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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
HGTG201N100E2	-	RFQ	6534	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定			1
HGTG24N60D1	8.9300	RFQ	25	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		125 w	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		-												-	600 v	40 a	96 a	2.3V @ 15V，24a	-	155 NC	-
2N6487	0.9600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6487			1.8 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	314															60 V	15 a						1ma	NPN	3.5V @ 5a，15a	20 @ 5A，4V	5MHz
HGT1S12N60B3	1.2600	RFQ	917	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		104 w	i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		480V，12a，25ohm，15V												-	600 v	27 a	110 a	2.1V @ 15V，12A	304µJ（在）上，250µJ（OFF）	68 NC	26NS/150NS
HUF76129P3	0.7600	RFQ	24	哈里斯公司	Ultrafet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		30 V	56A（TC）	4.5V，10V	16ohm @ 56a，10v	3V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	105W（TC）
IRFU321	-	RFQ	8903	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		350 v	3.1a（ta）	10V	1.8OHM @ 1.7A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFR221	0.4400	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	4.6A（TC）	10V	800MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFF232	1.0100	RFQ	341	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		200 v	4.5A（TC）	-	-	-		-		-	25W
IRFD323	1.4000	RFQ	982	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）			MOSFET （金属 o化物）		4浸，六角	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		350 v	400mA（TC）	10V	2.5Ohm @ 250mA，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	455 pf @ 25 V	-	1W（TC）
IRF9621	-	RFQ	4095	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	P通道		150 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFF9132	0.9900	RFQ	1666年	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	19	P通道		100 v	5.5A（TC）	10V	400MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	25W（TC）
HGTP12N60C3R	1.1600	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		104 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		480V，12a，25ohm，15V											37 ns	-	600 v	24 a	48 a	2.2V @ 15V，12a	（400µJ）（在340µJ上）	71 NC	37NS/120NS
IRF831	1.3000	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		450 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRF9632	1.5400	RFQ	455	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	P通道		200 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	75W（TC）
HGTH12N40C1D	-	RFQ	1099	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准		75 w	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		-											100 ns	-	400 v	12 a	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
IRF647	0.9600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		275 v	13A（TC）	10V	340MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF623	0.3300	RFQ	1757年	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	737	n通道		150 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRF151	1.5600	RFQ	342	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	40a（TC）	10V	55mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	150W（TC）
BUX14	-	RFQ	4595	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				150 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	15															400 v	10 a						1.5mA	NPN	1.5V @ 1.2a，6a	15 @ 3a，4V	8MHz
HGT1S3N60C3D	0.9000	RFQ	365	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		33 W	i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		-												-	600 v	6 a	24 a	2V @ 15V，3A	-	13.8 NC	-
HGT1S7N60B3D	1.1700	RFQ	400	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		60 W	i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		480V，7A，50OHM，15V											21 ns	-	600 v	14 a	56 a	2.1V @ 15V，7a	160µJ（在）上，120µJ（120µJ）	30 NC	26NS/130NS
HGT1S20N60C3R	1.8000	RFQ	580	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		164 w	i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		-												-	600 v	40 a	80 a	2.2V @ 15V，20A	-	116 NC	-
HGTG12N60C3DR	1.0000	RFQ	2155	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		104 w	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		480V，12a，25ohm，15V											37 ns	-	600 v	24 a	48 a	2.2V @ 15V，12a	（400µJ）（在340µJ上）	71 NC	37NS/120NS
IRF613	0.3300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	2.6A（TC）	10V	2.4OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	43W（TC）
HGTP10N40C1	1.0800	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		-												-	400 v	10 a	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
IRF541	1.5800	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		80 V	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF442	1.4600	RFQ	8591	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	4	n通道		500 v	7A（TC）	10V	1.1OHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	125W（TC）
Buz42	0.6300	RFQ	2698	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	380	n通道		500 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 2.5a，10v	4V @ 1mA		±20V	2000 pf @ 25 V	-	75W（TC）
HGTD6N40E1	-	RFQ	7291	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		60 W	TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		-												-	400 v	7.5 a		2.5V @ 10V，3A	-	6.9 NC	-
IRF223	1.0000	RFQ	6012	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	40W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²