晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
IRF721R	-	询价	8131	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	300	N沟道			350伏	3.3A（塔）	10V	1.8欧姆@1.8A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	360pF@25V	-	50W（温度）
2N6475	1.1300	询价	6073	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				40W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	200																100伏	4A						1毫安	国民党	2.5V@2A、4A	15@1.5A，4V	4兆赫兹
RCA1C04	-	询价	1421	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义				1
IRFP251	1.8700	询价	265	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			150伏	33A（温度）	10V	85毫欧@17A，10V	4V@250μA	120nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	180W（温度）
IRF9621	-	询价	4095	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	P沟道			150伏	3.5A（温度）	10V	1.5欧姆@1.5A，10V	4V@250μA	22nC@10V	±20V	350pF@25V	-	40W（温度）
HUF75309D3	-	询价	7897	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	第975章	N沟道			55V	17A（温度）	-	70毫欧@17A，10V	4V@250μA	24nC@20V	±20V	350pF@25V	-	45W（温度）
提示112	-	询价	4081	哈里斯公司	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1																100伏	2A						2毫安	NPN-达林顿	2.5V@8mA，2A	1000 @ 1A，4V	-
RFD16N05L	1.1700	询价	32	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		TO-251AA	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			50V	16A（温度）	4V、5V	47毫欧@16A，5V	2V@250mA	80nC@10V	±10V		-	60W（温度）
RFD16N05LSM	1.0000	询价	2354	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	RFD16		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			50V	16A（温度）	4V、5V	47毫欧@16A，5V	2V@250mA	80nC@10V	±10V		-	60W（温度）
IRFP352	1.8200	询价	第436章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			400V	14A（温度）	10V	400毫欧@8.9A，10V	4V@250μA	130nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	180W（温度）
HGT1S12N60B3	1.2600	询价	917	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		标准		104W	I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		480V，12A，25欧姆，15V													-	600伏	27A	110A	2.1V@15V，12A	304μJ（开），250μJ（关）	68 纳克	26纳秒/150纳秒
HGTP14N0FVLR4600	-	询价	9929	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				1
IRF723	0.7800	询价	79	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			350伏	2.8A（温度）	10V	2.5欧姆@1.8A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	360pF@25V	-	50W（温度）
RFP30N6LER4541	0.4200	询价	4	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RFP30		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1												-
HUF75345P3	-	询价	第1337章	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	119	N沟道			55V	75A（温度）	10V	7毫欧@75A，10V	4V@250μA	275nC@20V	±20V	4000pF@25V	-	325W（温度）
IRF640S2470	1.0000	询价	2957	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF640		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1												-
红外FR220	0.5900	询价	528	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	528	N沟道			200V	4.6A（温度）		800毫欧@2.4A，10V	4V@250μA	18nC@10V	±20V	330pF@25V	-	50W（温度）
红外FR121	0.3400	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1	N沟道			80V	8.4A	-	-	-		-		-	-
IRFR420U	0.5000	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				红外FR420		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1												-
IRFD220	0.5200	询价	913	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD220		MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸、HVMDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	N沟道			200V	800mA（塔）	10V	800毫欧@480mA，10V	4V@250μA	14nC@10V	±20V	260pF@25V	-	1W（塔）
HFA3127B96	-	询价	7981	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				150毫W	16-SOIC	-	不符合RoHS标准		供应商未定义	2156-HFA3127B96-600026			1			-													12V	65毫安							5 NPN		40@10mA，2V	8GHz	3.5dB@1GHz
IRF543	0.7700	询价	965	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			80V	25A（温度）	10V	100mOhm@17A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1450pF@25V	-	150W（温度）
IRFP244	-	询价	5094	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	500	N沟道			250伏	15A（温度）	10V	280毫欧@9A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1400pF@25V	-	150W（温度）
HUF75329P3	0.5900	询价	3	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	400	N沟道			55V	49A（温度）	10V	24毫欧@49A，10V	4V@250μA	75nC@20V	±20V	1060pF@25V	-	128W（温度）
IGT5E10CS	1.4100	询价	第564章	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
IRF9632	1.5400	询价	第455章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	P沟道			200V	5.5A（温度）	10V	1.2欧姆@3.5A，10V	4V@250μA	45nC@10V	±20V	550pF@25V	-	75W（温度）
RFP2N10	0.2900	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			100伏	2A（温度）	10V	1.05欧姆@2A，5V	4V@250μA		±20V	200pF@25V	-	25W（温度）
IRFF322	0.6500	询价	500	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	500	N沟道			400V	2A（温度）	10V	2.5欧姆@1.25A，10V	4V@250μA	15nC@10V	20V	450pF@25V	-	20W（温度）
HGTD3N60B3S	0.5200	询价	第944章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		标准		33.3W	TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		480V，3.5A，82欧姆，15V												16纳秒	-	600伏	7A	20A	2.1V@15V，3.5A	66μJ（开），88μJ（关）	21nC	18纳秒/105纳秒
RCA8766	-	询价	9172	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-204AA、TO-3				150W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	99																350伏	10A						1毫安	NPN-达林顿	1.5V@200mA，6A	100 @ 6A，3V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²