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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 场效应管类型 | 测试条件 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 反向恢复T (trr) | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF331 | 2.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-204AA、TO-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 350伏 | 5.5A(温度) | 10V | 1欧姆@3A,10V | 4V@250μA | 35nC@10V | ±20V | 700pF@25V | - | 75W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | HFA3128B96 | 2.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | HFA3128 | 下载 | 供应商未定义 | REACH旅行 | 2156-HFA3128B96-600026 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF642R | 0.8100 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 200V | 16A(温度) | 10V | 220毫欧@10A,10V | 4V@250μA | 64nC@10V | ±20V | 1275pF@25V | - | 125W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | HGTD3N60B3S9A | 0.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 标准 | 33.3W | TO-252-3(DPAK) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V,3.5A,82欧姆,15V | 16纳秒 | - | 600伏 | 7A | 20A | 2.1V@15V,3.5A | 66μJ(开),88μJ(关) | 21nC | 18纳秒/105纳秒 | ||||||||||||||||||||
![]() | IRFP152 | - | ![]() | 3101 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 27号 | N沟道 | 100伏 | 34A(温度) | 10V | 80毫欧@22A,10V | 4V@250μA | 110nC@10V | ±20V | 2000pF@25V | - | 180W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRF231 | 0.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-204AA、TO-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 150伏 | 9A(温度) | 10V | 400mOhm@5A,10V | 4V@250μA | 30nC@10V | ±20V | 600pF@25V | - | 75W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | RF1S9540 | 2.1300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | MOSFET(金属O化物) | I2PAK (TO-262) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | P沟道 | 100伏 | 19A(TC) | 10V | 200毫欧@10A、10V | 4V@250μA | 90nC@10V | ±20V | 1100pF@25V | - | 150W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | D72FY4D1 | - | ![]() | 6762 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | 1W | I-PAK | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 300 | 80V | 4A | 20μA(ICBO) | NPN-达林顿 | 1.5V@6mA,3A | 2000 @ 1A,2V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF822 | 0.4600 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 500V | 2.2A(温度) | 10V | 4欧姆@1.4A,10V | 4V@250μA | 19nC@10V | ±20V | 360pF@25V | - | 50W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | RFP3N45 | 1.0000 | ![]() | 5311 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 450伏 | 3A(温度) | 10V | 3欧姆@1.5A,10V | 4V@1mA | ±20V | 750pF@25V | - | 60W(温度) | |||||||||||||||||||||
![]() | RF1S30N06LESM9A | - | ![]() | 2645 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG32N60E2 | 7.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | 标准 | 208W | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 600伏 | 50A | 200A | 2.9V@15V,32A | - | 第265章 | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6530 | 1.0000 | ![]() | 6711 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 65W | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80V | 8A | 1毫安 | NPN-达林顿 | 3V@80mA,8A | 1000 @ 5A,3V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFBC42R | - | ![]() | 3949 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 600伏 | 5.4A(温度) | 10V | 1.6欧姆@3.4A,10V | 4V@250μA | 60nC@10V | ±20V | 1300pF@25V | - | 125W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | BD899 | 0.5300 | ![]() | 9584 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 通孔 | TO-220-3 | 70W | TO-220C | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 18 | 80V | 8A | - | NPN | - | - | 1兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF614 | 0.4100 | ![]() | 2703 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | IRF614 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 0000.00.0000 | 695 | N沟道 | 250伏 | 2.7A(温度) | 10V | 2欧姆@1.6A,10V | 4V@250μA | 10V时为8.2nC | ±20V | 140pF@25V | - | 36W(温度) | |||||||||||||||||||
![]() | RF1S50N06SM9AS2551 | 1.0300 | ![]() | 第653章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | 射频1S | - | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF122 | 0.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-204AA、TO-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 100伏 | 8A(温度) | 10V | 360毫欧@5.6A,10V | 4V@250μA | 15nC@10V | ±20V | 350pF@25V | - | 60W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | BUZ76 | 0.5600 | ![]() | 700 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 400V | 3A(温度) | 10V | 1.8欧姆@2A,10V | 4V@1mA | ±20V | 650pF@25V | - | 40W(温度) | |||||||||||||||||||||
![]() | RFG45N06 | 1.0800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 60V | 45A(温度) | 10V | 28毫欧@45A,10V | 4V@250μA | 150nC@20V | ±20V | 2050pF@25V | - | 131W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | RFH10N50 | 3.9100 | ![]() | 第302章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-218-3隔离片、TO-218AC | MOSFET(金属O化物) | TO-218隔离 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 500V | 10A(温度) | 10V | 600mOhm@5A,10V | 4V@1mA | ±20V | 3000pF@25V | - | 150W(温度) | |||||||||||||||||||||
![]() | HGTG12N60DID | 3.4100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 88 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S630SM | 0.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263AB | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 200V | 6A(温度) | 10V | 400mOhm@5A,10V | 4V@250μA | 30nC@10V | ±20V | 600pF@25V | - | 75W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | HUF75307D3ST | 0.3700 | ![]() | 1977年 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | 超场效应晶体管™ | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252,(D-Pak) | - | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 55V | 15A(温度) | 90毫欧@13A,10V | 4V@250μA | 20nC@20V | ±20V | 250pF@25V | - | 45W(温度) | |||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG27N60C3R | 2.9000 | ![]() | 第297章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | 标准 | 208W | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 600伏 | 54A | 108一个 | 2.2V@15V,27A | - | 212nC | - | |||||||||||||||||||||
![]() | RF1S45N06LE | 0.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | MOSFET(金属O化物) | I2PAK (TO-262) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N沟道 | 60V | 45A(温度) | 5V | 28毫欧@45A,5V | 2V@250μA | 135nC@10V | ±10V | 2150pF@25V | - | 142W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | RFD20N03 | 0.4100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | MOSFET(金属O化物) | I-PAK | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 30V | 20A(温度) | 10V | 25毫欧@20A,10V | 4V@250μA | 75nC@20V | ±20V | 1150pF@25V | - | 90W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRF9640S2497 | 1.9400 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | IRF9640 | - | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG24N60D1D | 9.6000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | 标准 | 125W | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 60纳秒 | - | 600伏 | 40A | 96A | 2.3V@15V,24A | - | 155 纳克 | - | ||||||||||||||||||||
![]() | D42C4N | 0.3400 | ![]() | 第956章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 第956章 |
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