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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IGTP10N40	0.7800	RFQ	934	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-220-3		标准			TO-220AB	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1		-												-	400 v	10 a		-	-		-
HGT1S7N60C3DS9A	2.2700	RFQ	25	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HGT1S7N60	标准		60 W	TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		480V，7A，50OHM，15V											37 ns	-	600 v	14 a	56 a	2V @ 15V，7a	165µJ（在）上，600µJ（600µJ）	23 NC	-
RF1S50N06	1.0400	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		60 V	50A（TC）	10V	22mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	2020 PF @ 25 V	-	131W（TC）
2N6792TX	7.8200	RFQ	335	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		400 v	2A（TC）	10V	1.8Ohm @ 1.25a，10V	4V @ 1mA		±20V	600 pf @ 25 V	-	20W（TC）
HGTP6N40EID	0.7100	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		0000.00.0000	1
IRF9530	1.3500	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1	P通道		100 v	12A（TC）		300mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	75W（TC）
HUF753393	0.8300	RFQ	19	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	364	n通道		55 v	75A（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
BD242C	1.0000	RFQ	8609	哈里斯公司	BD242C	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				40 W	TO-220	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	200															100 v	3 a						300µA	PNP	1.2V @ 600mA，3a	25 @ 1A，4V	-
IRFP340	1.3700	RFQ	1	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	500	n通道		400 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFU9220	-	RFQ	6149	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	65	P通道		200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
TIP42C	0.3300	RFQ	907	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	907															100 v	6 a						700µA	PNP	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
HUF75333S3ST	-	RFQ	3585	哈里斯公司	Ultrafet™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	800	n通道		55 v	66A（TC）	10V	16mohm @ 66a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF624	-	RFQ	5103	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	34	n通道		250 v	4.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
HGTP3N60A4	1.2900	RFQ	106	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		70 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	800		390V，3A，50OHM，15V												-	600 v	17 a	40 a	2.7V @ 15V，3A	（37µJ）（在），25µJ（25µJ）中	21 NC	6NS/73NS
HUF753323	0.8900	RFQ	9	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	364	n通道		55 v	60a（TC）	10V	19mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	145W（TC）
TIP32A	0.1700	RFQ	8971	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50															60 V	3 a						300µA	PNP	1.2V @ 375mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
IRFF9130	-	RFQ	3675	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载					0000.00.0000	1	n通道		100 v	6.5A（TC）	10V	300MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	25W（TC）
RF1S25N06	-	RFQ	1196	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载				Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	25A（TC）	10V	47mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	±20V	975 PF @ 25 V	-	72W（TC）
2N6802TXV	-	RFQ	2545	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-					0000.00.0000	8
RFG45N06LE	0.8100	RFQ	4339	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	300	n通道		60 V	45A（TC）	5V	28mohm @ 45a，5v	2V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±10V	2150 pf @ 25 V	-	142W（TC）
IRFP246	1.4800	RFQ	5	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		275 v	15A（TC）	10V	280mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF645	-	RFQ	3101	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	265	n通道		250 v	13A（TC）	10V	340MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
HGTH20N50C1	6.2900	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准		100 W	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		-												-	500 v	20 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
RFB18N10CSVM	1.0000	RFQ	1540年	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		100 v	18A（TC）	10V	100mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V		-	79W（TC）
D64VS4	6.0100	RFQ	100	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				195 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1															350 v	15 a						100µA	NPN	1V @ 2.5a，15a	10 @ 10a，2v	50MHz
RFP10P12	1.0600	RFQ	300	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	300	n通道		120 v	10A（TC）	10V	500mohm @ 5A，10V	4V @ 1mA		±20V	1700 PF @ 25 V	-	75W（TC）
GE10022	4.7600	RFQ	161	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AE				250 w	TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1															240 v	40 a						250µA	npn-达灵顿	2.5V @ 1A，20A	1000 @ 10a，5v	-
RFG50N05	4.8200	RFQ	145	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		50 V	50A（TC）	10V	22mohm @ 50a，10v	4V @ 250NA	160 NC @ 20 V	±20V		-	132W（TC）
IRFF423	-	RFQ	3199	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		450 v	1.4A（TC）	10V	4ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	20W（TC）
IRFP151	-	RFQ	2591	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	102	n通道		60 V	40a（TC）	10V	55mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	180W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²