SIC
close
参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 场效应管类型 测试条件 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 噪声系数(dB Typ @ f)
2N6773DR6220 Harris Corporation 2N6773DR6220 -
询价
ECAD 1513 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 40W TO-220 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 第337章 650伏 1A 100微安 NPN 1V@200mA,1A 20@300mA,3V 50兆赫
RFP4N35 Harris Corporation RFP4N35 -
询价
ECAD 7495 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 400 N沟道 350伏 4A(温度) 10V 2欧姆@2A,10V 4V@1mA ±20V 750pF@25V - 75W(温度)
RFH45N05 Harris Corporation RFH45N05 -
询价
ECAD 5708 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-218-3隔离片、TO-218AC MOSFET(金属O化物) TO-218隔离 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 57 N沟道 50V 45A(温度) 10V 40毫欧@22.5A,10V 4V@1mA ±20V 3000pF@25V - 150W(温度)
2N6757 Harris Corporation 2N6757 -
询价
ECAD 8728 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-204AA、TO-3 MOSFET(金属O化物) TO-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 150伏 8A(温度) 10V 600mOhm@5A,10V 4V@1mA ±20V 800pF@25V - 75W(温度)
RFD8P05SM9AS2463 Harris Corporation RFD8P05SM9AS2463 0.4600
询价
ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 RFD8P05 - - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1 -
HUF75344S3 Harris Corporation HUF75344S3 1.0100
询价
ECAD 第678章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) I2PAK (TO-262) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 55V 75A(温度) 10V 8毫欧@75A,10V 4V@250μA 210nC@20V ±20V 3200pF@25V - 155W(温度)
D45C1 Harris Corporation D45C1 -
询价
ECAD 1238 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 30W TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0075 53 30V 4A 10微安 国民党 500mV@100mA,1A 25@1A,1V 40兆赫
RFD14N05LSM9A Harris Corporation RFD14N05LSM9A -
询价
ECAD 3001 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252,(D-Pak) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 50V 14A(温度) 5V 100mOhm@14A,5V 2V@250μA 40nC@10V ±10V 670pF@25V - 48W(温度)
2N6078 Harris Corporation 2N6078 -
询价
ECAD 5580 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 200°C(太焦) 通孔 TO-213AA、TO-66-2 45W TO-66 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 250伏 7A 50微安 NPN 3V@1A、5A 12 @ 1.2A,10V
TIP50 Harris Corporation 提示50 0.5100
询价
ECAD 49 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 2W TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 第632章 400V 1A 1毫安 NPN 1V@200mA,1A 30@300mA,10V 10兆赫兹
IRF730U Harris Corporation IRF730U 0.5700
询价
ECAD 3987 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 IRF73 - 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 第417章 -
HGTP3N60A4 Harris Corporation HGTP3N60A4 1.2900
询价
ECAD 106 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 标准 70W TO-220-3 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.29.0095 800 390V,3A,50欧姆,15V - 600伏 17A 40A 2.7V@15V,3A 37μJ(开),25μJ(关) 21nC 6纳秒/73纳秒
HUF75339P3 Harris Corporation HUF75339P3 0.8300
询价
ECAD 19号 0.00000000 哈里斯公司 超场效应晶体管™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 第364章 N沟道 55V 75A(温度) 10V 12毫欧@75A,10V 4V@250μA 130nC@20V ±20V 2000pF@25V - 200W(温度)
IRFU9220 Harris Corporation IRFU9220 -
询价
ECAD 6149 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA MOSFET(金属O化物) TO-251AA 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 65 P沟道 200V 3.6A(温度) 10V 1.5欧姆@2.2A,10V 4V@250μA 20nC@10V ±20V 340pF@25V - 2.5W(Ta)、42W(Tc)
RLD03N06CLESM9A Harris Corporation RLD03N06CLSM9A 0.5000
询价
ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 2,500人
2N6491 Harris Corporation 2N6491 2.0300
询价
ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 2N6491 1.8W TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.49.7080 1 80V 15A 1毫安 国民党 3.5V@5A、15A 20@5A,4V 5兆赫兹
RFD16N02L Harris Corporation RFD16N02L 0.4600
询价
ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA MOSFET(金属O化物) I-PAK 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 20V 16A(温度) 5V 22毫欧@16A,5V 2V@250μA 60nC@10V ±10V 1300pF@20V - 90W(温度)
IRF542 Harris Corporation IRF542 1.4800
询价
ECAD 7 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 100伏 25A(温度) 10V 100mOhm@17A,10V 4V@250μA 59nC@10V ±20V 1450pF@25V - 150W(温度)
2N6126 Harris Corporation 2N6126 0.9800
询价
ECAD 608 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 40W TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1 80V 4A 100微安 国民党 1.4V@1A、4A 20 @ 1.5A,2V 2.5兆赫
IRFP150 Harris Corporation IRFP150 1.5200
询价
ECAD 14 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 MOSFET(金属O化物) TO-247AC 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 500 N沟道 100伏 41A(温度) 10V 55毫欧@25A,10V 4V@250μA 140nC@10V ±20V 2800pF@25V - 230W(温度)
IRF712 Harris Corporation IRF712 -
询价
ECAD 第1466章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 400V 1.7A(温度) 10V 5欧姆@1.1A,10V 4V@250μA 12nC@10V ±20V 135pF@25V - 36W(温度)
CA3045FX Harris Corporation CA3045FX -
询价
ECAD 7149 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 CA3045 - 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 1
IRF731 Harris Corporation IRF731 1.3700
询价
ECAD 4 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 350伏 5.5A(温度) 10V 1欧姆@3A,10V 4V@250μA 35nC@10V ±20V 600pF@25V - 75W(温度)
2N5871 Harris Corporation 2N5871 64.1200
询价
ECAD 第483章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 - 通孔 TO-204AA、TO-3 115W TO-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 5 60V 7A - 国民党 - 2.5@4A,20V 4兆赫兹
BD751 Harris Corporation BD751 1.3800
询价
ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1
IRFF211 Harris Corporation IRFF211 1.1600
询价
ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-205AF 金属罐 MOSFET(金属O化物) TO-205AF (TO-39) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 150伏 2.2A(温度) 10V 1.5欧姆@1.25A,10V 4V@250μA 10V时为7.5nC ±20V 135pF@25V - 15W(温度)
HUF75639S3 Harris Corporation HUF75639S3 1.3400
询价
ECAD 5 0.00000000 哈里斯公司 超场效应晶体管™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) I2PAK (TO-262) 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 224 N沟道 100伏 56A(温度) 10V 25毫欧@56A,10V 4V@250μA 130nC@20V ±20V 2000pF@25V - 200W(温度)
RFG40N10 Harris Corporation RFG40N10 1.4000
询价
ECAD 第752章 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 RFG40 MOSFET(金属O化物) TO-247-3 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 150 N沟道 100伏 40A(温度) 10V 40毫欧@40A,10V 4V@250μA 300nC@20V ±20V - 160W(温度)
CA3246M Harris Corporation CA3246M -
询价
ECAD 1524 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55℃~125℃ 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) - 14-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 1 - - - 5 NPN - 3GHz -
HUF7554S3S Harris Corporation HUF7554S3S 1.3800
询价
ECAD 第839章 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 湖南福林7554 - - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库