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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	电压 -输出	fet	测试条件	电压	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N6648	98.5800	RFQ	82	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				70 W	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	4																40 V	10 a							1ma	pnp-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 5A，3V	-
CA3183EX	1.0000	RFQ	7671	哈里斯公司	*	大部分	积极的				CA3183					-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	1
MJH13090	-	RFQ	2647	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC				125 w	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	46																400 v	15 a							3MA	NPN	3V @ 3a，15a	8 @ 10a，3v	-
IRFU422	-	RFQ	5221	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	740		n通道			500 v	2.2A（TC）	10V	4ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
HUF753373	0.2500	RFQ	2	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	400		n通道			55 v	75A（TC）		14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	109 NC @ 20 V	±20V	1775 PF @ 25 V	-	175W（TC）
D44H11	-	RFQ	5651	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0075	50																80 V	10 a							10µA	NPN	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	50MHz
TIP32C	0.2900	RFQ	1	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	1,039																100 v	3 a							300µA	PNP	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
TIP42A	0.3900	RFQ	847	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	847																60 V	6 a							700µA	PNP	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	-
RFP12N10L	1.0000	RFQ	9637	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	800		n通道			100 v	12A（TC）	5V	200mohm @ 12a，5v	2V @ 250µA		±10V	900 pf @ 25 V	-	60W（TC）
RFP70N03	1.4800	RFQ	5	哈里斯公司	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	50		n通道			30 V	70A（TC）		10mohm @ 70a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 20 V		3300 PF @ 25 V	-
TIP29B	0.1700	RFQ	7240	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	1,000																80 V	1 a							300µA	NPN	700mv @ 125mA，1a	15 @ 1A，4V	3MHz
IRF630	0.8500	RFQ	22	哈里斯公司	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	382		n通道			200 v	9A（TC）		400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V		800 pf @ 25 V	-
IRFD123	0.8700	RFQ	40	哈里斯公司	-	管子	过时的		通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）			MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	346		n通道			100 v	1.3a（ta）		270MOHM @ 780mA，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V		360 pf @ 25 V	-
HUF753093	-	RFQ	5371	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	400		n通道			55 v	19a（tc）		70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
2n3955a	6.5900	RFQ	162	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-71-6金属罐					TO-71	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		2 n 通道（双）										-											50 V
2N6108	0.6000	RFQ	9328	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				40 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	38																60 V	7 a							1ma	PNP	3.5V @ 3a，7a	30 @ 2.5A，4V	10MHz
2N4990	1.0000	RFQ	7100	哈里斯公司	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
2N4989	1.4700	RFQ	922	哈里斯公司	-	大部分	积极的			TO-98-3						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1	-			30V										300兆
HGTG27N60C3R	2.9000	RFQ	297	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		208 w	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			-												-	600 v	54 a	108 a	2.2V @ 15V，27a	-	212 NC	-
HGTP15N40E1	1.5400	RFQ	488	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		75 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			-												-	400 v	15 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
IRF822R	-	RFQ	2655	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			500 v	2.2A（TC）	10V	4ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
HGTP15N50C1	3.3300	RFQ	8	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		75 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			-												-	500 v	15 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
IRF621	0.4300	RFQ	14	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			150 v	5A（TC）	10V	800MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRF621R	0.4300	RFQ	6	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			150 v	5A（TC）	10V	800MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	40W（TC）
HGTH20N50E1	3.1400	RFQ	287	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准		100 W	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			-												-	500 v	20 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
RFD3N08LSM9A	0.3300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			80 V	3A（TC）	5V	800MOHM @ 3A，5V	2.5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±10V	125 pf @ 25 V	-	30W（TC）
RFM10N15L	2.1800	RFQ	1363	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	109		n通道			150 v	10A（TC）	5V	300MOHM @ 5A，5V			±10V	1200 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RF1S25N06SM	0.6000	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			60 V	25a	-	-	-		-		-	-
RFL1P08	0.5200	RFQ	2428	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	4		P通道			80 V	1A（TC）	10V	3.65OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA		±20V	150 pf @ 25 V	-	8.33W（TC）
RFH10N50	3.9100	RFQ	302	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			MOSFET （金属 o化物）		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			500 v	10A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA		±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²