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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
HRF3205	1.4600	RFQ	6230	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	400	n通道		55 v	100A（TC）	10V	8mohm @ 59a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	175W（TC）
RFH75N05	4.1100	RFQ	80	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			MOSFET （金属 o化物）		TO-218隔离	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	80	n通道		50 V	-	-	-	-		-		-	-
HGTP3N60B3	0.5200	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		33.3 w	TO-220	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1		480V，3.5a，82ohm，15V											16 ns	-	600 v	7 a	20 a	2.1V @ 15V，3.5a	66µJ（在）上，88µJ（88µJ）	21 NC	18NS/105NS
BDX33CP2	0.5900	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
RFP2NO8L	0.2300	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
HGTP14N0FVLR4600	-	RFQ	9929	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定			1
Igth20N40AD	3.3600	RFQ	444	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1		-												-	400 v	20 a		-	-		-
IRFPC42	1.4100	RFQ	5	哈里斯公司	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC（TO-3P）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1	n通道		600 v	5.9a（TC）	10V	1.6OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
HGTH20N50EID	3.4000	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
Igth20N40D	3.2600	RFQ	248	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1		-												-	400 v	20 a		-	-		-
HUF761223	1.0000	RFQ	1950年	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定			1
IRF830	1.4600	RFQ	329	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		500 v	4.5A（TC）		1.5OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRFR91209AR3603	-	RFQ	6928	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRFR9120		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	499											-
HGTP20N35F3ULR3935	1.9200	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
提示47	-	RFQ	4518	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1															250 v	1 a						1ma	NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
HGTP20N35F3VL	1.9200	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
RFP2N12	0.4600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		120 v	2A（TC）	10V	1.75OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA		±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRFD111	-	RFQ	5736	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）			MOSFET （金属 o化物）		4浸，六角	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	108	n通道		80 V	1A（TC）	10V	600mohm @ 800mA，10v	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	1W（TC）
2N6487	0.9600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6487			1.8 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	314															60 V	15 a						1ma	NPN	3.5V @ 5a，15a	20 @ 5A，4V	5MHz
IRF121-0001	0.7900	RFQ	500	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
RFP2N10	0.2900	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		100 v	2A（TC）	10V	1.05OHM @ 2A，5V	4V @ 250µA		±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRFD210	0.9100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD210		MOSFET （金属 o化物）		4浸，hexdip，hvmdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		200 v	600mA（TA）	10V	1.5OHM @ 360mA，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1W（ta）
RF1S9630SM	0.9700	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	P通道		200 v	6.5a	-	-	-		-		-	-
IRFP451	3.6000	RFQ	538	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		450 v	14A（TC）	10V	400MOHM @ 7.9A，10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IRF723	0.7800	RFQ	79	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		350 v	2.8A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRF9542	1.7800	RFQ	497	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	169	P通道		100 v	15A（TC）	10V	300mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	150W（TC）
RFIS40N10LE	1.3700	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFIS40		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1											-
IRFU220S2497	0.4400	RFQ	900	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRFU220		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1											-
HGTG7N60A4D	1.7700	RFQ	269	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		125 w	TO-247	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	450		390V，7a，25ohm，15V											34 ns	-	600 v	34 a	56 a	2.7V @ 15V，7a	55µJ（在）上，60µJ（60µJ）	37 NC	11NS/100NS
RFP15N08L	0.5700	RFQ	49	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		80 V	15A（TC）	5V	140MOHM @ 7.5A，5V	2.5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±10V		-	72W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²