晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
HGTP15N50E1	1.6600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		75W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		-											-	500V	15A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
RFP8N18L	0.8700	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		180伏	8A（温度）	5V	500mOhm@4A、5V	2V@1mA		±10V	900pF@25V	-	60W（温度）
IRFP250S2497	-	询价	7461	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
RCA1A05	1.0000	询价	2996	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
RF1S530SM9AS2457	0.8800	询价	800	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	800											-
IRFD123	0.8700	询价	40	哈里斯公司	-	管子	过时的		通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	第346章	N沟道		100伏	1.3A（塔）		270毫欧@780毫安，10伏	4V@250μA	16nC@10V		360pF@25V	-
HGT1S12N60C3S9AR4501	1.5800	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	190
RCA1C13	-	询价	8341	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义				1
IRFD112	0.3700	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		100伏	800mA（温度）	10V	800毫欧@800毫安，10伏	4V@250μA	7nC@10V	±20V	135pF@25V	-	1W（温度）
尖头125GE	1.0000	询价	4971	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
2N3416	0.3100	询价	5588	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	2N341			625毫W	TO-92-3	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	2156-2N3416	EAR99	8541.21.0095	1														50V	500毫安						100nA（ICBO）	NPN	300毫伏@3毫安、50毫安	75@2mA，4.5V	-
2N612340	-	询价	2376	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
HGTH20N40C1	-	询价	6547	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC		标准		100W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	53		-											-	400V	20A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
IRF741	1.0100	询价	520	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		350伏	10A（温度）	10V	550mOhm@5.2A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1250pF@25V	-	125W（温度）
IRFF9232	1.5000	询价	第582章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		200V	3.5A（温度）	-	-	-		-		-	25W
RFD3N08LSM9A	0.3300	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道		80V	3A（温度）	5V	800mOhm@3A、5V	2.5V@250μA	10V时为8.5nC	±10V	125pF@25V	-	30W（温度）
D44D4	-	询价	7267	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2.1W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	91														60V	6A						10微安	NPN-达林顿	1.5V@5mA，5A	2000 @ 1A，2V	-
MJE16002	1.0400	询价	9	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				80W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1														6V	5A						250μA	NPN	1V@200mA，1.5A	5@5A、5V	-
RF1S30P06SM	-	询价	8263	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	P沟道		60V	30A	-	-	-		-		-	-
RF1S30N06LE	0.7300	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1											-
HGTH20N50E1	3.1400	询价	第287章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC		标准		100W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		-											-	500V	20A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
尖头42A	0.3900	询价	第847章	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	第847章														60V	6A						700微安	国民党	1.5V@600mA，6A	15@3A，4V	-
CA3250F	0.9100	询价	第656章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55℃～125℃	通孔	18-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	CA3250			750毫W	18-CERDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1														16V	100毫安						10微安	8 NPN	800mV@5mA、50mA	40@50mA，3V	-
IRFF9131	-	询价	5615	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	32	P沟道		80V	6.5A（温度）	10V	300mOhm@3A，10V	4V@250μA	45nC@10V	±20V	500pF@25V	-	25W（温度）
HGT1S3N60C3DS	0.8500	询价	第585章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准			TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		-											-	600伏	6A		-	-		-
2N6767	4.1400	询价	3274	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	9	N沟道		350伏	12A（温度）	10V	400毫欧@7.75A，10V	4V@1mA		±20V	3000pF@25V	-	150W（温度）
HGTP15N40C1	2.9100	询价	第368章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		75W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		-											-	400V	15A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
2N6895	0.5500	询价	8598	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	21	P沟道		100伏	1.16A（温度）	10V	3.65欧姆@740mA，10V	4V@250μA		±20V	150pF@25V	-	8.33W（温度）
RF1S40N10LE	1.4200	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1											-
IRFU322	0.3600	询价	898	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	898	N沟道		400V	2.6A（塔）	10V	2.5欧姆@1.7A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	350pF@25V	-	50W（温度）

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²