晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
RF1S25N06SMR4643	0.6500	询价	3	哈里斯公司	*	大部分	的积极						射频1S		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	800													-
RFH75N05E	-	询价	5774	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC			MOSFET（金属O化物）		TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	20	N沟道				50V	75A（温度）	10V	8毫欧@75A，10V	4V@250μA	400nC@20V	±20V		-	240W（温度）
HGTP15N40E1	1.5400	询价	第488章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-220-3		标准		75W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-												-	400V	15A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
IRF610S2497	0.1800	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极						IRF610		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1													-
IGTH20N50	2.7500	询价	269	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-		通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1			-												-	500V	20A		-	-		-
RFD16N03LSM	1.1300	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道				30V	16A	-	-	-		-		-	-
2N6752	-	询价	6629	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-65°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-204AA				150W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	26																450伏	10A							100微安	NPN	3V@3A、10A	8 @ 5A，3V	60兆赫
CA3097E	0.5700	询价	2993	哈里斯公司	-	大部分	的积极	50V		-	通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	CA3097				16-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.59.0080	96		100毫安、10毫安																							NPN、PNP（发射极连接）
2N6134	1.1200	询价	第374章	哈里斯公司	*	大部分	的积极											下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
IRF712S2497	0.4600	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极						IRF712		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1													-
2N6648	98.5800	询价	82	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-65°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-204AA、TO-3				70W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	4																40V	10A							1毫安	PNP-达林顿	3V@100mA，10A	1000 @ 5A，3V	-
HC55182BIM	3.3800	询价	第451章	哈里斯公司	*	大部分	的积极											下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HC55182BIM-600026			1
HUF75337P3	0.2500	询价	2	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	400	N沟道				55V	75A（温度）		14毫欧@75A，10V	4V@250μA	109nC@20V	±20V	1775pF@25V	-	175W（温度）
HUF75333S3	0.6200	询价	1	哈里斯公司	超场效应晶体管™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1	N沟道				55V	66A（温度）		16毫欧@66A，10V	4V@250μA	85nC@20V	±20V	1300pF@25V	-	150W（温度）
IGT6E21	3.4800	询价	第289章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-		通孔	TO-247-3		标准			TO-247	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-												-	500V	32A		-	-		-
2N6760	-	询价	6901	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-204AA	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道				400V	5.5A（温度）	10V	1.22欧姆@5.5A，10V	4V@250μA	39nC@10V	±20V		-	4W（Ta）、75W（Tc）
HFA3127MJ/883	26.7200	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 125°C（太焦）		通孔	16-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）				150毫W	16-CERDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1				-												12V	65毫安								5 NPN		40@10mA，2V	8GHz	3.5dB@1GHz
RFM10N15L	2.1800	询价	第1363章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	109	N沟道				150伏	10A（温度）	5V	300mOhm@5A、5V			±10V	1200pF@25V	-	75W（温度）
RFM3N45	0.9700	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道				450伏	3A（温度）	10V	3欧姆@1.5A，10V	4V@1mA		±20V	750pF@25V	-	75W（温度）
D40V1	0.4300	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-202 长翼片				1.7W	TO-202AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1																250伏	100毫安							10微安	NPN	1V@2mA、20mA	60@20mA，10V
D43C2	-	询价	4650	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-202 长翼片				2.1W	TO-202AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0075	1																30V	3A							10微安	国民党	500mV@50mA，1A	40@200mA，1V	40兆赫
BD240C	0.4900	询价	4332	哈里斯公司	*	大部分	的积极											下载					EAR99	8541.29.0095	166
TIP102-HC	-	询价	2564	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-65°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1																100伏	8A							50微安	NPN-达林顿	2.5V@80mA，8A	1000 @ 3A、4V	-
RFP15N05L119	-	询价	4124	哈里斯公司	*	大部分	的积极											-						0000.00.0000	1
尖头29B	0.1700	询价	7240	哈里斯公司	-	管子	过时的		-65°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	1,000																80V	1A							300微安	NPN	700mV@125mA，1A	15@1A，4V	3兆赫兹
2N3955A	6.5900	询价	162	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-		通孔	TO-71-6 金属罐					TO-71	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）											-											50V
HUF76629D3S	0.7000	询价	第458章	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	1,800	N沟道				100伏	20A（温度）	4.5V、10V	52毫欧@20A，10V	3V@250μA	46nC@10V	±16V	1285pF@25V	-	110W（温度）
RFP12N10L	1.0000	询价	9637	哈里斯公司	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	800	N沟道				100伏	12A（温度）	5V	200mOhm@12A，5V	2V@250μA		±10V	900pF@25V	-	60W（温度）
D44TD5	0.7700	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-220-3				50W	TO-220	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1																400V	2A							100微安	NPN	1V@400mA，2A	8 @ 1A，2V	50兆赫
RF1S15N06SM	0.5100	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道				60V	15A	-	-	-		-		-	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²