晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
IRF647	0.9600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		275伏	13A（温度）	10V	340毫欧@8A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	125W（温度）
2N6760TXV	7.7600	询价	第437章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	N沟道		400V	5.5A（温度）	10V	1欧姆@3.5A，10V	4V@1mA		±20V	800pF@25V	-	75W（温度）
2N6792	1.5900	询价	10	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	189	N沟道		400V	2A（温度）	10V	1.8欧姆@1.25A，10V	4V@1mA		±20V	600pF@25V	-	20W（温度）
HUF76139S3	1.2200	询价	800	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		30V	75A（温度）	4.5V、10V	7.5毫欧@75A，10V	3V@250μA	78nC@10V	±16V	2700pF@25V	-	200W（温度）
HGTP10N40C1	1.0800	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		60W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		-												-	400V	10A	17.5安	3.2V@20V，17.5A	-	19nC	-
IRFP243	2.4000	询价	181	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		150伏	18A（温度）	10V	220毫欧@10A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	1275pF@25V	-	150W（温度）
IRF810	0.4600	询价	93	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF81		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1											-
RFP12N18	1.0600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		180伏	12A（温度）	10V	250mOhm@12A，10V	4V@250μA		±20V	1700pF@25V	-	75W（温度）
IRFD213	0.5900	询价	5	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道		250伏	450mA（塔）		2欧姆@270mA，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC		140pF@25V	-	-
IRFD110	0.5700	询价	44	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD110		MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸、HVMDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	N沟道		100伏	1A（塔）	10V	540mOhm@600mA，10V	4V@250μA	10V时为8.3nC	±20V	180pF@25V	-	1.3W（塔）
IRFR421	0.4100	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		450伏	2.5A（温度）	10V	3欧姆@1.3A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	350pF@25V	-	50W（温度）
IRFD111	-	询价	5736	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	108	N沟道		80V	1A（温度）	10V	600毫欧@800毫安，10伏	4V@250μA	7nC@10V	±20V	135pF@25V	-	1W（温度）
RFD8P06LE	0.3000	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-RFD8P06LE-600026			1
IRF830	1.4600	询价	第329章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	N沟道		500V	4.5A（温度）		1.5欧姆@2.5A，10V	4V@250μA	32nC@10V	±20V	600pF@25V	-	75W（温度）
IRF740R	-	询价	8783	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	46	N沟道		400V	10A（温度）	10V	550mOhm@5.2A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1250pF@25V	-	125W（温度）
BD240A	-	询价	3864	哈里斯公司	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				30W	TO-220	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	第253章															60V	2A						300微安	国民党	700mV@200mA，1A	40@200mA，4V	-
IRFF232	1.0100	询价	第341章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		200V	4.5A（温度）	-	-	-		-		-	25W
HGTD3N60B3	0.5100	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		标准		33.3W	I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		480V，3.5A，82欧姆，15V											16纳秒	-	600伏	7A	20A	2.1V@15V，3.5A	66μJ（开），88μJ（关）	21nC	18纳秒/105纳秒
RF1S17N06L	0.6700	询价	4	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1											-
HGT1S12N60B3	1.2600	询价	917	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		标准		104W	I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		480V，12A，25欧姆，15V												-	600伏	27A	110A	2.1V@15V，12A	304μJ（开），250μJ（关）	68 纳克	26纳秒/150纳秒
HUF75309D3	-	询价	7897	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	第975章	N沟道		55V	17A（温度）	-	70毫欧@17A，10V	4V@250μA	24nC@20V	±20V	350pF@25V	-	45W（温度）
IRF9621	-	询价	4095	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	P沟道		150伏	3.5A（温度）	10V	1.5欧姆@1.5A，10V	4V@250μA	22nC@10V	±20V	350pF@25V	-	40W（温度）
IRF626	0.5300	询价	997	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		275伏	3.8A（温度）	10V	1.1欧姆@1.4A，10V	4V@250μA	22nC@10V	±20V	340pF@25V	-	40W（温度）
RF1S30P06	-	询价	1602	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1											-
IRF9532	0.6700	询价	19号	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	P沟道		100伏	10A（温度）	10V	400毫欧@6.5A，10V	4V@250μA	45nC@10V	±20V	500pF@25V	-	75W（温度）
RFP45N03L	0.6700	询价	41	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		30V	45A（温度）	5V	22mOhm@45A，5V	2V@250μA	60nC@10V	±10V	1650pF@25V	-	90W（温度）
HUF76129P3	0.7600	询价	24	哈里斯公司	超场效应晶体管™	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		30V	56A（温度）	4.5V、10V	16欧姆@56A，10V	3V@250μA	45nC@10V	±20V	1350pF@25V	-	105W（温度）
IRF9622156	0.4400	询价	800	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF9622		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				800											-
IRF512	0.4600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		100伏	4.9A（温度）	10V	740毫欧@3.4A，10V	4V@250μA	10V时为7.7nC	±20V	135pF@25V	-	43W（温度）
RFP8N20	0.5300	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		200V	8A（温度）	10V	500mOhm@4A，10V	4V@1mA		±20V	750pF@25V	-	60W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²