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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 场效应管类型 | 测试条件 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 反向恢复T (trr) | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 |
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![]() | IRF640S2497 | - | ![]() | 2298 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | IRF640 | - | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSI510 | - | ![]() | 5045 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 0000.00.0000 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3053 | 45.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 通孔 | TO-205AA、TO-5-3金属罐 | 5W | TO-5 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 8 | 40V | 700毫安 | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HC5523IM | 3.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH旅行 | 2156-HC5523IM-600026 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S40N10SM | 1.3200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 100伏 | 40A | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF530 | 0.4700 | ![]() | 6322 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N沟道 | 100伏 | 14A(温度) | 180mOhm@8A,10V | 4V@250μA | ±20V | 800pF@25V | - | 75W(温度) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RFM10N45 | - | ![]() | 2712 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-204AA、TO-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 450伏 | 10A(温度) | 10V | 600mOhm@5A,10V | 4V@1mA | ±20V | 3000pF@25V | - | 150W(温度) | |||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S7N60B3D | 1.1700 | ![]() | 400 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | 标准 | 60W | I2PAK (TO-262) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 480V,7A,50欧姆,15V | 21纳秒 | - | 600伏 | 14A | 56A | 2.1V@15V,7A | 160μJ(开),120μJ(关) | 30纳克 | 26纳秒/130纳秒 | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N5492 | 1.0200 | ![]() | 7456 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 50W | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0075 | 第292章 | 55V | 7A | 1毫安 | NPN | 1V@250mA,2.5A | 20 @ 2.5A,4V | 800kHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RFG50N06LE | - | ![]() | 第1345章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 60V | 50A(温度) | 5V | 22mOhm@50A,5V | 2V@250μA | 120nC@10V | ±10V | 2100pF@25V | - | 142W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | RFH30N15 | 3.9100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-218-3隔离片、TO-218AC | MOSFET(金属O化物) | TO-218隔离 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 150伏 | 30A(温度) | 10V | 75毫欧@15A,10V | 4V@1mA | ±20V | 3000pF@25V | - | 150W(温度) | |||||||||||||||||||||
![]() | CA3083M96 | 0.5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | CA3083 | 500毫W | 16-SOIC | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 0000.00.0000 | 第579章 | 15V | 100毫安 | 10微安 | 5 NPN | 700mV@5mA、50mA | 40@50mA,3V | 450兆赫 | |||||||||||||||||||||||
![]() | RFD20N03SM9A | 0.7800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252-3(DPAK) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 30V | 20A(温度) | 10V | 25毫欧@20A,10V | 4V@250μA | 75nC@20V | ±20V | 1150pF@25V | - | 90W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N1482 | - | ![]() | 5206 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-205AA、TO-5-3金属罐 | 1W | TO-5AA | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 55V | 1.5A | 5μA(ICBO) | NPN | 750mV@10mA、200mA | 35@200mA,4V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTB12N60D1C | 3.6200 | ![]() | 598 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-5 | 标准 | 75W | TO-220-5 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 600伏 | 12A | 40A | 2.7V@15V,10A | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | BUZ60BU | 9.8400 | ![]() | 200 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | BUZ60 | - | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFT19A | - | ![]() | 7831 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-205AD、TO-39-3金属罐 | 1W | TO-205AD | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300伏 | 1A | 100μA(ICBO) | 国民党 | 2.5V@3mA、30mA | 25@5mA,10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BFT28C | - | ![]() | 3340 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-205AD、TO-39-3金属罐 | 5W | TO-39 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 第324章 | 250伏 | 1A | 5μA(ICBO) | 国民党 | 5V@1mA、10mA | 20@10mA,10V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6487 | 0.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 2N6487 | 1.8W | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 314 | 60V | 15A | 1毫安 | NPN | 3.5V@5A、15A | 20@5A,4V | 5兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6292 | 0.3800 | ![]() | 850 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 40W | TO-220-3 | - | 2156-2N6292 | 850 | 70V | 7A | 1毫安 | NPN | 3.5V@3A、7A | 30@2A,4V | 4兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF831 | 1.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 450伏 | 4.5A(温度) | 10V | 1.5欧姆@2.5A,10V | 4V@250μA | 32nC@10V | ±20V | 600pF@25V | - | 75W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRF351 | 2.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-204AA、TO-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 350伏 | 15A(温度) | 10V | 300mOhm@8A,10V | 4V@250μA | 120nC@10V | ±20V | 2000pF@25V | - | 150W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | RFD16N05 | 0.9300 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | MOSFET(金属O化物) | I-PAK | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N沟道 | 50V | 16A(温度) | 10V | 47毫欧@16A,10V | 4V@250μA | 80nC@20V | ±20V | 900pF@25V | - | 72W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 红外FR221 | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252,(D-Pak) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 150伏 | 4.6A(温度) | 10V | 800毫欧@2.4A,10V | 4V@250μA | 18nC@10V | ±20V | 330pF@25V | - | 50W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | HGTG20N100D2 | 9.2800 | ![]() | 第539章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | 标准 | 150W | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 1000伏 | 34A | 100A | 4.1V@10V,20A | - | 163 nC | - | |||||||||||||||||||||
![]() | IGTH20N40D | 3.2600 | ![]() | 248 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 通孔 | TO-218-3隔离片、TO-218AC | 标准 | TO-218隔离 | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 400V | 20A | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG2ON60C3DR | 3.2100 | ![]() | 第302章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTH20N50E1D | 3.4000 | ![]() | 325 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-218-3隔离片、TO-218AC | 标准 | 100W | TO-218隔离 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 500V | 20A | 35A | 3.2V@20V,35A | - | 33nC | - | |||||||||||||||||||||
![]() | RFP2P08 | 0.2500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P沟道 | 80V | 2A(温度) | 10V | 3.5欧姆@1A,10V | 4V@1mA | ±20V | 150pF@25V | - | 25W(温度) | |||||||||||||||||||||
![]() | RF1S70N06 | 1.0000 | ![]() | 3306 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | MOSFET(金属O化物) | I2PAK (TO-262) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N沟道 | 60V | 70A(温度) | 14毫欧@70A,10V | 4V@250μA | 215nC@20V | ±20V | 3000pF@25V | - | 150W(温度) |
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