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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 场效应管类型 | 测试条件 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 噪声系数(dB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N6773DR6220 | - | ![]() | 1513 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 40W | TO-220 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0075 | 第337章 | 650伏 | 1A | 100微安 | NPN | 1V@200mA,1A | 20@300mA,3V | 50兆赫 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP4N35 | - | ![]() | 7495 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N沟道 | 350伏 | 4A(温度) | 10V | 2欧姆@2A,10V | 4V@1mA | ±20V | 750pF@25V | - | 75W(温度) | |||||||||||||||||||||
![]() | RFH45N05 | - | ![]() | 5708 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-218-3隔离片、TO-218AC | MOSFET(金属O化物) | TO-218隔离 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 57 | N沟道 | 50V | 45A(温度) | 10V | 40毫欧@22.5A,10V | 4V@1mA | ±20V | 3000pF@25V | - | 150W(温度) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6757 | - | ![]() | 8728 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-204AA、TO-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 150伏 | 8A(温度) | 10V | 600mOhm@5A,10V | 4V@1mA | ±20V | 800pF@25V | - | 75W(温度) | |||||||||||||||||||||
![]() | RFD8P05SM9AS2463 | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | RFD8P05 | - | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75344S3 | 1.0100 | ![]() | 第678章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | MOSFET(金属O化物) | I2PAK (TO-262) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N沟道 | 55V | 75A(温度) | 10V | 8毫欧@75A,10V | 4V@250μA | 210nC@20V | ±20V | 3200pF@25V | - | 155W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | D45C1 | - | ![]() | 1238 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 30W | TO-220 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 53 | 30V | 4A | 10微安 | 国民党 | 500mV@100mA,1A | 25@1A,1V | 40兆赫 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD14N05LSM9A | - | ![]() | 3001 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252,(D-Pak) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 50V | 14A(温度) | 5V | 100mOhm@14A,5V | 2V@250μA | 40nC@10V | ±10V | 670pF@25V | - | 48W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6078 | - | ![]() | 5580 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 200°C(太焦) | 通孔 | TO-213AA、TO-66-2 | 45W | TO-66 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 250伏 | 7A | 50微安 | NPN | 3V@1A、5A | 12 @ 1.2A,10V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 提示50 | 0.5100 | ![]() | 49 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 2W | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 第632章 | 400V | 1A | 1毫安 | NPN | 1V@200mA,1A | 30@300mA,10V | 10兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF730U | 0.5700 | ![]() | 3987 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | IRF73 | - | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 第417章 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTP3N60A4 | 1.2900 | ![]() | 106 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 标准 | 70W | TO-220-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 390V,3A,50欧姆,15V | - | 600伏 | 17A | 40A | 2.7V@15V,3A | 37μJ(开),25μJ(关) | 21nC | 6纳秒/73纳秒 | |||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75339P3 | 0.8300 | ![]() | 19号 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | 超场效应晶体管™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.29.0095 | 第364章 | N沟道 | 55V | 75A(温度) | 10V | 12毫欧@75A,10V | 4V@250μA | 130nC@20V | ±20V | 2000pF@25V | - | 200W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU9220 | - | ![]() | 6149 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | MOSFET(金属O化物) | TO-251AA | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.29.0095 | 65 | P沟道 | 200V | 3.6A(温度) | 10V | 1.5欧姆@2.2A,10V | 4V@250μA | 20nC@10V | ±20V | 340pF@25V | - | 2.5W(Ta)、42W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RLD03N06CLSM9A | 0.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6491 | 2.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 2N6491 | 1.8W | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.49.7080 | 1 | 80V | 15A | 1毫安 | 国民党 | 3.5V@5A、15A | 20@5A,4V | 5兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||
![]() | RFD16N02L | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | MOSFET(金属O化物) | I-PAK | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N沟道 | 20V | 16A(温度) | 5V | 22毫欧@16A,5V | 2V@250μA | 60nC@10V | ±10V | 1300pF@20V | - | 90W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRF542 | 1.4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 100伏 | 25A(温度) | 10V | 100mOhm@17A,10V | 4V@250μA | 59nC@10V | ±20V | 1450pF@25V | - | 150W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N6126 | 0.9800 | ![]() | 608 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 40W | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80V | 4A | 100微安 | 国民党 | 1.4V@1A、4A | 20 @ 1.5A,2V | 2.5兆赫 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP150 | 1.5200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-247AC | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N沟道 | 100伏 | 41A(温度) | 10V | 55毫欧@25A,10V | 4V@250μA | 140nC@10V | ±20V | 2800pF@25V | - | 230W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF712 | - | ![]() | 第1466章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 400V | 1.7A(温度) | 10V | 5欧姆@1.1A,10V | 4V@250μA | 12nC@10V | ±20V | 135pF@25V | - | 36W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | CA3045FX | - | ![]() | 7149 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | CA3045 | - | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF731 | 1.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 350伏 | 5.5A(温度) | 10V | 1欧姆@3A,10V | 4V@250μA | 35nC@10V | ±20V | 600pF@25V | - | 75W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N5871 | 64.1200 | ![]() | 第483章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 通孔 | TO-204AA、TO-3 | 115W | TO-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 | 60V | 7A | - | 国民党 | - | 2.5@4A,20V | 4兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BD751 | 1.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFF211 | 1.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-205AF 金属罐 | MOSFET(金属O化物) | TO-205AF (TO-39) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 150伏 | 2.2A(温度) | 10V | 1.5欧姆@1.25A,10V | 4V@250μA | 10V时为7.5nC | ±20V | 135pF@25V | - | 15W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | HUF75639S3 | 1.3400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | 超场效应晶体管™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | MOSFET(金属O化物) | I2PAK (TO-262) | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.29.0095 | 224 | N沟道 | 100伏 | 56A(温度) | 10V | 25毫欧@56A,10V | 4V@250μA | 130nC@20V | ±20V | 2000pF@25V | - | 200W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RFG40N10 | 1.4000 | ![]() | 第752章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | RFG40 | MOSFET(金属O化物) | TO-247-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | N沟道 | 100伏 | 40A(温度) | 10V | 40毫欧@40A,10V | 4V@250μA | 300nC@20V | ±20V | - | 160W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | CA3246M | - | ![]() | 1524 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | - | 14-SOIC | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | 5 NPN | - | 3GHz | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF7554S3S | 1.3800 | ![]() | 第839章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | 湖南福林7554 | - | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - |
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