晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
HFA3127B96-HC	2.9600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				150毫W	16-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	0000.00.0000	2,500人			-												12V	65毫安						5 NPN		40@10mA，2V	8GHz	3.5dB@1GHz
RFL4N15	1.1000	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			150伏	4A（温度）	10V	400mOhm@2A，10V	4V@1mA		±20V	850pF@25V	-	8.33W（温度）
RF1S22N10SM	0.7900	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			100伏	22A	-	-	-		-		-	-
2N3955A	6.5900	询价	162	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-71-6 金属罐					TO-71	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）										-									50V
IRF630	0.8500	询价	22	哈里斯公司	-	管子	过时的		通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	第382章	N沟道			200V	9A（温度）		400毫欧@5.4A，10V	4V@250μA	43nC@10V		800pF@25V	-
HUF76629D3S	0.7000	询价	第458章	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准			EAR99	8541.29.0095	1,800	N沟道			100伏	20A（温度）	4.5V、10V	52毫欧@20A，10V	3V@250μA	46nC@10V	±16V	1285pF@25V	-	110W（温度）
2N5490	1.0200	询价	第565章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				50W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0075	1															40V	7A					2毫安	NPN	1V@200mA，2A	20@2A，4V	800kHz
RFD8P06E	0.2900	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1
BD240C	0.4900	询价	4332	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载				EAR99	8541.29.0095	166
TIP102-HC	-	询价	2564	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1															100伏	8A					50微安	NPN-达林顿	2.5V@80mA，8A	1000 @ 3A、4V	-
尖头29B	0.1700	询价	7240	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	1,000															80V	1A					300微安	NPN	700mV@125mA，1A	15@1A，4V	3兆赫兹
CA3096CM	0.8100	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	CA3096			200毫W	16-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.21.0095	1															24V	50毫安、10毫安					1微安	NPN、PNP	700mV@1mA、10mA/400mV、100μA、1mA	100 @ 1mA，5V / 30 @ 100μA，5V	335兆赫、6.8兆赫
2N4990	1.0000	询价	7100	哈里斯公司	-	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.30.0080	1
HUF75309P3	-	询价	5371	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	400	N沟道			55V	19A（TC）		70毫欧@19A，10V	4V@250μA	24nC@20V	±20V	350pF@25V	-	55W（温度）
BUZ32	0.5600	询价	1690	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	第480章	N沟道			200V	9.5A（温度）		400mOhm@4.5A，10V	4V@1mA		±20V	2000pF@25V	-	75W（温度）
2N6387	1.2200	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	2N6387			2W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	第247章															60V	10A					1毫安	NPN-达林顿	3V@100mA，10A	1000 @ 5A，3V	-
BD241A	-	询价	5973	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				40W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	177															60V	3A					300微安	NPN	1.2V@600mA，3A	25@1A，4V	-
2N6043	2.2500	询价	7887	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	2N6043			75W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0095	96															60V	8A					20微安	NPN-达林顿	2V@16mA，4A	1000 @ 4A、4V	-
RFD16N03LSM	1.1300	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			30V	16A	-	-	-		-		-	-
2N6752	-	询价	6629	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-204AA				150W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0075	26															450伏	10A					100微安	NPN	3V@3A、10A	8 @ 5A，3V	60兆赫
IGTH20N50	2.7500	询价	269	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	1		-												-	500V	20A	-	-	-
IRF712S2497	0.4600	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF712		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	1												-
RFM3N45	0.9700	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			450伏	3A（温度）	10V	3欧姆@1.5A，10V	4V@1mA		±20V	750pF@25V	-	75W（温度）
D43C2	-	询价	4650	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-202 长翼片				2.1W	TO-202AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0075	1															30V	3A					10微安	国民党	500mV@50mA，1A	40@200mA，1V	40兆赫
2N6648	98.5800	询价	82	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3				70W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	4															40V	10A					1毫安	PNP-达林顿	3V@100mA，10A	1000 @ 5A，3V	-
2N6134	1.1200	询价	第374章	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1
D40V1	0.4300	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-202 长翼片				1.7W	TO-202AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0075	1															250伏	100毫安					10微安	NPN	1V@2mA、20mA	60@20mA，10V
RF1S15N06SM	0.5100	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			60V	15A	-	-	-		-		-	-
IRF523	0.3300	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			80V	8A（温度）	10V	360毫欧@5.6A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	350pF@25V	-	60W（温度）
2N6478	1.1000	询价	400	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				50W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1															150伏	2.5安					2毫安	NPN	2V@500mA，2.5A	25@1A，4V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²