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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RFP6P10	0.5300	RFQ	42	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	P通道	100 v	6A（TC）	10V	600mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA		±20V	800 pf @ 25 V	-	60W（TC）
HA4P5033-5	8.3000	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HA4P5033-5-600026			1
BD534	0.3300	RFQ	1909年	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			50 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	44												45 v	8 a	100µA	PNP	800mv @ 600mA，6a	25 @ 2a，2v	-
D44Q3	1.0700	RFQ	36	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			1.67 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1												175 v	4 a	10µA（ICBO）	NPN	1V @ 200mA，2a	30 @ 200ma，10v	50MHz
IRFD113	0.6300	RFQ	53	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）		MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	800mA（TC）	10V	800mohm @ 800mA，10v	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	1W（TC）
RFP45N06LE	0.7000	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	45A（TC）	5V	28mohm @ 45a，5v	2V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±10V	2150 pf @ 25 V	-	142W（TC）
BD244A	0.4100	RFQ	4422	哈里斯公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			65 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	500												60 V	6 a	700µA	PNP	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	-
2N6773DR6220	-	RFQ	1513年	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			40 W	TO-220	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	337												650 v	1 a	100µA	NPN	1V @ 200mA，1a	20 @ 300mA，3v	50MHz
2N6293	0.5400	RFQ	2239	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			40 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	105												80 V	7 a	1ma	NPN	3.5V @ 3a，7a	30 @ 2a，4v	10MHz
RF1S45N06SM	0.8500	RFQ	700	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	45a	-	-	-		-		-	-
提示100	0.4400	RFQ	1	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			80 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50												60 V	8 a	50µA	npn-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	4MHz
IRFR220119	-	RFQ	2647	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRFR220	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	675										-
2N6759	1.2000	RFQ	1435	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-204aa		MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	120	n通道	350 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 3A，10V	4V @ 1mA		±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RFG40N10LE	1.2200	RFQ	489	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
BUX31	0.2200	RFQ	1197	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			150 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	105												400 v	8 a	-	NPN	-	8 @ 4a，3v	15MHz
2N5786	20.8900	RFQ	2649	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1												40 V	3.5 a	100µA	NPN	2V @ 800mA，3.2a	4 @ 3.2a，2V	4MHz
MJH13091	-	RFQ	6164	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			125 w	to-3pn	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1												750 v	15 a	500µA	NPN	3V @ 3a，15a	8 @ 10a，3v	-
HUF76113T3ST	0.5500	RFQ	3	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HUF76113T3ST-600026			1
IRFR1219A	0.3900	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
HUF753443	1.4400	RFQ	4	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	210	n通道	55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
BD242C	1.0000	RFQ	8609	哈里斯公司	BD242C	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			40 W	TO-220	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	200												100 v	3 a	300µA	PNP	1.2V @ 600mA，3a	25 @ 1A，4V	-
IRFD322	1.5600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）		MOSFET （金属 o化物）		4浸，六角	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	400 v	400mA（TC）	10V	2.5Ohm @ 250mA，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	455 pf @ 25 V	-	1W（TC）
RFP25N05L	-	RFQ	2796	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	50 V	25A（TC）	4V，5V	47mohm @ 25a，5v	2V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±10V		-	60W（TC）
D40V3121	0.4700	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
RF1S9640SM9A	-	RFQ	5891	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-RF1S9640SM9A-600026			1
IRF9520	0.9600	RFQ	8	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	314	P通道	100 v	6A（TC）		600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
2N6542	49.8400	RFQ	545	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			100 W	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	7												300 v	5 a	500µA	NPN	5V @ 1a，5a	12 @ 1.5A，2V	28MHz
BD750B	2.2500	RFQ	289	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	134
IRFF222	1.0000	RFQ	3948	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	3A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	20W（TC）
2N6490	1.6700	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6490		1.8 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.49.7080	1												60 V	15 a	1ma	PNP	3.5V @ 5a，15a	20 @ 5A，4V	5MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²