晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
2N6490	1.6700	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	2N6490			1.8W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.49.7080	1															60V	15A						1毫安	国民党	3.5V@5A、15A	20@5A，4V	5兆赫兹
RF1S45N06LESM	0.9700	询价	第843章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		60V	45A	-	-	-		-		-	-
D40V3121	0.4700	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
IRF9520	0.9600	询价	8	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	314	P沟道		100伏	6A（温度）		600毫欧@3.5A，10V	4V@250μA	22nC@10V	±20V	300pF@25V	-	40W（温度）
IRFF222	1.0000	询价	3948	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		200V	3A（温度）	10V	1.2欧姆@2A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	450pF@25V	-	20W（温度）
BD538	0.4100	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-BD538-600026			1
D44D1	-	询价	5613	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2.1W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	第441章															40V	6A						10微安	NPN-达林顿	1.5V@3mA，3A	2000 @ 1A，2V	-
GE10020	4.7600	询价	107	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AE				250W	TO-204AE	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1															300伏	60A						250μA	NPN-达林顿	2.4V@1.2A，30A	600@15A，5V	-
IRF9543	0.8700	询价	第430章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	P沟道		80V	15A（温度）	10V	300mOhm@10A，10V	4V@250μA	90nC@10V	±20V	1100pF@25V	-	150W（温度）
HGTP7N60C3D	-	询价	3488	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3		标准		60W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		-											35纳秒	-	600伏	14A	56A	2V@15V，7A	-	38nC	-
HUF76113T3ST	0.5500	询价	3	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-HUF76113T3ST-600026			1
RFG50N05	4.8200	询价	145	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		50V	50A（温度）	10V	22毫欧@50A，10V	4V@250nA	160nC@20V	±20V		-	132W（温度）
HGT1S15N120C3S	4.0200	询价	695	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准		164W	TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		-												-	1200伏	35A	120A	3.5V@15V，15A	-	100纳克	-
HUF76121S3	0.4400	询价	3	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
GE10022	4.7600	询价	161	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AE				250W	TO-204AE	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1															240伏	40A						250μA	NPN-达林顿	2.5V@1A、20A	1000 @ 10A，5V	-
RF1S50N06	1.0400	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	N沟道		60V	50A（温度）	10V	22毫欧@50A，10V	4V@250μA	150nC@20V	±20V	2020pF@25V	-	131W（温度）
D64DV7	1900年19月	询价	第247章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AE				180W	TO-204AE	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1															500V	50A						1毫安	NPN-达林顿	3V@5A、75A	100 @ 20A，5V	-
RFP45N06LE	0.7000	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		60V	45A（温度）	5V	28毫欧@45A，5V	2V@250μA	135nC@10V	±10V	2150pF@25V	-	142W（温度）
D44TD3	0.6000	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				50W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0075	503															300伏	2A						100微安	NPN	1V@400mA，2A	8 @ 1A，2V	50兆赫
RFD20N03SM9AR4761	0.4100	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RFD20		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	2,500人											-
D44E2	1.0800	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				1.67W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	278															60V	10A						10微安	NPN-达林顿	2V@20mA，10A	1000 @ 5A、5V	-
IRF353	4.3000	询价	第460章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		350伏	13A（温度）	10V	400mOhm@8A，10V	4V@250μA	120nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	150W（温度）
RFD3055SM9AS2479	1.0000	询价	4241	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RFD3055		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	2,500人											-
IRF9522	0.7600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	P沟道		100伏	5A（温度）	10V	800毫欧@3.5A，10V	4V@250μA	22nC@10V	±20V	300pF@25V	-	40W（温度）
HUF75343G3	-	询价	5131	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	150	N沟道		55V	75A（温度）		9毫欧@75A，10V	4V@250μA	205nC@20V	±20V	3000pF@25V	-	270W（温度）
IGTP10N40	0.7800	询价	第934章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-220-3		标准			TO-220AB	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1		-												-	400V	10A		-	-		-
RFL1N15L	1.8100	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		150伏	1A（温度）	5V	1.9欧姆@1A，5V	2V@250μA		±10V	200pF@25V	-	8.33W（温度）
RLD03N06CLE	-	询价	6772	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
HC5513IPA02	3.6400	询价	192	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HC5513IPA02-600026			1
IRF712	-	询价	第1466章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		400V	1.7A（温度）	10V	5欧姆@1.1A，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	135pF@25V	-	36W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²