晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	电压 - 输出	场效应管类型	测试条件	电压	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
IRF120	1.8400	询价	第357章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			100伏	8A（温度）	10V	300mOhm@4A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	600pF@25V	-	40W（温度）
IRF642	0.8800	询价	6	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			200V	16A（温度）	10V	220毫欧@10A，10V	4V@250μA	64nC@10V	±20V	1275pF@25V	-	125W（温度）
HGT1S3N60B3S	0.5600	询价	800	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准		33.3W	TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH 不出行	EAR99	0000.00.0000	1			480V，3.5A，82欧姆，15V												16纳秒	-	600伏	7A	20A	2.1V@15V，3.5A	66μJ（开），88μJ（关）	21nC	18纳秒/105纳秒
HGT1S12N60C3	1.4200	询价	899	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		标准		104W	I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			-													-	600伏	24A	96A	2V@15V，12A	-	62纳克	-
IRF520	0.3300	询价	7025	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1		N沟道			100伏	9.2A（温度）		270毫欧@5.6A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	350pF@25V	-	60W（温度）
HGTP15N50C1	3.3300	询价	8	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		75W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			-													-	500V	15A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
HGTG12N60D1D	6.8500	询价	606	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		75W	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			-												60纳秒	-	600伏	21A	48A	2.5V@15V，12A	-	70℃	-
HGTA32N60E2	10.6000	询价	215	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-5		标准		208W	TO-218-5	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			-													-	600伏	50A	200A	2.9V@15V，32A	-	第265章	-
IRFD310	1.2400	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD310		MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸、HVMDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1		N沟道			400V	350mA（塔）	10V	3.6欧姆@210mA，10V	4V@250μA	17nC@10V	±20V	170pF@25V	-	1W（塔）
HGTD7N60B3	0.6800	询价	900	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		标准		60W	I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			480V，7A，50欧姆，15V													-	600伏	14A	56A	2.1V@15V，7A	160μJ（开），120μJ（关）	30纳克	26纳秒/130纳秒
RFP2N20	0.6000	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			200V	2A（温度）	10V	3.5欧姆@2A，10V	4V@250μA		±20V	200pF@25V	-	25W（温度）
2N4989	1.4700	询价	922	哈里斯公司	-	大部分	的积极			TO-98-3						下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.30.0080	1	-			30V										300毫W
RFP15P05	1.3600	询价	90	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	50		P沟道			50V	15A（温度）	10V	150mOhm@15A，10V	4V@250μA	150nC@20V	±20V	1150pF@25V	-	80W（温度）
IRFD9120	0.8500	询价	41	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道			100伏	1A（塔）	10V	600毫欧@600毫安，10伏	4V@250μA	18nC@10V	±20V	390pF@25V	-	1.3W（塔）
HGTP10N40F1D	0.9600	询价	806	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		75W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			-													-	400V	12A	12A	2.5V@10V，5A	-	13.4nC	-
IRF453	1.0000	询价	3120	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			450伏	7.2A（温度）	10V	500mOhm@7.2A，10V	4V@250μA	130nC@10V	±20V	1800pF@25V	-	125W（温度）
RF1S4N100SM9A	3.1300	询价	187	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	800		N沟道			1000伏	4.3A（温度）		3.5欧姆@2.5A，10V	4V@250μA		±20V		-	150W（温度）
IRF712R	-	询价	2447	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	350		N沟道			400V	1.7A（温度）	10V	5欧姆@1.1A，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	135pF@25V	-	36W（温度）
HGTD7N60B3S	0.7500	询价	703	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		标准		60W	TO-252AA	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH 不出行	EAR99	0000.00.0000	1			480V，7A，50欧姆，15V													-	600伏	14A	56A	2.1V@15V，7A	72μJ（开），120μJ（关）	37 纳克	26纳秒/130纳秒
IRFP450R	1.8400	询价	5018	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	3		N沟道			500V	14A（温度）	10V	400毫欧@7.9A，10V	4V@250μA	130nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	180W（温度）
IRF540RP2	-	询价	6471	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF540		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义			1													-
HGTD3N60C3	0.4700	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		标准		33W	爱帕克	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			-												10纳秒	-	600伏	6A	24A	2V@15V，3A	-	13.8nC	-
BUW41B	0.8000	询价	7	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				100W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0075	1																	400V	8A						100微安	NPN	2V@4A、8A	10 @ 5A，3V	60兆赫
RF1S45N03L	0.9000	询价	第770章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			30V	45A（温度）	5V	22mOhm@45A，5V	2V@250μA	60nC@10V	±10V	1650pF@25V	-	90W（温度）
RFL1N12	0.8800	询价	第845章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			120V	1A（温度）	10V	1.9欧姆@1A，10V	4V@250μA		±20V	200pF@25V	-	8.33W（温度）
HGTG27N60C3DR	5.9600	询价	68	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		208W	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			-													-	600伏	54A	108一个	2.2V@15V，27A	-	212nC	-
IRF9630	1.4200	询价	28	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道			200V	6.5A（温度）	10V	800毫欧@3.9A，10V	4V@250μA	29nC@10V	±20V	700pF@25V	-	74W（温度）
BUZ41A	1.3600	询价	7	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			500V	4.5A（温度）	10V	1.5欧姆@2.5A，10V	4V@1mA		±20V	2000pF@25V	-	75W（温度）
RFIS30P06	1.5000	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RF信息系统30		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	1													-
D44T1	-	询价	5733	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0075	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²