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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
HGT1S20N60B3S	3.0200	RFQ	635	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准			TO-263AB	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			-												-	600 v	40 a		-	-		-
HUF75344S3	1.0100	RFQ	678	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	155W（TC）
HGTP6N40EID	0.7100	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
IRF9530	1.3500	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		100 v	12A（TC）		300mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	75W（TC）
2N6792TX	7.8200	RFQ	335	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	2A（TC）	10V	1.8Ohm @ 1.25a，10V	4V @ 1mA		±20V	600 pf @ 25 V	-	20W（TC）
RFIS70N06SM	1.3000	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFIS70		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1												-
RF1S50N06	1.0400	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	50A（TC）	10V	22mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	2020 PF @ 25 V	-	131W（TC）
IRFF9130	-	RFQ	3675	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载						0000.00.0000	1		n通道		100 v	6.5A（TC）	10V	300MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	25W（TC）
2N6802TXV	-	RFQ	2545	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	8
RF1S25N06	-	RFQ	1196	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	25A（TC）	10V	47mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	±20V	975 PF @ 25 V	-	72W（TC）
IRF740S2515	0.7300	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF740		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1												-
SK3065	1.7900	RFQ	295	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以	SK306		MOSFET （金属 o化物）	330MW	到72	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）			20V	50mA		-	-	-		-	-
HC5513IPA02	3.6400	RFQ	192	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HC5513IPA02-600026			1
CA3127ER2323	2.0100	RFQ	6	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1
IRF643	0.8700	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	16A（TC）	10V	220MOHM @ 10A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	125W（TC）
HUF76132S3	1.0000	RFQ	2738	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IRF84093	-	RFQ	9731	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF8409					-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				375
IRF542	1.4800	RFQ	7	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	25A（TC）	10V	100mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	150W（TC）
2N6969	8.2100	RFQ	6	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
HUF753443	1.4400	RFQ	4	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	210		n通道		55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
RLD03N06CLESM9A	0.5000	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
RFD14N05LSM9A	-	RFQ	3001	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		50 V	14A（TC）	5V	100mohm @ 14a，5v	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	670 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRFP362	4.2100	RFQ	173	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	20A（TC）	10V	250MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	250W（TC）
RF1S45N06LESM	0.9700	RFQ	843	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	45a	-	-	-		-		-	-
2N6739	1.7300	RFQ	649	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				100 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	174																350 v	8 a						100µA	NPN	2V @ 4a，8a	10 @ 5A，3V	60MHz
BD750B	2.2500	RFQ	289	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	134
RFP25N06L	2.4100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	25A（TC）	5V	85mohm @ 12.5a，5v	2V @ 1mA		±10V	2000 pf @ 25 V	-	75W（TC）
HGTP7N60C3D	-	RFQ	3488	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			-											35 ns	-	600 v	14 a	56 a	2V @ 15V，7a	-	38 NC	-
IRF731	1.3700	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		350 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RFG75N05E	7.0400	RFQ	18	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		50 V	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	400 NC @ 20 V	±20V		-	240W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²