晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
IRF645	-	询价	3101	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	265	N沟道		250伏	13A（温度）	10V	340毫欧@8A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	125W（温度）
IRF233	-	询价	8436	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		150伏	8A（温度）	10V	600mOhm@5A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	600pF@25V	-	75W（温度）
RFP18N08	1.1000	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		80V	18A（温度）	10V	100mOhm@9A，10V	4V@1mA		±20V	1700pF@25V	-	75W（温度）
MJ15002	-	询价	5196	哈里斯公司	-	托盘	过时的	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3				200W	TO-204 (TO-3)	-	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	100														140伏	15A						250μA	国民党	1V@400mA，4A	25@4A，2V	2兆赫兹
IRFD322	1.5600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		400V	400mA（温度）	10V	2.5欧姆@250mA，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	455pF@25V	-	1W（温度）
HUF75339P3	0.8300	询价	19号	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	第364章	N沟道		55V	75A（温度）	10V	12毫欧@75A，10V	4V@250μA	130nC@20V	±20V	2000pF@25V	-	200W（温度）
HGTP3N60A4	1.2900	询价	106	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		70W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	800		390V，3A，50欧姆，15V											-	600伏	17A	40A	2.7V@15V，3A	37μJ（开），25μJ（关）	21nC	6纳秒/73纳秒
IRF730U	0.5700	询价	3987	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF73		-			下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	第417章											-
2N6542	49.8400	询价	第545章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3				100W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	7														300伏	5A						500μA	NPN	5V@1A、5A	12 @ 1.5A，2V	28兆赫
2N6078	-	询价	5580	哈里斯公司	-	大部分	的积极	200°C（太焦）	通孔	TO-213AA、TO-66-2				45W	TO-66	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1														250伏	7A						50微安	NPN	3V@1A、5A	12 @ 1.2A，10V
提示50	0.5100	询价	49	哈里斯公司	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	第632章														400V	1A						1毫安	NPN	1V@200mA，1A	30@300mA，10V	10兆赫兹
IRF540P2	-	询价	1842年	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
RFP25N05L	-	询价	2796	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		50V	25A（温度）	4V、5V	47毫欧@25A，5V	2V@250μA	80nC@10V	±10V		-	60W（温度）
2N6532	2.9500	询价	第832章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				65W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1														100伏	8A						1毫安	NPN-达林顿	3V@80mA，8A	1000 @ 5A，3V	-
HC3-5504B-5	6.3000	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-HC3-5504B-5-600026			1
BD750A	1.8000	询价	第864章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	200°C（太焦）	通孔	TO-204				200W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1														120V	20A						500μA	国民党	1V@500mA，5A	25@5A，2V
HGTP3N60C3	0.4800	询价	5	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3		标准		33W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		-											-	600伏	6A	24A	2V@15V，3A	-	17.3nC	-
IRFF321	1.0000	询价	6981	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		350伏	2.5A（温度）	10V	1.8欧姆@1.25A，10V	4V@250μA	15nC@10V	20V	450pF@25V	-	20W（温度）
IRFD113	0.6300	询价	53	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道		60V	800mA（温度）	10V	800毫欧@800毫安，10伏	4V@250μA	7nC@10V	±20V	200pF@25V	-	1W（温度）
HUF76132S3	1.0000	询价	2738	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
2N5879	69.4600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3				160W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	5														60V	15A						500μA（ICBO）	国民党	-	-	4兆赫兹
2N3773V	2.0000	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义			0000.00.0000	1
IGTM10N50A	1.6000	询价	第484章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1		-											-	500V	10A		-	-		-
RFG75N05E	7.0400	询价	18	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		50V	75A（温度）	10V	8毫欧@75A，10V	4V@250μA	400nC@20V	±20V		-	240W（温度）
IRF84093	-	询价	9731	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF8409					-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				第375章
2N6759	1.2000年	询价	第1435章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	120	N沟道		350伏	4.5A（温度）	10V	1.5欧姆@3A，10V	4V@1mA		±20V	800pF@25V	-	75W（温度）
RFD16N03LSM9A	0.6000	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
RFP15N12	1.0600	询价	12	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		120V	15A（温度）	10V	150毫欧@7.5A，10V	4V@1mA		±20V	1700pF@25V	-	75W（温度）
BUW41	-	询价	8024	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				100W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0075	1														300伏	8A						100微安	NPN	2V@4A、8A	10 @ 5A，3V	60兆赫
BUZ11S2537	0.4600	询价	800	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²