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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 测试条件 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 电压 - 暂时(VGS 关闭)@ Id 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 噪声系数(dB Typ @ f)
IRF621 Harris Corporation IRF621 0.4300
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ECAD 14 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 150伏 5A(温度) 10V 800毫欧@2.5A,10V 4V@250μA 15nC@10V ±20V 450pF@25V - 40W(温度)
2N6387 Harris Corporation 2N6387 1.2200
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 2N6387 2W TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 第247章 60V 10A 1毫安 NPN-达林顿 3V@100mA,10A 1000 @ 5A,3V -
2N6043 Harris Corporation 2N6043 2.2500
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ECAD 7887 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 2N6043 75W TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0095 96 60V 8A 20微安 NPN-达林顿 2V@16mA,4A 1000 @ 4A、4V -
D40E5 Harris Corporation D40E5 -
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ECAD 4125 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-202 长翼片 1.33W TO-202AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0075 第337章 60V 2A - NPN - -
HFA3127B96-HC Harris Corporation HFA3127B96-HC 2.9600
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 150毫W 16-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 2,500人 - 12V 65毫安 5 NPN 40@10mA,2V 8GHz 3.5dB@1GHz
RFL4N15 Harris Corporation RFL4N15 1.1000
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-205AF 金属罐 MOSFET(金属O化物) TO-205AF (TO-39) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 150伏 4A(温度) 10V 400mOhm@2A,10V 4V@1mA ±20V 850pF@25V - 8.33W(温度)
BD241A Harris Corporation BD241A -
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ECAD 5973 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 40W TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 177 60V 3A 300微安 NPN 1.2V@600mA,3A 25@1A,4V -
2N4990 Harris Corporation 2N4990 1.0000
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ECAD 7100 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 - 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.30.0080 1
HUF75309P3 Harris Corporation HUF75309P3 -
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ECAD 5371 0.00000000 哈里斯公司 超场效应晶体管™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 400 N沟道 55V 19A(TC) 70毫欧@19A,10V 4V@250μA 24nC@20V ±20V 350pF@25V - 55W(温度)
BUZ32 Harris Corporation BUZ32 0.5600
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ECAD 1690 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 第480章 N沟道 200V 9.5A(温度) 400mOhm@4.5A,10V 4V@1mA ±20V 2000pF@25V - 75W(温度)
CA3096CM Harris Corporation CA3096CM 0.8100
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) CA3096 200毫W 16-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 1 24V 50毫安、10毫安 1微安 NPN、PNP 700mV@1mA、10mA/400mV、100μA、1mA 100 @ 1mA,5V / 30 @ 100μA,5V 335兆赫、6.8兆赫
RFD8P06E Harris Corporation RFD8P06E 0.2900
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1
2N5490 Harris Corporation 2N5490 1.0200
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ECAD 第565章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 50W TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1 40V 7A 2毫安 NPN 1V@200mA,2A 20@2A,4V 800kHz
RF1S22N10SM Harris Corporation RF1S22N10SM 0.7900
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ECAD 3 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 - 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 100伏 22A - - - - - -
RCA9116E Harris Corporation RCA9116E 1.4600
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ECAD 第581章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 200°C(太焦) 通孔 TO-204AA、TO-3 200W TO-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 100伏 200A 1毫安 国民党 1.5V@500mA、750mA 10 @ 7.5A,2V 2兆赫兹
TIP30B Harris Corporation 尖头30B 0.3200
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ECAD 9 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 2W TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1 80V 1A 300微安 国民党 700mV@125mA,1A 40@200mA,4V 3兆赫兹
RFP10P15 Harris Corporation RFP10P15 2.1400
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ECAD 75 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 150伏 10A(温度) 10V 500mOhm@5A,10V 4V@1mA ±20V 1700pF@25V - 75W(温度)
D72F5T2 Harris Corporation D72F5T2 0.4100
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ECAD 159 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 1W TO-252-3(DPAK) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 50V 5A 1μA(ICBO) NPN 400mV@150mA,3A 70@1A、1V -
IRF730 Harris Corporation IRF730 1.1400
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ECAD 24 0.00000000 哈里斯公司 PowerMESH™ II 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 IRF7 MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 400V 5.5A(温度) 10V 1欧姆@3A,10V 4V@250μA 24nC@10V ±20V 530pF@25V - 100W(温度)
2N5362 Harris Corporation 2N5362 1.1200
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ECAD 1346 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 - 通孔 TO-206AF、TO-72-4金属罐 300毫W TO-72-4 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2 N沟道 40V 6pF@15V 40V 4毫安@15伏 2V@100nA
IRF710R Harris Corporation IRF710R -
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ECAD 5558 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 400V 2A(温度) 10V 3.6欧姆@1.1A,10V 4V@250μA 12nC@10V ±20V 135pF@25V - 36W(温度)
RF1K49223 Harris Corporation RF1K49223 0.7300
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ECAD 37 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 - 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 射频1K4 MOSFET(金属O化物) - 8-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 2 个 P 沟道(双) 30V 2.5A - - - - -
HGTH12N50C1 Harris Corporation HGTH12N50C1 1.9100
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ECAD 8314 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-218-3隔离片、TO-218AC 标准 75W TO-218隔离 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 500V 12A 17.5安 3.2V@20V,17.5A - 19nC -
RF1S50N06LESM Harris Corporation RF1S50N06LESM 0.9000
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 60V 50A(温度) 5V 22mOhm@50A,5V 2V@250μA 120nC@10V ±10V 2100pF@25V - 142W(温度)
HFA3102B Harris Corporation HFA3102B -
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ECAD 5357 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 250毫W 14-SOIC - 不符合RoHS标准 供应商未定义 2156-HFA3102B-600026 1 17.5分贝 8V 30毫安 6 NPN 40@10mA,3V 10GHz 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
BUZ76A Harris Corporation BUZ76A 0.6100
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ECAD 10 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 400V 2.6A(温度) 10V 2.5欧姆@1.5A,10V 4V@1mA ±20V 500pF@25V - 40W(温度)
RF1S42N03L Harris Corporation RF1S42N03L 0.8700
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ECAD 400 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) I2PAK (TO-262) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 400 N沟道 30V 42A(温度) 5V 25毫欧@42A,5V 2V@250μA 60nC@10V ±10V 1650pF@25V - 90W(温度)
BD750C Harris Corporation BD750C 2.2700
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ECAD 第689章 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1
RF1K49211 Harris Corporation RF1K49211 0.3900
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 - 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 第761章 N沟道 12V 7A - - - - - -
2N5671 Harris Corporation 2N5671 55.9700
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 200°C(太焦) 通孔 TO-204AA、TO-3 2N5671 6W TO-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 6 90V 30A 10毫安 NPN 5V@6A、30A 20@20A,5V -
  • Daily average RFQ Volume

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    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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    智能仓库