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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BUZ11S2537	0.4600	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1
HUF75639S3	1.3400	RFQ	5	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	224		n通道		100 v	56A（TC）	10V	25mohm @ 56a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
HGT1S12N60B3S	1.4100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		104 w	D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			480V，12a，25ohm，15V											-	600 v	27 a	110 a	2.1V @ 15V，12A	304µJ（在）上，250µJ（OFF）	68 NC	26NS/150NS
RFD16N03LSM9A	0.6000	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
D44D1	-	RFQ	5613	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2.1 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	441															40 V	6 a						10µA	npn-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	2000 @ 1A，2V	-
MJ15002	-	RFQ	5196	哈里斯公司	-	托盘	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				200 w	TO-204（TO-3）	-	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	100															140 v	15 a						250µA	PNP	1V @ 400mA，4a	25 @ 4A，2V	2MHz
MJH16012	5.9200	RFQ	171	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
RFP4N35	-	RFQ	7495	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		350 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 2a，10v	4V @ 1mA		±20V	750 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RFD3055SM9AS2479	1.0000	RFQ	4241	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFD3055		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	2,500												-
2N3773V	2.0000	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		0000.00.0000	1
IRFU322	0.3600	RFQ	898	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	898		n通道		400 v	2.6a（ta）	10V	2.5OHM @ 1.7A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
5962-9474901MEA	26.7200	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
BFT19	0.4600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	to-205ad	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1															200 v	1 a						100µA（ICBO）	PNP	2.5V @ 3mA，30mA	25 @ 5mA，10v	-
IRF230	2.7400	RFQ	1215	哈里斯公司	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	9A（TC）		400MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RF1S30P05SM	-	RFQ	9212	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	92		P通道		50 V	30a	-	-	-		-		-	-
BFT19B	1.1800	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	to-205ad	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	254															400 v	1 a						100µA（ICBO）	PNP	2.5V @ 3mA，30mA	25 @ 5mA，10v	-
HUF7554S3S	1.3800	RFQ	839	哈里斯公司	*	大部分	积极的				HUF7554		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1												-
2N6532	2.9500	RFQ	832	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				65 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1															100 v	8 a						1ma	npn-达灵顿	3V @ 80mA，8a	1000 @ 5A，3V	-
IRF233	-	RFQ	8436	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RFP2N18	0.2800	RFQ	6021	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		180 v	2A（TC）	10V	3.5OHM @ 1A，10V	4V @ 2mA		±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRFBC40R	0.8900	RFQ	2991	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	8		n通道		600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
D44TD4	-	RFQ	2565	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				50 W	TO-220	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	400															350 v	2 a						100µA	NPN	1V @ 400mA，2a	8 @ 1a，2v	50MHz
IRF121	-	RFQ	4152	哈里斯公司	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		to-204aa	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	20		n通道		60 V	8a（8a）		-	-				-
RFD4N06L	0.3000	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	4A（TC）	5V	600MOHM @ 1A，5V	2.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±10V		-	30W（TC）
RFA100N05E	5.6600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-218-5			MOSFET （金属 o化物）		TO-218-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		50 V	100A（TC）	10V	8mohm @ 100A，10V	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V		-	240W（TC）
RFP15N12	1.0600	RFQ	12	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		120 v	15A（TC）	10V	150MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	1700 PF @ 25 V	-	75W（TC）
3N206	13.8700	RFQ	612	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以			MOSFET		到72	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	1	n通道双门
RFD14N05S2515	0.3100	RFQ	1023	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFD14		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			900												-
RFD20N03SM9AR4761	0.4100	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFD20		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	2,500												-
CA3140R1167	1.2400	RFQ	4	哈里斯公司	*	大部分	积极的				CA3140		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		0000.00.0000	1												-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²