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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 场效应管类型 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 反向恢复T (trr) IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
IRF331 Harris Corporation IRF331 2.3700
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ECAD 4 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-204AA、TO-3 MOSFET(金属O化物) TO-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 350伏 5.5A(温度) 10V 1欧姆@3A,10V 4V@250μA 35nC@10V ±20V 700pF@25V - 75W(温度)
HFA3128B96 Harris Corporation HFA3128B96 2.4200
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 HFA3128 下载 供应商未定义 REACH旅行 2156-HFA3128B96-600026 EAR99 8541.21.0095 1
IRF642R Harris Corporation IRF642R 0.8100
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ECAD 500 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 200V 16A(温度) 10V 220毫欧@10A,10V 4V@250μA 64nC@10V ±20V 1275pF@25V - 125W(温度)
HGTD3N60B3S9A Harris Corporation HGTD3N60B3S9A 0.5200
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 标准 33.3W TO-252-3(DPAK) 下载 不符合RoHS标准 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 1 480V,3.5A,82欧姆,15V 16纳秒 - 600伏 7A 20A 2.1V@15V,3.5A 66μJ(开),88μJ(关) 21nC 18纳秒/105纳秒
IRFP152 Harris Corporation IRFP152 -
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ECAD 3101 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 27号 N沟道 100伏 34A(温度) 10V 80毫欧@22A,10V 4V@250μA 110nC@10V ±20V 2000pF@25V - 180W(温度)
IRF231 Harris Corporation IRF231 0.8700
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-204AA、TO-3 MOSFET(金属O化物) TO-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 150伏 9A(温度) 10V 400mOhm@5A,10V 4V@250μA 30nC@10V ±20V 600pF@25V - 75W(温度)
RF1S9540 Harris Corporation RF1S9540 2.1300
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ECAD 7 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) I2PAK (TO-262) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 1 P沟道 100伏 19A(TC) 10V 200毫欧@10A、10V 4V@250μA 90nC@10V ±20V 1100pF@25V - 150W(温度)
D72FY4D1 Harris Corporation D72FY4D1 -
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ECAD 6762 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA 1W I-PAK 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 300 80V 4A 20μA(ICBO) NPN-达林顿 1.5V@6mA,3A 2000 @ 1A,2V -
IRF822 Harris Corporation IRF822 0.4600
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ECAD 20 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 500V 2.2A(温度) 10V 4欧姆@1.4A,10V 4V@250μA 19nC@10V ±20V 360pF@25V - 50W(温度)
RFP3N45 Harris Corporation RFP3N45 1.0000
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ECAD 5311 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 450伏 3A(温度) 10V 3欧姆@1.5A,10V 4V@1mA ±20V 750pF@25V - 60W(温度)
RF1S30N06LESM9A Harris Corporation RF1S30N06LESM9A -
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ECAD 2645 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 800
HGTG32N60E2 Harris Corporation HGTG32N60E2 7.9500
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 标准 208W TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 600伏 50A 200A 2.9V@15V,32A - 第265章 -
2N6530 Harris Corporation 2N6530 1.0000
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ECAD 6711 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 65W TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0095 1 80V 8A 1毫安 NPN-达林顿 3V@80mA,8A 1000 @ 5A,3V -
IRFBC42R Harris Corporation IRFBC42R -
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ECAD 3949 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 600伏 5.4A(温度) 10V 1.6欧姆@3.4A,10V 4V@250μA 60nC@10V ±20V 1300pF@25V - 125W(温度)
BD899 Harris Corporation BD899 0.5300
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ECAD 9584 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 - 通孔 TO-220-3 70W TO-220C 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 18 80V 8A - NPN - - 1兆赫兹
IRF614 Harris Corporation IRF614 0.4100
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ECAD 2703 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 IRF614 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 695 N沟道 250伏 2.7A(温度) 10V 2欧姆@1.6A,10V 4V@250μA 10V时为8.2nC ±20V 140pF@25V - 36W(温度)
RF1S50N06SM9AS2551 Harris Corporation RF1S50N06SM9AS2551 1.0300
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ECAD 第653章 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 射频1S - - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 1 -
IRF122 Harris Corporation IRF122 0.8800
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-204AA、TO-3 MOSFET(金属O化物) TO-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 100伏 8A(温度) 10V 360毫欧@5.6A,10V 4V@250μA 15nC@10V ±20V 350pF@25V - 60W(温度)
BUZ76 Harris Corporation BUZ76 0.5600
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ECAD 700 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 400V 3A(温度) 10V 1.8欧姆@2A,10V 4V@1mA ±20V 650pF@25V - 40W(温度)
RFG45N06 Harris Corporation RFG45N06 1.0800
询价
ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 60V 45A(温度) 10V 28毫欧@45A,10V 4V@250μA 150nC@20V ±20V 2050pF@25V - 131W(温度)
RFH10N50 Harris Corporation RFH10N50 3.9100
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ECAD 第302章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-218-3隔离片、TO-218AC MOSFET(金属O化物) TO-218隔离 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 500V 10A(温度) 10V 600mOhm@5A,10V 4V@1mA ±20V 3000pF@25V - 150W(温度)
HGTG12N60DID Harris Corporation HGTG12N60DID 3.4100
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ECAD 15 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 88
RF1S630SM Harris Corporation RF1S630SM 0.9600
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263AB 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 200V 6A(温度) 10V 400mOhm@5A,10V 4V@250μA 30nC@10V ±20V 600pF@25V - 75W(温度)
HUF75307D3ST Harris Corporation HUF75307D3ST 0.3700
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ECAD 1977年 0.00000000 哈里斯公司 超场效应晶体管™ 大部分 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252,(D-Pak) - 符合ROHS3标准 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 55V 15A(温度) 90毫欧@13A,10V 4V@250μA 20nC@20V ±20V 250pF@25V - 45W(温度)
HGTG27N60C3R Harris Corporation HGTG27N60C3R 2.9000
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ECAD 第297章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-247-3 标准 208W TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 600伏 54A 108一个 2.2V@15V,27A - 212nC -
RF1S45N06LE Harris Corporation RF1S45N06LE 0.8900
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) I2PAK (TO-262) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 60V 45A(温度) 5V 28毫欧@45A,5V 2V@250μA 135nC@10V ±10V 2150pF@25V - 142W(温度)
RFD20N03 Harris Corporation RFD20N03 0.4100
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ECAD 10 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA MOSFET(金属O化物) I-PAK 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 30V 20A(温度) 10V 25毫欧@20A,10V 4V@250μA 75nC@20V ±20V 1150pF@25V - 90W(温度)
IRF9640S2497 Harris Corporation IRF9640S2497 1.9400
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ECAD 250 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 IRF9640 - - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 1 -
HGTG24N60D1D Harris Corporation HGTG24N60D1D 9.6000
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ECAD 9 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 标准 125W TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - 60纳秒 - 600伏 40A 96A 2.3V@15V,24A - 155 纳克 -
D42C4N Harris Corporation D42C4N 0.3400
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ECAD 第956章 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 第956章
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库