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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
RFP2N20	0.6000	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		200 v	2A（TC）	10V	3.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA		±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
RFP6P08	0.8100	RFQ	8149	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	2156-RFP6P08	Ear99	8541.29.0095	1
RFM12P08	1.5000	RFQ	358	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	P通道		80 V	12A（TC）	10V	300mohm @ 6a，10v	4V @ 1mA		±20V	1500 pf @ 25 V	-	100W（TC）
RFP17N06L	1.1300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	17a（TC）	4V，5V	130mohm @ 17a，5v	2V @ 1mA	45 NC @ 30 V	±10V		-	60W（TC）
RFM25N06	-	RFQ	4352	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	148	n通道		60 V	25A（TC）	10V	70MOHM @ 12.5a，10V	4V @ 1mA		±20V	1700 PF @ 25 V	-	100W（TC）
IRFF9122	1.2300	RFQ	422	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		100 v	3.5A（TC）	-	-	-		-		-	20W
IRFF221	1.0700	RFQ	650	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	3.5A（TC）	10V	800MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	20W（TC）
Buz76	0.5600	RFQ	700	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		400 v	3A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 1mA		±20V	650 pf @ 25 V	-	40W（TC）
HGTG34N100E2	7.5400	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		208 w	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		-												-	1000 v	55 a	200 a	3.3V @ 15V，34a	-	240 NC	-
IRFP142R	-	RFQ	7056	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	6	n通道		100 v	27a（TC）	10V	99mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IRFD1Z3	0.5200	RFQ	12	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）			MOSFET （金属 o化物）		4浸，六角	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	400mA（TC）	10V	3.2OHM @ 250mA，10V	4V @ 250µA	3 NC @ 10 V	±20V	50 pf @ 25 V	-	1W（TC）
RFP10P15	2.1400	RFQ	75	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	10A（TC）	10V	500mohm @ 5A，10V	4V @ 1mA		±20V	1700 PF @ 25 V	-	75W（TC）
RFM6P10	1.7000	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	P通道		100 v	6A（TC）	10V	600mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA		±20V	800 pf @ 25 V	-	60W（TC）
RF1S45N03L	0.9000	RFQ	770	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		30 V	45A（TC）	5V	22mohm @ 45a，5v	2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±10V	1650 pf @ 25 V	-	90W（TC）
2N7224JANTXV	1.0000	RFQ	4610	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-254AA	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		100 v	34A（TC）	10V	81MOHM @ 34A，10V	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
IRFD121	0.4500	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）			MOSFET （金属 o化物）		4浸，六角	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		80 V	1.3A（TC）	10V	300mohm @ 600mA，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	1W（TC）
HGTH12N50CID	2.4900	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
RF1S530SM9AS2457	0.8800	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RF1		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	800											-
RFP42N03L	1.1400	RFQ	63	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	42A（TC）		25mohm @ 42a，5v	2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±10V	1650 pf @ 25 V	-	90W（TC）
IRF442119U	1.4600	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF442119		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
RFP70N06S5001	0.3600	RFQ	2513	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFP70		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				800											-
IRF614	0.4100	RFQ	2703	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF614		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	695	n通道		250 v	2.7A（TC）	10V	2ohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	36W（TC）
HGTIS20N60C3RS	-	RFQ	2343	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
HGT1S3N60B3S	0.5600	RFQ	800	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		33.3 w	TO-263AB	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，3.5a，82ohm，15V											16 ns	-	600 v	7 a	20 a	2.1V @ 15V，3.5a	66µJ（在）上，88µJ（88µJ）	21 NC	18NS/105NS
HGTP7N60B3D	1.0800	RFQ	16	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		480V，7A，50OHM，15V											37 ns	-	600 v	14 a	56 a	2.1V @ 15V，7a	160µJ（在）上，120µJ（120µJ）	37 NC	26NS/130NS
RF1S640	1.3800	RFQ	4950	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	125W（TC）
RF1S70N03	1.6000	RFQ	789	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	70A（TC）		10mohm @ 70a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 20 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRF712S2497	0.4600	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF712		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
HUF75333S3	0.6200	RFQ	1	哈里斯公司	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	66A（TC）		16mohm @ 66a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
RF1S50N06SM9AS2551	1.0300	RFQ	653	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RF1		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1											-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²