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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RF1S17N06LSM	0.6500	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道		60 V	17a	-	-	-		-		-	-
HGT1S12N60C3R	1.3100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		104 w	i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			480V，12a，25ohm，15V											37 ns	-	600 v	24 a	48 a	2.2V @ 15V，12a	（400µJ）（在340µJ上）	71 NC	37NS/120NS
HGTG27N60C3DR	5.9600	RFQ	68	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		208 w	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			-												-	600 v	54 a	108 a	2.2V @ 15V，27a	-	212 NC	-
IGT6D11	2.0700	RFQ	8751	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	13			-												-	400 v			-	-		-
IRF133	-	RFQ	4608	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		80 V	12A（TC）	10V	230mohm @ 8.3a，10v	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IRF120	1.8400	RFQ	357	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-204aa			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	8A（TC）	10V	300MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	40W（TC）
HP4936DYT	0.2700	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HP4936		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			30V	5.8A（ta）		37MOHM @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		625pf @ 25V	逻辑级别门
2N6043	2.2500	RFQ	7887	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6043			75 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	96																60 V	8 a						20µA	npn-达灵顿	2V @ 16mA，4a	1000 @ 4A，4V	-
2N6760	-	RFQ	6901	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		to-204aa	-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	5.5A（TC）	10V	1.22OHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
HGTD7N60B3	0.6800	RFQ	900	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		标准		60 W	我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			480V，7A，50OHM，15V												-	600 v	14 a	56 a	2.1V @ 15V，7a	160µJ（在）上，120µJ（120µJ）	30 NC	26NS/130NS
2N6761	-	RFQ	9759	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		450 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 2.5a，10v	4V @ 1mA		±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRF122	0.8800	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	8A（TC）	10V	360MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	60W（TC）
2N6756	-	RFQ	2844	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		to-204aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	14A（TC）	10V	210mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
HGTD3N60C3	0.4700	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		标准		33 W	我帕克	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			-											10 ns	-	600 v	6 a	24 a	2V @ 15V，3A	-	13.8 NC	-
HGTG32N60E2	7.9500	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		208 w	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			-												-	600 v	50 a	200 a	2.9V @ 15V，32a	-	265 NC	-
D43C2	-	RFQ	4650	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-202长标签				2.1 w	TO-202AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1																30 V	3 a						10µA	PNP	500mv @ 50mA，1a	40 @ 200ma，1V	40MHz
D44C6	-	RFQ	6095	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				30 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	362																45 v	4 a						10µA	NPN	500mv @ 50mA，1a	40 @ 200ma，1V	50MHz
HUF76137S3S	1.9300	RFQ	197	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±16V	2100 PF @ 25 V	-	145W（TC）
D72FY4D1	-	RFQ	6762	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				1 w	我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	300																80 V	4 a						20µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 6mA，3a	2000 @ 1A，2V	-
RFG45N06	1.0800	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	45A（TC）	10V	28mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	2050 pf @ 25 V	-	131W（TC）
RF1S630SM	0.9600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	6A（TC）	10V	400MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RFP2N20	0.6000	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	2A（TC）	10V	3.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA		±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
MJE16002	1.0400	RFQ	9	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				80 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																6 V	5 a						250µA	NPN	1V @ 200mA，1.5a	5 @ 5A，5V	-
RFP6P08	0.8100	RFQ	8149	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	2156-RFP6P08	Ear99	8541.29.0095	1
RFM12P08	1.5000	RFQ	358	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		P通道		80 V	12A（TC）	10V	300mohm @ 6a，10v	4V @ 1mA		±20V	1500 pf @ 25 V	-	100W（TC）
RFP17N06L	1.1300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	17a（TC）	4V，5V	130mohm @ 17a，5v	2V @ 1mA	45 NC @ 30 V	±10V		-	60W（TC）
RFM25N06	-	RFQ	4352	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	148		n通道		60 V	25A（TC）	10V	70MOHM @ 12.5a，10V	4V @ 1mA		±20V	1700 PF @ 25 V	-	100W（TC）
IRFR321	0.3600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		350 v	3.1a（ta）	10V	1.8OHM @ 1.7A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFF9122	1.2300	RFQ	422	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	3.5A（TC）	-	-	-		-		-	20W
IRFF221	1.0700	RFQ	650	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	3.5A（TC）	10V	800MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	20W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²