晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
HGTD3N60B3	0.5100	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		标准		33.3W	I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		480V，3.5A，82欧姆，15V											16纳秒	-	600伏	7A	20A	2.1V@15V，3.5A	66μJ（开），88μJ（关）	21nC	18纳秒/105纳秒
2N6792	1.5900	询价	10	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	189	N沟道		400V	2A（温度）	10V	1.8欧姆@1.25A，10V	4V@1mA		±20V	600pF@25V	-	20W（温度）
2N6760TXV	7.7600	询价	第437章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	N沟道		400V	5.5A（温度）	10V	1欧姆@3.5A，10V	4V@1mA		±20V	800pF@25V	-	75W（温度）
RF1S17N06L	0.6700	询价	4	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1											-
BD240A	-	询价	3864	哈里斯公司	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				30W	TO-220	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	第253章															60V	2A						300微安	国民党	700mV@200mA，1A	40@200mA，4V	-
IRFF232	1.0100	询价	第341章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		200V	4.5A（温度）	-	-	-		-		-	25W
HUF76139S3	1.2200	询价	800	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		30V	75A（温度）	4.5V、10V	7.5毫欧@75A，10V	3V@250μA	78nC@10V	±16V	2700pF@25V	-	200W（温度）
IRF830	1.4600	询价	第329章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	N沟道		500V	4.5A（温度）		1.5欧姆@2.5A，10V	4V@250μA	32nC@10V	±20V	600pF@25V	-	75W（温度）
RFD8P06LE	0.3000	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-RFD8P06LE-600026			1
IRF626	0.5300	询价	997	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		275伏	3.8A（温度）	10V	1.1欧姆@1.4A，10V	4V@250μA	22nC@10V	±20V	340pF@25V	-	40W（温度）
RF1S30P06	-	询价	1602	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1											-
2N6771	0.3300	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				40W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0075	1															450伏	1A						100微安	NPN	1V@200mA，1A	20@300mA，3V	50兆赫
2N3393	0.3200	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	2N339			625毫W	TO-92-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1															25V	500毫安						100nA（ICBO）	NPN	-	90@2mA，4.5V	-
IRFU321	-	询价	8903	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		350伏	3.1A（塔）	10V	1.8欧姆@1.7A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	350pF@25V	-	50W（温度）
RFM15N05L	-	询价	3089	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		50V	15A（温度）	5V	140mOhm@7.5A，5V			±10V	900pF@25V	-	75W（温度）
IRFR9110	0.6500	询价	第554章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-PAK (TO-252AA)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1	P沟道		100伏	3.1A（温度）		1.2欧姆@1.9A，10V	4V@250μA	10V时为8.7nC	±20V	200pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
RFP23N06LE	0.4100	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义				1
RFP4N40	0.5500	询价	第546章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	第546章	N沟道		400V	4A（温度）	10V	2欧姆@2A，10V	4V@1mA		±20V	750pF@25V	-	60W（温度）
IRF9620	-	询价	6432	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF9620		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	P沟道		200V	3.5A（温度）	10V	1.5欧姆@1.5A，10V	4V@250μA	22nC@10V	±20V	350pF@25V	-	40W（温度）
IRFD313	0.8500	询价	900	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		350伏	300mA（温度）	10V	5欧姆@200mA，10V	4V@250μA	10V时为7.5nC	±20V	135pF@25V	-	1W（温度）
提示48	-	询价	4707	哈里斯公司	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1															300伏	1A						1毫安	NPN	1V@200mA，1A	30@300mA，10V	10兆赫兹
IRFP140R	2.5400	询价	6300	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	31	N沟道		100伏	31A（温度）	10V	77毫欧@19A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1275pF@25V	-	180W（温度）
IRFD9113	0.6200	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD9113		MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸、HVMDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	P沟道		60V	600mA（塔）		1.6欧姆@300mA，10V	-	15nC@15V		250pF@25V	-	-
IRFPC42	1.4100	询价	5	哈里斯公司	HEXFET®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247AC (TO-3P)	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1	N沟道		600伏	5.9A（温度）	10V	1.6欧姆@3.7A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	150W（温度）
2N1700	47.2100	询价	148	哈里斯公司	*	大部分	过时的									下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	7
IRFD122	0.4400	询价	2599	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	196	N沟道		100伏	1.1A（温度）	10V	400毫欧@600毫安，10伏	4V@250μA	15nC@10V	±20V	450pF@25V	-	1W（温度）
RFD16N05SM9AS2480	0.5300	询价	第975章	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RFD16		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1											-
IRFU420	-	询价	8809	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		TO-251AA	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	第395章	N沟道		500V	2.4A（温度）		3欧姆@1.4A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	360pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
2N6032	115.1800	询价	41	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AE				140W	TO-204AE	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3															90V	50A						10毫安	NPN	1.3V@5A、50A	10 @ 50A，2.6V
HGTG12N60C3DR	1.0000	询价	2155	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		104W	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		480V，12A，25欧姆，15V											37纳秒	-	600伏	24A	48A	2.2V@15V，12A	400μJ（开），340μJ（关）	71nC	37纳秒/120纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²