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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RF1S540SM	2.0600	RFQ	7689	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	3	n通道		100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	150W（TC）
RF1S22N10SM	0.7900	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		100 v	22a	-	-	-		-		-	-
RCA1A09	0.5600	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
IRF642	0.8800	RFQ	6	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		200 v	16A（TC）	10V	220MOHM @ 10A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	125W（TC）
RFH30N12	3.4600	RFQ	268	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			MOSFET （金属 o化物）		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		120 v	30A（TC）	10V	75mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA		±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF822	0.4600	RFQ	20	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		500 v	2.2A（TC）	10V	4ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRF610S2497	0.1800	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF610		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1											-
BD241A	-	RFQ	5973	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				40 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	177														60 V	3 a						300µA	NPN	1.2V @ 600mA，3a	25 @ 1A，4V	-
D44TD5	0.7700	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				50 W	TO-220	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1														400 v	2 a						100µA	NPN	1V @ 400mA，2a	8 @ 1a，2v	50MHz
RF1S30P06SM	-	RFQ	8263	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	P通道		60 V	30a	-	-	-		-		-	-
RF1S45N02L	0.5200	RFQ	999	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		20 v	45A（TC）	5V	22mohm @ 45a，5v	2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±10V	1300 pf @ 15 V	-	90W（TC）
IRFP153	1.7900	RFQ	6464	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		60 V	34A（TC）	10V	80Mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IRF741	1.0100	RFQ	520	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		350 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	125W（TC）
CA3045X	-	RFQ	9970	哈里斯公司	*	大部分	积极的				CA3045					-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	29
IRFP450R	1.8400	RFQ	5018	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	3	n通道		500 v	14A（TC）	10V	400MOHM @ 7.9A，10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
HGTP15N50E1	1.6600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		75 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		-											-	500 v	15 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
RCA9116E	1.4600	RFQ	581	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				200 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1														100 v	200 a						1ma	PNP	1.5V @ 500mA，750mA	10 @ 7.5A，2V	2MHz
IRFBC42R	-	RFQ	3949	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		600 v	5.4A（TC）	10V	1.6OHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
D72F5T2	0.4100	RFQ	159	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				1 w	TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1														50 V	5 a						1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 150mA，3a	70 @ 1A，1V	-
2N612340	-	RFQ	2376	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-					0000.00.0000	1
RF1S9540	2.1300	RFQ	7	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1	P通道		100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRFR321	0.3600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		350 v	3.1a（ta）	10V	1.8OHM @ 1.7A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TIP29B	0.1700	RFQ	7240	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	1,000														80 V	1 a						300µA	NPN	700mv @ 125mA，1a	15 @ 1A，4V	3MHz
Igth20n50	2.7500	RFQ	269	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1		-											-	500 v	20 a		-	-		-
2N6129	0.9500	RFQ	593	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
RFL1P08	0.5200	RFQ	2428	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	4	P通道		80 V	1A（TC）	10V	3.65OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA		±20V	150 pf @ 25 V	-	8.33W（TC）
RFIS70N06SM	1.3000	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFIS70		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1											-
IGT6E10	-	RFQ	3154	哈里斯公司	-	大部分	积极的									下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	78
HGT1S20N60B3S	3.0200	RFQ	635	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准			TO-263AB	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		-											-	600 v	40 a		-	-		-
HUF75344S3	1.0100	RFQ	678	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	155W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²