晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
IRF532	1.2100	询价	4371	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	195	N沟道			100伏	12A（温度）	10V	230毫欧@8.3A，10V	4V@250μA	26nC@10V	±20V	600pF@25V	-	79W（温度）
IRFD9123	0.7200	询价	18	哈里斯公司	-	管子	过时的	-	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	2,500人	P沟道			100伏	1A（塔）		600毫欧@600毫安，10伏	4V@250μA	18nC@10V		390pF@25V	-	-
RF1S25N06SM	0.6000	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			60V	25A	-	-	-		-		-	-
RF1S15N08L	0.6500	询价	800	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1	N沟道			80V	45A	-	-	-		-		-	-
BUX44	4.2700	询价	145	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3				120W	TO-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1															400V	8A						-	NPN-达林顿	-	-	8兆赫
HGTD10N40F1S	0.8400	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		标准		75W	TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		-												-	400V	12A		2.5V@10V，5A	-	13.4nC	-
IRFP152	-	询价	3101	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	27号	N沟道			100伏	34A（温度）	10V	80毫欧@22A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	180W（温度）
IRF231	0.8700	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			150伏	9A（温度）	10V	400mOhm@5A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	600pF@25V	-	75W（温度）
RF1S9540	2.1300	询价	7	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1	P沟道			100伏	19A（TC）	10V	200毫欧@10A、10V	4V@250μA	90nC@10V	±20V	1100pF@25V	-	150W（温度）
HGTD8P50G1S	0.7900	询价	6	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		标准		66W	TO-252AA	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		-												-	500V	12A	18A	2.9V@15V，3A	-	30纳克	-
IGT6D11	2.0700	询价	8751	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	13		-												-	400V			-	-		-
IRF612	1.0000	询价	1935年	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			200V	2.6A（温度）	10V	2.4欧姆@1.6A，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	135pF@25V	-	43W（温度）
HGTP15N40E1	1.5400	询价	第488章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		75W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		-												-	400V	15A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
IRF512S2532	0.2400	询价	7159	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF512		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1,200												-
IRFP150R119	1.0000	询价	5147	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
IRF1S30P05SM	1.0000	询价	1883年	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				1
RFM12P10	-	询价	1009	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	P沟道			100伏	12A（温度）	10V	300mOhm@6A，10V	4V@1mA		±20V	1500pF@25V	-	100W（温度）
RF1S25N06SMR4643	0.6500	询价	3	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	800												-
RFH75N05E	-	询价	5774	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC			MOSFET（金属O化物）		TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	20	N沟道			50V	75A（温度）	10V	8毫欧@75A，10V	4V@250μA	400nC@20V	±20V		-	240W（温度）
SP600	5.5100	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极				SP60		-			-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1												-
IRF331	2.3700	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			350伏	5.5A（温度）	10V	1欧姆@3A，10V	4V@250μA	35nC@10V	±20V	700pF@25V	-	75W（温度）
BD750C	2.2700	询价	第689章	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
RF1S42N03L	0.8700	询价	400	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	400	N沟道			30V	42A（温度）	5V	25毫欧@42A，5V	2V@250μA	60nC@10V	±10V	1650pF@25V	-	90W（温度）
RF1K49211	0.3900	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	第761章	N沟道			12V	7A	-	-	-		-		-	-
HGTH12N50C1	1.9100	询价	8314	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC		标准		75W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		-												-	500V	12A	17.5安	3.2V@20V，17.5A	-	19nC	-
BUZ76A	0.6100	询价	10	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道			400V	2.6A（温度）	10V	2.5欧姆@1.5A，10V	4V@1mA		±20V	500pF@25V	-	40W（温度）
HFA3102B	-	询价	5357	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-40℃～85℃	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				250毫W	14-SOIC	-	不符合RoHS标准		供应商未定义	2156-HFA3102B-600026			1			17.5分贝												8V	30毫安							6 NPN		40@10mA，3V	10GHz	1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
RFP40N10S5001	1.0000	询价	3724	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RFP40		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1												-
RFP15N05L119	-	询价	4124	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
D40E5	-	询价	4125	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-202 长翼片				1.33W	TO-202AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0075	第337章															60V	2A						-	NPN	-	-

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日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²