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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
RFP15N05L119	-	RFQ	4124	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-					0000.00.0000	1
RF1S30P06SM9A	-	RFQ	9945	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	800		P通道			60 V	30A（TC）	10V	65mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	135W（TC）
RJH6688	-	RFQ	6555	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC				200 w	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1																200 v	20 a						50µA	NPN	1.5V @ 2a，20a	25 @ 1A，2V
RFH75N05E	-	RFQ	5774	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			MOSFET （金属 o化物）		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	20		n通道			50 V	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	400 NC @ 20 V	±20V		-	240W（TC）
D40E5	-	RFQ	4125	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-202长标签				1.33 w	TO-202AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0075	337																60 V	2 a						-	NPN	-	-
HGTH20N40C1	-	RFQ	6547	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准		100 W	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	53			-												-	400 v	20 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
RFD8P05SM9A	0.9200	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	325
HGT4E30N60B3S	4.8000	RFQ	450	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
IRF532	1.2100	RFQ	4371	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	195		n通道			100 v	12A（TC）	10V	230mohm @ 8.3a，10v	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IRF231	0.8700	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			150 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRF710R	-	RFQ	5558	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			400 v	2A（TC）	10V	3.6ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	36W（TC）
RF1K49223	0.7300	RFQ	37	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RF1K4		MOSFET （金属 o化物）	-	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	2（p 通道（双）				30V	2.5a		-	-	-		-	-
HFA3127B96-HC	2.9600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）				150MW	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	2,500				-												12V	65mA							5 NPN		40 @ 10mA，2V	8GHz	3.5db @ 1GHz
HFA3127MJ/883	26.7200	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	16-CDIP （0.300英寸，7.62mm）				150MW	16-Cerdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1				-												12V	65mA							5 NPN		40 @ 10mA，2V	8GHz	3.5db @ 1GHz
RCA1A05	1.0000	RFQ	2996	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-					0000.00.0000	1
RFP15P05	1.3600	RFQ	90	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	50		P通道			50 V	15A（TC）	10V	150mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	80W（TC）
IRF640R	-	RFQ	3065	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	299		n通道			200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IRF523	0.3300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			80 V	8A（TC）	10V	360MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	60W（TC）
HUF75307D3ST	0.3700	RFQ	1977年	哈里斯公司	Ultrafet™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			55 v	15A（TC）		90MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 20 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	45W（TC）
RF1S15N06SM	0.5100	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			60 V	15a	-	-	-		-		-	-
RF1S45N06LESM9A	0.9500	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	317
RFL1N12	0.8800	RFQ	845	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			120 v	1A（TC）	10V	1.9OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA		±20V	200 pf @ 25 V	-	8.33W（TC）
RF1S30P05	0.8100	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RF1		-			-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1													-
Igth20n50	2.7500	RFQ	269	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1			-												-	500 v	20 a		-	-		-
IGT7E20CS	4.3200	RFQ	334	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-5		标准			TO-218-5	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1			-												-	500 v	25 a		-	-		-
HGT1S12N60C3	1.4200	RFQ	899	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		104 w	i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			-												-	600 v	24 a	96 a	2V @ 15V，12A	-	62 NC	-
BD277	-	RFQ	6598	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				70 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	903																45 v	7 a						1ma	PNP	500mv @ 100mA，1.75a	30 @ 1.75a，2V	10MHz
RFP12N06RLE	0.6000	RFQ	13	哈里斯公司	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			60 V	18A（TC）	4.5V，10V	63mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±16V	485 pf @ 25 V	-	49W（TC）
2N6134	1.1200	RFQ	374	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
2N5671	55.9700	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5671			6 W	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	6																90 v	30 a						10mA	NPN	5V @ 6a，30a	20 @ 20a，5v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²