晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
SK3065	1.7900	询价	295	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-206AF、TO-72-4金属罐	SK306		MOSFET（金属O化物）	330毫W	TO-72	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1	2 个 N 沟道（双）			20V	50毫安		-	-	-		-	-
RF1S9640SM9A	-	询价	5891	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-RF1S9640SM9A-600026			1
RFG40N10LE	1.2200	询价	第489章	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
2N6792TX	7.8200	询价	第335章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		400V	2A（温度）	10V	1.8欧姆@1.25A，10V	4V@1mA		±20V	600pF@25V	-	20W（温度）
尖头32B	0.1700	询价	3047	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	1,267																80V	3A									300微安	国民党	1.2V@375mA，3A	10 @ 3A，4V	3兆赫兹
IGT6D21	3.4800	询价	209	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-												-	400V	32A		-	-		-
HUF75333S3ST	-	询价	3585	哈里斯公司	超场效应晶体管™	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	-	不适用				EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		55V	66A（温度）	10V	16毫欧@66A，10V	4V@250μA	85nC@20V	±20V	1300pF@25V	-	150W（温度）
HGTG12N60C3D	4.3900	询价	600	哈里斯公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		104W	TO-247	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	69			-											42纳秒	-	600伏	24A	96A	2.2V@15V，15A	380μJ（开），900μJ（关）	48nC	-
RCA9166A	2.4100	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3				250W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1																250伏	16A									1毫安	NPN	1V@300mA，3A	30@3A，4V	20兆赫兹
BFT19	0.4600	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-205AD、TO-39-3金属罐				1W	TO-205AD	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1																200V	1A									100μA（ICBO）	国民党	2.5V@3mA、30mA	25@5mA，10V	-
HGTG20N50C1D	7.6600	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		75W	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-												-	500V	26A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
2N6772	-	询价	9761	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				40W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0075	第536章																550伏	1A									100微安	NPN	1V@200mA，1A	20@300mA，3V	50兆赫
RCA3055	-	询价	3222	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				75W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1																60V	15A									700微安	NPN	1.1V@400mA，4A	20 @ 4A、4V
3N187	1.0000	询价	3433	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-206AF、TO-72-4金属罐				330毫W	TO-72	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1		N沟道		20V							8.5pF@15V												6.5V	5毫安@15伏	500 mV @ 50 µA
RFD3055RLSM9A	0.4400	询价	7327	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RFD3055		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				590												-
HGT1S12N60B3S	1.4100	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准		104W	D2PAK (TO-263)	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1			480V，12A，25欧姆，15V												-	600伏	27A	110A	2.1V@15V，12A	304μJ（开），250μJ（关）	68 纳克	26纳秒/150纳秒
RFG45N06LE	0.8100	询价	4339	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	300		N沟道		60V	45A（温度）	5V	28毫欧@45A，5V	2V@250μA	135nC@10V	±10V	2150pF@25V	-	142W（温度）
IRF843	1.0000	询价	700	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		450伏	7A（温度）	10V	1.1欧姆@4.4A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1225pF@25V	-	125W（温度）
HGT1S7N60B3DS	-	询价	2475	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准		60W	TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1			480V，7A，50欧姆，15V											37纳秒	-	600伏	14A	56A	2.1V@15V，7A	160μJ（开），120μJ（关）	30纳克	26纳秒/130纳秒
RFP7N35	1.0700	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		350伏	7A（温度）	10V	750毫欧@3.5A，10V	4V@1mA		±20V	1600pF@25V	-	75W（温度）
2N6969	8.2100	询价	6	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
IRF121	-	询价	4152	哈里斯公司	-	大部分	过时的		安装结构	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-204AA	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	20		N沟道		60V	8A（塔）		-	-				-
IRFR220119	-	询价	2647	哈里斯公司	*	大部分	的积极				红外FR220		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	第675章												-
BD535	0.3300	询价	6442	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				50W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	13																60V	8A									100微安	NPN	800mV@600mA，6A	25 @ 2A、2V	-
2N6033	-	询价	2997	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AE				140W	TO-204AE	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2																120V	40A									10毫安	NPN	1V@4A、40A	10 @ 40A，2V
IRFD311	0.9300	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		350伏	400mA（温度）	10V	3.6欧姆@200mA，10V	4V@250μA	10V时为7.5nC	±20V	135pF@25V	-	1W（温度）
尖头42C	0.3300	询价	907	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	907																100伏	6A									700微安	国民党	1.5V@600mA，6A	15@3A，4V	3兆赫兹
IRF9530	1.3500	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		P沟道		100伏	12A（温度）		300mOhm@6.5A，10V	4V@250μA	45nC@10V	±20V	500pF@25V	-	75W（温度）
HUF75343S3	1.0800	询价	第557章	哈里斯公司	超场效应晶体管™	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	匈牙利福林75		MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道		55V	75A（温度）	10V	9毫欧@75A，10V	4V@250μA	205nC@20V	±20V	3000pF@25V	-	270W（温度）
RF1S45N02LSM	0.5100	询价	800	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		20V	45A	-	-	-		-		-	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²