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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
2N4123	0.6400	RFQ	782	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				350兆	到92	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1															30 V	200 ma				50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	50 @ 2mA，1V	250MHz
HFA3102B	-	RFQ	5357	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）				250MW	14-Soic	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HFA3102B-600026			1			17.5db												8V	30mA					6 NPN		40 @ 10mA，3v	10GHz	1.8db〜2.1db @ 500MHz〜1GHz
IRFD9123	0.7200	RFQ	18	哈里斯公司	-	管子	过时的	-	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）			MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道			100 v	1A（1A）		600mohm @ 600mA，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V		390 pf @ 25 V	-	-
IGT6E21	3.4800	RFQ	289	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-247-3		标准			TO-247	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		-												-	500 v	32 a	-	-	-
BUW41B	0.8000	RFQ	7	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				100 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1															400 v	8 a				100µA	NPN	2V @ 4a，8a	10 @ 5A，3V	60MHz
2N6767	4.1400	RFQ	3274	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	9	n通道			350 v	12A（TC）	10V	400MOHM @ 7.75a，10V	4V @ 1mA		±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W（TC）
RFP6N50	1.8800	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道			500 v	6A（TC）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	4V @ 1mA		±20V	1500 pf @ 25 V	-	75W（TC）
D40E5	-	RFQ	4125	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-202长标签				1.33 w	TO-202AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	337															60 V	2 a				-	NPN	-	-
IRF540RP2	-	RFQ	6471	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF540		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1												-
D44D4	-	RFQ	7267	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2.1 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	91															60 V	6 a				10µA	npn-达灵顿	1.5V @ 5mA，5a	2000 @ 1A，2V	-
IRFD310	1.2400	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD310		MOSFET （金属 o化物）		4浸，hexdip，hvmdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	n通道			400 v	350mA（ta）	10V	3.6ohm @ 210mA，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	1W（ta）
CA3250F	0.9100	RFQ	656	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C	通过洞	18-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	CA3250			750MW	18-Cerdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1															16V	100mA				10µA	8 NPN	800mv @ 5mA，50mA	40 @ 50mA，3v	-
RFD16N03LSM	1.1300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道			30 V	16a	-	-	-		-		-	-
D42C4N	0.3400	RFQ	956	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				956
D44Q3121	0.6900	RFQ	586	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
RFP3N45	1.0000	RFQ	5311	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道			450 v	3A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	750 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRFF111	3.0000	RFQ	176	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道			80 V	3.5A（TC）	10V	600MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	15W（TC）
IRF620	0.2700	RFQ	4481	哈里斯公司	PowerMesh™II	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF6		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1,018	n通道			200 v	6A（TC）	10V	800MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	70W（TC）
RFP40N10LE	1.0000	RFQ	9740	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-RFP40N10LE-600026			1
RFP8N18L	0.8700	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道			180 v	8A（TC）	5V	500MOHM @ 4A，5V	2V @ 1mA		±10V	900 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRF1S30P05SM	1.0000	RFQ	1883年	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
RFL4N15	1.1000	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道			150 v	4A（TC）	10V	400MOHM @ 2A，10V	4V @ 1mA		±20V	850 pf @ 25 V	-	8.33W（TC）
RF1S15N06	0.5700	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RF1		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1												-
HFA1212IP	2.4600	RFQ	5	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HFA1212IP-600026			1
buz41a	1.3600	RFQ	7	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道			500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	2000 pf @ 25 V	-	75W（TC）
D45C4	-	RFQ	7680	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				30 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	115															45 v	4 a				10µA	PNP	500mv @ 100mA，1a	25 @ 1A，1V	40MHz
RFD8P06E	0.2900	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
RFD3055	-	RFQ	9283	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	75	n通道			60 V	12A（TC）		150MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	23 NC @ 20 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	53W（TC）
RFD7N10LE	0.5000	RFQ	5	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道			100 v	7A（TC）	5V	300MOHM @ 7A，5V	2V @ 250µA	150 NC @ 10 V	+10V，-8V	360 pf @ 25 V	-	47W（TC）
RFD14N05L	1.0000	RFQ	6552	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道			50 V	14A（TC）	5V	100mohm @ 14a，5v	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	670 pf @ 25 V	-	48W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²