晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
IRFP341	1.3500	询价	233	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	233	N沟道		350伏	11A（温度）	10V	550mOhm@5.5A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1250pF@25V	-	150W（温度）
RFP18N08	1.1000	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		80V	18A（温度）	10V	100mOhm@9A，10V	4V@1mA		±20V	1700pF@25V	-	75W（温度）
IRF645	-	询价	3101	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	265	N沟道		250伏	13A（温度）	10V	340毫欧@8A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	125W（温度）
MJ15002	-	询价	5196	哈里斯公司	-	托盘	过时的	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3				200W	TO-204 (TO-3)	-	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	100														140伏	15A				250μA	国民党	1V@400mA，4A	25@4A，2V	2兆赫兹
IRFD322	1.5600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		400V	400mA（温度）	10V	2.5欧姆@250mA，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	455pF@25V	-	1W（温度）
IRF233	-	询价	8436	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		150伏	8A（温度）	10V	600mOhm@5A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	600pF@25V	-	75W（温度）
CA3127ER2323	2.0100	询价	6	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		0000.00.0000	1
BUX31	0.2200	询价	1197	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3				150W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	105														400V	8A				-	NPN	-	8 @ 4A，3V	15兆赫
IGTM10N50A	1.6000	询价	第484章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	1		-											-	500V	10A	-	-	-
HUF75309D3S	0.2700	询价	14	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	1,800	N沟道		55V	19A（TC）	10V	70毫欧@19A，10V	4V@250μA	24nC@20V	±20V	350pF@25V	-	55W（温度）
RFA100N05E	5.6600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-218-5			MOSFET（金属O化物）		TO-218-5	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		50V	100A（温度）	10V	8毫欧@100A，10V	4V@250μA	230nC@10V	±20V		-	240W（温度）
CA3082F/3	6.8500	询价	3	哈里斯公司	*	大部分	的积极				CA3082					-	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.21.0095	1
D64VS4	6.0100	询价	100	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3				195 W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0075	1														350伏	15A				100微安	NPN	1V@2.5A、15A	10@10A，2V	50兆赫
D44Q3	1.0700	询价	36	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				1.67W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1														175伏	4A				10μA（ICBO）	NPN	1V@200mA，2A	30@200mA，10V	50兆赫
2N6759	1.2000年	询价	第1435章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	120	N沟道		350伏	4.5A（温度）	10V	1.5欧姆@3A，10V	4V@1mA		±20V	800pF@25V	-	75W（温度）
RFD16N03LSM9A	0.6000	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1
BUW41	-	询价	8024	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				100W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0075	1														300伏	8A				100微安	NPN	2V@4A、8A	10 @ 5A，3V	60兆赫
RFP15N12	1.0600	询价	12	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		120V	15A（温度）	10V	150毫欧@7.5A，10V	4V@1mA		±20V	1700pF@25V	-	75W（温度）
2N6293	0.5400	询价	2239	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				40W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	105														80V	7A				1毫安	NPN	3.5V@3A、7A	30@2A，4V	10兆赫兹
IRFP340	1.3700	询价	1	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	500	N沟道		400V	11A（温度）	10V	550mOhm@6.6A，10V	4V@250μA	62nC@10V	±20V	1400pF@25V	-	150W（温度）
IRF841	1.0100	询价	800	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		450伏	8A（温度）	10V	850毫欧@4.4A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1225pF@25V	-	125W（温度）
RFP8P06LE	0.2900	询价	4789	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	P沟道		60V	8A（温度）	4.5V、5V	300mOhm@8A，5V	2V@250μA	30nC@10V	±10V	675pF@25V	-	48W（温度）
红外FR222	0.4300	询价	第944章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		200V	3.8A（温度）	10V	1.2欧姆@2.4A，10V	4V@250μA	18nC@10V	±20V	330pF@25V	-	50W（温度）
D64DV5	8.3400	询价	8879	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AE				180W	TO-204AE	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	31														400V	50A				1毫安	NPN-达林顿	3V@5A、75A	100 @ 20A，5V	-
BUZ21	1.3600	询价	43	哈里斯公司	SIPMOS®	管子	过时的		通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		100伏	21A（温度）		85毫欧@13A，10V	4V@1mA			1300pF@25V	-
MJE13070	0.4900	询价	2202	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				80W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	2														6V	5A				500μA	NPN	3V@1A、5A	8 @ 3A，5V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²