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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
提示47	-	RFQ	4518	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1															250 v	1 a						1ma	NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
HGTP20N35F3VL	1.9200	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
IG77E20CS	1.0000	RFQ	9860	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定			1
IRF710	0.4100	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF710		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		400 v	2A（TC）	10V	3.6ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	36W（TC）
HUF761223	1.0000	RFQ	1950年	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定			1
HGTP14N0FVLR4600	-	RFQ	9929	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定			1
Igth20N40AD	3.3600	RFQ	444	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1		-												-	400 v	20 a		-	-		-
RFP30N6LER4541	0.4200	RFQ	4	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFP30		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1											-
IRFPC42	1.4100	RFQ	5	哈里斯公司	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC（TO-3P）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1	n通道		600 v	5.9a（TC）	10V	1.6OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
HGTH20N50EID	3.4000	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
Igth20N40D	3.2600	RFQ	248	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1		-												-	400 v	20 a		-	-		-
JANSR2N7292	407.6400	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-254AA	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	25A（TC）	10V	70mohm @ 20a，10v	5V @ 1mA	552 NC @ 20 V	±20V		-	125W（TC）
IRFD220	0.5200	RFQ	913	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD220		MOSFET （金属 o化物）		4浸，hexdip，hvmdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		200 v	800mA（ta）	10V	800MOHM @ 480mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	1W（ta）
RFH75N05	4.1100	RFQ	80	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			MOSFET （金属 o化物）		TO-218隔离	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	80	n通道		50 V	-	-	-	-		-		-	-
HGTP3N60B3	0.5200	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		33.3 w	TO-220	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1		480V，3.5a，82ohm，15V											16 ns	-	600 v	7 a	20 a	2.1V @ 15V，3.5a	66µJ（在）上，88µJ（88µJ）	21 NC	18NS/105NS
RFP2NO8L	0.2300	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
Igth20n50a	2.6100	RFQ	5178	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载				Ear99	8542.39.0001	38		-												-	500 v	20 a		-	-		-
IRF840RU	-	RFQ	5093	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-					0000.00.0000	150
IGTM20N40	-	RFQ	9799	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准			TO-3	下载				Ear99	8542.39.0001	25		-												-	400 v	20 a		-	-		-
IGTM20N50	1.0000	RFQ	4800	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准			TO-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1		-												-	500 v	20 a		-	-		-
HGTD8P50GIS	-	RFQ	6829	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-					0000.00.0000	1
HGTH12N40E1D	-	RFQ	5438	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准		75 w	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	109		-											100 ns	-	400 v	12 a	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
CA3083R4339-HC	0.4600	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		0000.00.0000	1
IRF820	0.6000	RFQ	3	哈里斯公司	PowerMesh™II	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF8		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		500 v	4A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	315 pf @ 25 V	-	80W（TC）
BD244C	0.7300	RFQ	5211	哈里斯公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				65 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	200															100 v	6 a						700µA	PNP	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	-
RFP50N05	0.9200	RFQ	30	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		50 V	50A（TC）	10V	22mohm @ 50a，10v	4V @ 250NA	160 NC @ 20 V	±20V		-	132W（TC）
IRF9532	0.6700	RFQ	19	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	P通道		100 v	10A（TC）	10V	400mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	75W（TC）
2N3393	0.3200	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N339			625兆	TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	1															25 v	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	-	90 @ 2mA，4.5V	-
HGTH12N40CID	2.4900	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
HGTD7N60C3	-	RFQ	5957	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		标准		60 W	我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	225		-												-	600 v	14 a	56 a	2V @ 15V，7a	-	30 NC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²