晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
IRF610	-	询价	第1431章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF610		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1	N沟道		200V	3.3A（温度）	10V	1.5欧姆@2A，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	140pF@25V	-	36W（温度）
IRF711	0.4600	询价	6	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		350伏	2A（温度）	10V	3.6欧姆@1.1A，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	135pF@25V	-	36W（温度）
BD750B	2.2500	询价	第289章	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	134
RFB18N10CSVM	1.0000	询价	1540	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-5			MOSFET（金属O化物）		TO-220-5	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		100伏	18A（温度）	10V	100mOhm@9A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V		-	79W（温度）
HGTG30N60C3	2.4200	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-274AA		标准		208W	SUPER-247 (TO-274AA)	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1		480V，30A，3欧姆，15V												-	600伏	63A	第252章	1.8V@15V，30A	1.05mJ（开），2.5mJ（关）	250℃	40纳秒/320纳秒
RFD4N06L	0.3000	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		60V	4A（温度）	5V	600mOhm@1A，5V	2.5V@250μA	8nC@10V	±10V		-	30W（温度）
IRFF213	0.8000	询价	6019	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	89	N沟道		150伏	1.8A（温度）	10V	2.4欧姆@1.25A，10V	4V@250μA	10V时为7.5nC	±20V	135pF@25V	-	15W（温度）
IRFR9120	0.9800	询价	1	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR9120		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	75	P沟道		100伏	5.6A（温度）	10V	600毫欧@3.4A，10V	4V@250μA	18nC@10V	±20V	390pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
RJH6676	2.3200	询价	7833	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC				175W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0075	14															300伏	15A						100微安	NPN	1.5V@3A、15A	8@15A，3V	50兆赫
2N6773DR6220	-	询价	1513	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				40W	TO-220	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0075	第337章															650伏	1A						100微安	NPN	1V@200mA，1A	20@300mA，3V	50兆赫
RFH45N05	-	询价	5708	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC			MOSFET（金属O化物）		TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	57	N沟道		50V	45A（温度）	10V	40毫欧@22.5A，10V	4V@1mA		±20V	3000pF@25V	-	150W（温度）
RFD8P05SM9AS2463	0.4600	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RFD8P05		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	1											-
2N6757	-	询价	8728	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		150伏	8A（温度）	10V	600mOhm@5A，10V	4V@1mA		±20V	800pF@25V	-	75W（温度）
2N6739	1.7300	询价	第649章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				100W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0075	174															350伏	8A						100微安	NPN	2V@4A、8A	10 @ 5A，3V	60兆赫
IGT6D20	3.4800	询价	146	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		-												-	400V	32A		-	-		-
HGT4E30N60C3S	5.1400	询价	750	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	59
IRFR2209AS2463	0.5100	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRFR2209		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	1											-
IRFU110	0.3300	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IRFU1		MOSFET（金属O化物）		TO-251AA	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	919	N沟道		100伏	4.3A（温度）	10V	540mOhm@900mA，10V	4V@250μA	10V时为8.3nC	±20V	180pF@25V	-	25W（温度）
HGTP10N40E1	1.0800	询价	5773	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		60W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	267		-												-	400V	10A	17.5安	3.2V@20V，17.5A	-	19nC	-
BD242C	1.0000	询价	8609	哈里斯公司	BD242C	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				40W	TO-220	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	200															100伏	3A						300微安	国民党	1.2V@600mA，3A	25@1A，4V	-
RF1S9640	1.2000年	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1	P沟道		200V	11A（温度）		500mOhm@6A，10V	4V@250μA	90nC@10V	±20V	1100pF@25V	-	125W（温度）
尖头32A	0.1700	询价	8971	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准			EAR99	8541.29.0095	50															60V	3A						300微安	国民党	1.2V@375mA，3A	25@1A，4V	3兆赫兹
IRF644	1.8400	询价	24	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF644		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1	N沟道		250伏	14A（温度）	10V	280毫欧@8.4A，10V	4V@250μA	68nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	125W（温度）
HGTP20N60C3R	4.5300	询价	79	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		164W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		480V，20A，10欧姆，15V											24纳秒	-	600伏	45A	300A	1.8V@15V，20A	500μJ（开），500μJ（关）	122nC	28纳秒/151纳秒
BD751A	1.8000	询价	5493	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	53
RF1S45N06SM	0.8500	询价	700	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		60V	45A	-	-	-		-		-	-
HGT1S20N35F3VLR4505	1.7600	询价	800	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	1
RFD15P06SM	-	询价	8899	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	120	P沟道		60V	15A	-	-	-		-		-	-
D45D6	-	询价	7298	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2.1W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0095	第384章															80V	6A						10微安	PNP-达林顿	2V@5mA，5A	2000 @ 1A，2V	-
RF1S45N02LSM9A	0.4800	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	800

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²