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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUF75329p3 | 0.5900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | Ultrafet™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | n通道 | 55 v | 49A(TC) | 10V | 24mohm @ 49a,10v | 4V @ 250µA | 75 NC @ 20 V | ±20V | 1060 pf @ 25 V | - | 128W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF341 | 1.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 350 v | 10A(TC) | 10V | 550MOHM @ 5.2A,10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ±20V | 1250 pf @ 25 V | - | 125W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N1613 | 20.3500 | ![]() | 91 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 2N16 | 800兆 | TO-39((TO-205AD) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 16 | 30 V | 500 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1.5V @ 15mA,150mA | 40 @ 150mA,10v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76139S3 | 1.2200 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | i2pak((TO-262) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 75A(TC) | 4.5V,10V | 7.5MOHM @ 75A,10V | 3V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ±16V | 2700 PF @ 25 V | - | 200W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | RFP15N05L | 0.8500 | ![]() | 404 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | n通道 | 50 V | 15A(TC) | 5V | 140mohm @ 15a,5v | 2V @ 250µA | ±10V | 900 pf @ 25 V | - | 60W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RFD8P06LE | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-RFD8P06LE-600026 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D40D3 | - | ![]() | 8028 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | to-202长标签 | 1.67 w | TO-202AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 1 a | 100NA | NPN | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF753333 | 0.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | Ultrafet™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | n通道 | 55 v | 66A(TC) | 16mohm @ 66a,10v | 4V @ 250µA | 85 NC @ 20 V | ±20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | HGTP10N50E1 | 1.9400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | 60 W | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 500 v | 10 a | 17.5 a | 3.2V @ 20V,17.5A | - | 19 nc | - | |||||||||||||||||||||
![]() | IRFP251 | 1.8700 | ![]() | 265 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 150 v | 33A(TC) | 10V | 85mohm @ 17a,10v | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 2000 pf @ 25 V | - | 180W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRFP9240 | - | ![]() | 5544 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P通道 | 200 v | 12A(TC) | 10V | 500MOHM @ 7.2A,10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG30N60B3 | 3.1600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 208 w | TO-247 | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 480V,30a,3ohm,15V | - | 600 v | 60 a | 220 a | 1.9V @ 15V,30a | (500µJ)(在680µJ上) | 170 NC | 36NS/137NS | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRF543 | 0.7700 | ![]() | 965 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 80 V | 25A(TC) | 10V | 100mohm @ 17a,10v | 4V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 1450 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IGT5E10CS | 1.4100 | ![]() | 564 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUX32 | - | ![]() | 2583 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 150 w | TO-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 3 | 800 v | 8 a | 200µA | NPN | 2V @ 2a,8a | 8 @ 6a,3v | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP350 | 3.0400 | ![]() | 5008 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | n通道 | 400 v | 16A(TC) | 10V | 300MOHM @ 9.6A,10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±20V | 2600 PF @ 25 V | - | 190w(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | D44D2 | - | ![]() | 2720 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 2.1 w | TO-220 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 110 | 40 V | 6 a | 10µA | npn-达灵顿 | 1.5V @ 5mA,5a | 2000 @ 1A,2V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RFM10N45 | - | ![]() | 2712 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 450 v | 10A(TC) | 10V | 600MOHM @ 5A,10V | 4V @ 1mA | ±20V | 3000 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | HGTP12N6001 | 2.2500 | ![]() | 568 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D45D3 | - | ![]() | 9669 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 2.1 w | TO-220 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 124 | 60 V | 6 a | 10µA | pnp-达灵顿 | 1.5V @ 3mA,3a | 2000 @ 1A,2V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF753453 | - | ![]() | 1337 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | Ultrafet™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.29.0095 | 119 | n通道 | 55 v | 75A(TC) | 10V | 7mohm @ 75a,10v | 4V @ 250µA | 275 NC @ 20 V | ±20V | 4000 pf @ 25 V | - | 325W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG20N60B3 | 3.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 165 w | TO-247 | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 480V,20A,10欧姆,15V | - | 600 v | 40 a | 160 a | 2V @ 15V,20A | (475µJ)(在1.05MJ上) | 80 NC | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 提示117 | - | ![]() | 9187 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 2 w | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 2 a | 2mA | pnp-达灵顿 | 2.5V @ 8mA,2a | 1000 @ 1A,4V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF351 | 2.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 350 v | 15A(TC) | 10V | 300mohm @ 8a,10v | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 2000 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | HUF75309D3 | - | ![]() | 7897 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 975 | n通道 | 55 v | 17a(TC) | - | 70mohm @ 17a,10v | 4V @ 250µA | 24 NC @ 20 V | ±20V | 350 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | RF1S530SM9A | 0.8800 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-RF1S530SM9A-600026 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1K4909096 | 0.5700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-RF1K4909096-600026 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF640S2470 | 1.0000 | ![]() | 2957 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | IRF640 | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG20N100D2 | 9.2800 | ![]() | 539 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 150 w | TO-247 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 1000 v | 34 a | 100 a | 4.1V @ 10V,20A | - | 163 NC | - | |||||||||||||||||||||
![]() | HGTH12N40E1D | - | ![]() | 5438 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-218-3隔离选项卡,TO-218AC | 标准 | 75 w | TO-218隔离 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 109 | - | 100 ns | - | 400 v | 12 a | 17.5 a | 3.2V @ 20V,17.5A | - | 19 nc | - |
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