晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
CA3083R4339-HC	0.4600	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义			0000.00.0000	1
BUX32	-	询价	2583	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-204AA、TO-3				150W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	3															800V	8A						200微安	NPN	2V@2A、8A	8 @ 6A，3V	60兆赫
RJH6675	2.1700	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC				175W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1															450伏	15A						100微安	NPN	5V@5A、15A	8@10A，2V	50兆赫
RF1S630SM9A	1.0000	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	800	N沟道		200V	6A（温度）	10V	400mOhm@5A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	600pF@25V	-	75W（温度）
IRF541	1.5800	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		80V	28A（温度）	10V	77毫欧@17A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1450pF@25V	-	150W（温度）
2N6968	4.2100	询价	第748章	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
HGTH12N50C1D	2.3000	询价	第483章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC		标准		75W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		-											100纳秒	-	500V	12A	17.5安	3.2V@20V，17.5A	-	19nC	-
HGTH12N40C1D	-	询价	1099	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC		标准		75W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		-											100纳秒	-	400V	12A	17.5安	3.2V@20V，17.5A	-	19nC	-
D44D2	-	询价	2720	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2.1W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	110															40V	6A						10微安	NPN-达林顿	1.5V@5mA，5A	2000 @ 1A，2V	-
布克斯14	-	询价	4595	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3				150W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	15															400V	10A						1.5毫安	NPN	1.5V@1.2A、6A	15@3A，4V	8兆赫
GES5816	0.1000	询价	16	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 135°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)				500毫W	TO-92-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1															40V	750毫安						100nA（ICBO）	NPN	750mV@50mA、500mA	100 @ 2mA，2V	120兆赫
D45D5	-	询价	3022	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2.1W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	37															80V	6A						10微安	PNP-达林顿	1.5V@3mA，3A	2000 @ 1A，2V	-
IRFD320	1.9400	询价	812	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1	N沟道		400V	490mA（塔）		1.8欧姆@210mA，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	410pF@25V	-	1W（塔）
D44VM10	0.8200	询价	750	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				50W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1															80V	8A						10微安	NPN	600mV@300mA，6A	40@4A，1V	50兆赫
GES5815	-	询价	4455	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 135°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)				500毫W	TO-92-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1,000															40V	750毫安						100nA（ICBO）	国民党	750mV@50mA、500mA	60@2mA，2V	100兆赫兹
RFP15N06	0.4400	询价	27号	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		60V	15A（温度）	10V	140毫欧@7.5A，10V	4V@1mA		±20V	850pF@25V	-	90W（温度）
IRFU222	0.4000	询价	900	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		200V	3.8A（温度）	10V	1.2欧姆@2.4A，10V	4V@250μA	18nC@10V	±20V	330pF@25V	-	50W（温度）
RF1S9630SM	0.9700	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	P沟道		200V	6.5A	-	-	-		-		-	-
HGTD7N60C3	-	询价	5957	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		标准		60W	I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	225		-												-	600伏	14A	56A	2V@15V，7A	-	30纳克	-
IRF244	3.2000年	询价	37	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		250伏	8.8A（温度）	10V	280毫欧@8A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	125W（温度）
IRF9541	1.7700	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	P沟道		80V	19A（TC）	10V	200毫欧@10A、10V	4V@250μA	90nC@10V	±20V	1100pF@25V	-	150W（温度）
HGTP10N50E1	1.9400	询价	15	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		60W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		-												-	500V	10A	17.5安	3.2V@20V，17.5A	-	19nC	-
HRF3205	1.4600	询价	6230	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	-	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	400	N沟道		55V	100A（温度）	10V	8毫欧@59A，10V	4V@250μA	170nC@10V	±20V	4000pF@25V	-	175W（温度）
ICL7149CM44	5.4000	询价	235	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-ICL7149CM44-600026			1
IRF710	0.4100	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF710		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	N沟道		400V	2A（温度）	10V	3.6欧姆@1.1A，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	135pF@25V	-	36W（温度）
提示115	-	询价	3125	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3					TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	50															60V							2毫安	PNP-达林顿	2.5V@8mA，2A	1000 @ 1A，4V	25兆赫
JANSR2N7292	407.6400	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-254-3、TO-254AA			MOSFET（金属O化物）		TO-254AA	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	N沟道		100伏	25A（温度）	10V	70毫欧@20A，10V	5V@1mA	552nC@20V	±20V		-	125W（温度）
IRFP462	3.9300	询价	152	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		500V	17A（温度）	10V	350mOhm@11A，10V	4V@250μA	190nC@10V	±20V	4100pF@25V	-	250W（温度）
RFP50N06	1.0000	询价	7	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	301	N沟道		60V	50A（温度）	10V	22毫欧@50A，10V	4V@250μA	150nC@20V	±20V	2020pF@25V	-	131W（温度）
RFP45N02L	0.4600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		20V	45A（温度）	5V	22mOhm@45A，5V	2V@250μA	60nC@10V	±10V	1300pF@15V	-	90W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²