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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
HUF75329P3 Harris Corporation HUF75329p3 0.5900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 哈里斯公司 Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 Rohs不合规 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 55 v 49A(TC) 10V 24mohm @ 49a,10v 4V @ 250µA 75 NC @ 20 V ±20V 1060 pf @ 25 V - 128W(TC)
IRF341 Harris Corporation IRF341 1.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 MOSFET (金属 o化物) TO-3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 350 v 10A(TC) 10V 550MOHM @ 5.2A,10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±20V 1250 pf @ 25 V - 125W(TC)
2N1613 Harris Corporation 2N1613 20.3500
RFQ
ECAD 91 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 过时的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 2N16 800兆 TO-39((TO-205AD) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 16 30 V 500 MA 10NA(ICBO) NPN 1.5V @ 15mA,150mA 40 @ 150mA,10v -
HUF76139S3 Harris Corporation HUF76139S3 1.2200
RFQ
ECAD 800 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) i2pak((TO-262) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 30 V 75A(TC) 4.5V,10V 7.5MOHM @ 75A,10V 3V @ 250µA 78 NC @ 10 V ±16V 2700 PF @ 25 V - 200W(TC)
RFP15N05L Harris Corporation RFP15N05L 0.8500
RFQ
ECAD 404 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 Rohs不合规 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 50 V 15A(TC) 5V 140mohm @ 15a,5v 2V @ 250µA ±10V 900 pf @ 25 V - 60W(TC)
RFD8P06LE Harris Corporation RFD8P06LE 0.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 下载 供应商不确定 到达受影响 2156-RFD8P06LE-600026 1
D40D3 Harris Corporation D40D3 -
RFQ
ECAD 8028 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 to-202长标签 1.67 w TO-202AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0075 1 1 a 100NA NPN - -
HUF75333P3 Harris Corporation HUF753333 0.7600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 Rohs不合规 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 55 v 66A(TC) 16mohm @ 66a,10v 4V @ 250µA 85 NC @ 20 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 150W(TC)
HGTP10N50E1 Harris Corporation HGTP10N50E1 1.9400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 标准 60 W TO-220-3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 - - 500 v 10 a 17.5 a 3.2V @ 20V,17.5A - 19 nc -
IRFP251 Harris Corporation IRFP251 1.8700
RFQ
ECAD 265 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 150 v 33A(TC) 10V 85mohm @ 17a,10v 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 25 V - 180W(TC)
IRFP9240 Harris Corporation IRFP9240 -
RFQ
ECAD 5544 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 Rohs不合规 Ear99 8541.29.0095 500 P通道 200 v 12A(TC) 10V 500MOHM @ 7.2A,10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 25 V - 150W(TC)
HGTG30N60B3 Harris Corporation HGTG30N60B3 3.1600
RFQ
ECAD 16 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 208 w TO-247 下载 Rohs不合规 Ear99 8541.29.0095 450 480V,30a,3ohm,15V - 600 v 60 a 220 a 1.9V @ 15V,30a (500µJ)(在680µJ上) 170 NC 36NS/137NS
IRF543 Harris Corporation IRF543 0.7700
RFQ
ECAD 965 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 80 V 25A(TC) 10V 100mohm @ 17a,10v 4V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±20V 1450 pf @ 25 V - 150W(TC)
IGT5E10CS Harris Corporation IGT5E10CS 1.4100
RFQ
ECAD 564 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 - 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1
BUX32 Harris Corporation BUX32 -
RFQ
ECAD 2583 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 150 w TO-3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 3 800 v 8 a 200µA NPN 2V @ 2a,8a 8 @ 6a,3v 60MHz
IRFP350 Harris Corporation IRFP350 3.0400
RFQ
ECAD 5008 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 Ear99 8542.39.0001 25 n通道 400 v 16A(TC) 10V 300MOHM @ 9.6A,10V 4V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 25 V - 190w(TC)
D44D2 Harris Corporation D44D2 -
RFQ
ECAD 2720 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 2.1 w TO-220 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 110 40 V 6 a 10µA npn-达灵顿 1.5V @ 5mA,5a 2000 @ 1A,2V -
RFM10N45 Harris Corporation RFM10N45 -
RFQ
ECAD 2712 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 MOSFET (金属 o化物) TO-3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 10A(TC) 10V 600MOHM @ 5A,10V 4V @ 1mA ±20V 3000 pf @ 25 V - 150W(TC)
HGTP12N6001 Harris Corporation HGTP12N6001 2.2500
RFQ
ECAD 568 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 - 不适用 3(168)) 供应商不确定 1
D45D3 Harris Corporation D45D3 -
RFQ
ECAD 9669 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 2.1 w TO-220 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 124 60 V 6 a 10µA pnp-达灵顿 1.5V @ 3mA,3a 2000 @ 1A,2V -
HUF75345P3 Harris Corporation HUF753453 -
RFQ
ECAD 1337 0.00000000 哈里斯公司 Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 Rohs不合规 Ear99 8541.29.0095 119 n通道 55 v 75A(TC) 10V 7mohm @ 75a,10v 4V @ 250µA 275 NC @ 20 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 325W(TC)
HGTG20N60B3 Harris Corporation HGTG20N60B3 3.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 165 w TO-247 下载 Rohs不合规 Ear99 8541.29.0095 450 480V,20A,10欧姆,15V - 600 v 40 a 160 a 2V @ 15V,20A (475µJ)(在1.05MJ上) 80 NC -
TIP117 Harris Corporation 提示117 -
RFQ
ECAD 9187 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 2 w TO-220-3 下载 Rohs不合规 Ear99 8541.29.0095 50 100 v 2 a 2mA pnp-达灵顿 2.5V @ 8mA,2a 1000 @ 1A,4V -
IRF351 Harris Corporation IRF351 2.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 MOSFET (金属 o化物) TO-3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 350 v 15A(TC) 10V 300mohm @ 8a,10v 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 25 V - 150W(TC)
HUF75309D3 Harris Corporation HUF75309D3 -
RFQ
ECAD 7897 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 975 n通道 55 v 17a(TC) - 70mohm @ 17a,10v 4V @ 250µA 24 NC @ 20 V ±20V 350 pf @ 25 V - 45W(TC)
RF1S530SM9A Harris Corporation RF1S530SM9A 0.8800
RFQ
ECAD 800 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 下载 供应商不确定 到达受影响 2156-RF1S530SM9A-600026 1
RF1K4909096 Harris Corporation RF1K4909096 0.5700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-RF1K4909096-600026 1
IRF640S2470 Harris Corporation IRF640S2470 1.0000
RFQ
ECAD 2957 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 IRF640 - - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
HGTG20N100D2 Harris Corporation HGTG20N100D2 9.2800
RFQ
ECAD 539 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 150 w TO-247 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 - - 1000 v 34 a 100 a 4.1V @ 10V,20A - 163 NC -
HGTH12N40E1D Harris Corporation HGTH12N40E1D -
RFQ
ECAD 5438 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-218-3隔离选项卡,TO-218AC 标准 75 w TO-218隔离 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 109 - 100 ns - 400 v 12 a 17.5 a 3.2V @ 20V,17.5A - 19 nc -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库