，3.5a	66µJ（在）上，88µJ（88µJ）	21 NC	18NS/105NS
IRF512	0.4600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		100 v	4.9A（TC）	10V	740MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	43W（TC）
HGTD3N60B3S	0.5200	RFQ	944	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		33.3 w	TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		480V，3.5a，82ohm，15V											16 ns	-	600 v	7 a	20 a	2.1V @ 15V，3.5a	66µJ（在）上，88µJ（88µJ）	21 NC	18NS/105NS
IRFR21496	0.3200	RFQ	993	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRFR214		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	993											-
MJE13004	0.5100	RFQ	6	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				75 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	592															300 v	4 a						1ma	NPN	1V @ 1A，4A	10 @ 1A，5V	-
RFD16N05LSM	1.0000	RFQ	2354	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RFD16		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1	n通道		50 V	16A（TC）	4V，5V	47mohm @ 16a，5v	2V @ 250mA	80 NC @ 10 V	±10V		-	60W（TC）
IRFP243	2.4000	RFQ	181	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	18A（TC）	10V	220MOHM @ 10A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	150W（TC）
HGTP3N60B3R4724	0.5200	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
IRFU421	0.4000	RFQ	900	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		450 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
2N1893	28.1500	RFQ	836	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N18			800兆	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	12															80 V	500 MA						10NA（ICBO）	NPN	5V @ 15a，150a	-	-
IGTM20N40A	2.3100	RFQ	6264	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	100		-												-	400 v	20 a		-	-		-
bux31b	3.0900	RFQ	400	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
10n50f1d	-	RFQ	9713	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	169
提示48	-	RFQ	4707	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1															300 v	1 a						1ma	NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
RF1S9530	1.8700	RFQ	5	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	P通道		100 v	12A（TC）	10V	300mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	75W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²