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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BFT19B	1.1800	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	to-205ad	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	254													400 v	1 a	100µA（ICBO）	PNP	2.5V @ 3mA，30mA	25 @ 5mA，10v	-
HUF7554S3S	1.3800	RFQ	839	哈里斯公司	*	大部分	积极的				HUF7554	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1											-
2N6532	2.9500	RFQ	832	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			65 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1													100 v	8 a	1ma	npn-达灵顿	3V @ 80mA，8a	1000 @ 5A，3V	-
IRF233	-	RFQ	8436	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	150 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RFP2N18	0.2800	RFQ	6021	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	180 v	2A（TC）	10V	3.5OHM @ 1A，10V	4V @ 2mA		±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRFBC40R	0.8900	RFQ	2991	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	8		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
D44TD4	-	RFQ	2565	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			50 W	TO-220	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	400													350 v	2 a	100µA	NPN	1V @ 400mA，2a	8 @ 1a，2v	50MHz
IRF121	-	RFQ	4152	哈里斯公司	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）		to-204aa	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	20		n通道	60 V	8a（8a）		-	-				-
RFD4N06L	0.3000	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	4A（TC）	5V	600MOHM @ 1A，5V	2.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±10V		-	30W（TC）
RFA100N05E	5.6600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-218-5		MOSFET （金属 o化物）		TO-218-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	50 V	100A（TC）	10V	8mohm @ 100A，10V	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V		-	240W（TC）
RFP15N12	1.0600	RFQ	12	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	120 v	15A（TC）	10V	150MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	1700 PF @ 25 V	-	75W（TC）
3N206	13.8700	RFQ	612	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以		MOSFET		到72	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	1	n通道双门
RFD14N05S2515	0.3100	RFQ	1023	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFD14	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			900											-
RFD20N03SM9AR4761	0.4100	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFD20	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	2,500											-
CA3140R1167	1.2400	RFQ	4	哈里斯公司	*	大部分	积极的				CA3140	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		0000.00.0000	1											-
RFP8P06LE	0.2900	RFQ	4789	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		P通道	60 V	8A（TC）	4.5V，5V	300mohm @ 8a，5v	2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±10V	675 PF @ 25 V	-	48W（TC）
2N6772	-	RFQ	9761	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			40 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0075	536													550 v	1 a	100µA	NPN	1V @ 200mA，1a	20 @ 300mA，3v	50MHz
D45C1	-	RFQ	1238	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			30 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0075	53													30 V	4 a	10µA	PNP	500mv @ 100mA，1a	25 @ 1A，1V	40MHz
RFP7N40	1.2100	RFQ	471	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	400 v	7A（TC）	10V	750MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	1600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
HUF76121S3	0.4400	RFQ	3	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
RFD3055LESM9A	-	RFQ	3106	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	11A（TC）	5V	107MOHM @ 8A，5V	3V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
IRF712	-	RFQ	1466	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	5ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	36W（TC）
IRFR9120	0.9800	RFQ	1	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	75		P通道	100 v	5.6A（TC）	10V	600MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFU110	0.3300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu1	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	919		n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	25W（TC）
D45D6	-	RFQ	7298	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			2.1 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	384													80 V	6 a	10µA	pnp-达灵顿	2V @ 5mA，5a	2000 @ 1A，2V	-
RFD8P05SM9AS2463	0.4600	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFD8P05	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1											-
IRFP341	1.3500	RFQ	233	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	233		n通道	350 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	150W（TC）
RFP10N15101	1.0000	RFQ	4788	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-					0000.00.0000	1
IRF540P2	-	RFQ	1842年	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-					0000.00.0000	1
D45H4	1.0000	RFQ	4330	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			1.67 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1													45 v	10 a	10µA	PNP	1.5V @ 400mA，8a	35 @ 2a，1V	135MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²