晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
RF1S15N06SM	0.5100	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		60V	15A	-	-	-		-		-	-
IRF630	0.8500	询价	22	哈里斯公司	-	管子	过时的		通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	第382章	N沟道		200V	9A（温度）		400毫欧@5.4A，10V	4V@250μA	43nC@10V		800pF@25V	-
2N6478	1.1000	询价	400	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				50W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1															150伏	2.5安						2毫安	NPN	2V@500mA，2.5A	25@1A，4V
IRF523	0.3300	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		80V	8A（温度）	10V	360毫欧@5.6A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	350pF@25V	-	60W（温度）
RFM25N06	-	询价	4352	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	148	N沟道		60V	25A（温度）	10V	70毫欧@12.5A，10V	4V@1mA		±20V	1700pF@25V	-	100W（温度）
HGTG34N100E2	7.5400	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		208W	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		-												-	1000伏	55A	200A	3.3V@15V，34A	-	240℃	-
RCA1A09	0.5600	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	1
HGT1S7N60C3DS	1.2400	询价	8	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	HGT1S7N60	标准		60W	TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	0000.00.0000	1		480V，7A，50欧姆，15V											37纳秒	-	600伏	14A	56A	2V@15V，7A	165μJ（开），600μJ（关）	23nC	-
RF1S640	1.3800	询价	4950	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		200V	18A（温度）	10V	180mOhm@10A，10V	4V@250μA	64nC@10V	±20V	1275pF@25V	-	125W（温度）
CA3045X	-	询价	9970	哈里斯公司	*	大部分	的积极				CA3045					-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.21.0075	29
HGTD8P50G1S	0.7900	询价	6	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		标准		66W	TO-252AA	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1		-												-	500V	12A	18A	2.9V@15V，3A	-	30纳克	-
IGT6E20	3.4800	询价	7218	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-247-3		标准			TO-247	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	78		-												-	500V	32A		-	-		-
RFM12P08	1.5000	询价	第358章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	P沟道		80V	12A（温度）	10V	300mOhm@6A，10V	4V@1mA		±20V	1500pF@25V	-	100W（温度）
HGT1S3N60B3DS	0.7300	询价	8972	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准		33.3W	TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	50		480V，3.5A，82欧姆，15V											28纳秒	-	600伏	7A	20A	2.1V@15V，3.5A	66μJ（开），88μJ（关）	18nC	18纳秒/105纳秒
HGTP10N40EID	1.5800	询价	225	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义			225
IRF1S30P05SM	1.0000	询价	1883年	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义			1
BD277	-	询价	6598	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				70W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	903															45V	7A						1毫安	国民党	500mV@100mA，1.75A	30@1.75A，2V	10兆赫兹
IGT6D11	2.0700	询价	8751	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	13		-												-	400V			-	-		-
IRFP150R119	1.0000	询价	5147	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-					0000.00.0000	1
IGT7E20CS	4.3200	询价	第334章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-218-5		标准			TO-218-5	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	1		-												-	500V	25A		-	-		-
HGT4E30N60B3S	4.8000	询价	450	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	1
RFP70N03	1.4800	询价	5	哈里斯公司	-	管子	过时的		通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		30V	70A（温度）		10毫欧@70A，10V	4V@250μA	260nC@20V		3300pF@25V	-
HUF76137S3S	1.9300	询价	197	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		30V	75A（温度）	4.5V、10V	9毫欧@75A，10V	3V@250μA	72nC@10V	±16V	2100pF@25V	-	145W（温度）
IRFF9122	1.2300	询价	第422章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		100伏	3.5A（温度）	-	-	-		-		-	20W
IRFF221	1.0700	询价	650	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		150伏	3.5A（温度）	10V	800毫欧@2A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	450pF@25V	-	20W（温度）
IRFP142R	-	询价	7056	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	6	N沟道		100伏	27A（温度）	10V	99毫欧@19A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1275pF@25V	-	180W（温度）
IRFD1Z3	0.5200	询价	12	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		60V	400mA（温度）	10V	3.2欧姆@250mA，10V	4V@250μA	3nC@10V	±20V	50pF@25V	-	1W（温度）
RFM6P10	1.7000	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	P沟道		100伏	6A（温度）	10V	600mOhm@6A，10V	4V@250μA		±20V	800pF@25V	-	60W（温度）
HGTH12N50CID	2.4900	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	1
RFP42N03L	1.1400	询价	63	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	0000.00.0000	1	N沟道		30V	42A（温度）		25毫欧@42A，5V	2V@250μA	60nC@10V	±10V	1650pF@25V	-	90W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²