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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 场效应管类型 | 测试条件 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 反向恢复T (trr) | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 噪声系数(dB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N6773 | 0.3700 | ![]() | 860 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 40W | TO-220 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 860 | 650伏 | 1A | 100微安 | NPN | 1V@200mA,1A | 20@300mA,3V | 50兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75332S3S | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | 超场效应晶体管™ | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | D2PAK (TO-263) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 55V | 52A(温度) | 10V | 19毫欧@52A,10V | 4V@250μA | 85nC@20V | ±20V | 1300pF@25V | - | 110W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF623 | 0.3300 | ![]() | 第1757章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 第737章 | N沟道 | 150伏 | 4A(温度) | 10V | 1.2欧姆@2.5A,10V | 4V@250μA | 15nC@10V | ±20V | 450pF@25V | - | 40W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HGTH20N40C1D | - | ![]() | 5970 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-218-3隔离片、TO-218AC | 标准 | 100W | TO-218隔离 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 74 | - | - | 400V | 20A | 35A | 3.2V@20V,35A | - | 33nC | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S3N60C3D | 0.9000 | ![]() | 365 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | 标准 | 33W | I2PAK (TO-262) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 600伏 | 6A | 24A | 2V@15V,3A | - | 13.8nC | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG7N60A4D | 1.7700 | ![]() | 269 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | 标准 | 125W | TO-247 | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 390V,7A,25欧姆,15V | 34纳秒 | - | 600伏 | 34A | 56A | 2.7V@15V,7A | 55μJ(开),60μJ(关) | 37 纳克 | 11纳秒/100纳秒 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9542 | 1.7800 | ![]() | 第497章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 169 | P沟道 | 100伏 | 15A(温度) | 10V | 300mOhm@10A,10V | 4V@250μA | 90nC@10V | ±20V | 1100pF@25V | - | 150W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HGTP10N50E1D | 3.1400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 标准 | 75W | TO-220 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | 500V | 17.5安 | 3.2V@20V,17.5A | - | 19nC | - | ||||||||||||||||||||||||
2N6264 | - | ![]() | 3078 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP141 | 1.2500 | ![]() | 288 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 80V | 31A(温度) | 10V | 77毫欧@19A,10V | 4V@250μA | 59nC@10V | ±20V | 1275pF@25V | - | 180W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG201N100E2 | - | ![]() | 6534 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJE13004 | 0.5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 75W | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 第592章 | 300伏 | 4A | 1毫安 | NPN | 1V@1A、4A | 10 @ 1A,5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP9240 | - | ![]() | 5544 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-247AC | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | P沟道 | 200V | 12A(温度) | 10V | 500mOhm@7.2A,10V | 4V@250μA | 44nC@10V | ±20V | 1200pF@25V | - | 150W(温度) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HFA3127B | 5.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 150毫W | 16-SOIC | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.21.0075 | 48 | - | 12V | 65毫安 | 5 NPN | 40@10mA,2V | 8GHz | 3.5dB@1GHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD14N06LSM9A | 0.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9511 | 1.0000 | ![]() | 8141 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P沟道 | 80V | 3A(温度) | 10V | 1.2欧姆@1.5A,10V | 4V@250μA | 11nC@10V | ±20V | 180pF@25V | - | 20W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | D44VM10 | 0.8200 | ![]() | 750 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 50W | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 80V | 8A | 10微安 | NPN | 600mV@300mA,6A | 40@4A,1V | 50兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTH20N50EID | 3.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CA3096CM96 | 0.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | CA3096 | 下载 | 供应商未定义 | REACH旅行 | 2156-CA3096CM96-600026 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6131 | - | ![]() | 7894 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF620R4587 | 0.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | IRF620 | - | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1,200 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP451 | 3.6000 | ![]() | 第538章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 450伏 | 14A(温度) | 10V | 400毫欧@7.9A,10V | 4V@250μA | 130nC@10V | ±20V | 2000pF@25V | - | 180W(温度) | ||||||||||||||||||||||
2N6500 | 29.4000 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 通孔 | TO-213AA、TO-66-2 | 20W | TO-66 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 110V | 4A | - | NPN | - | 15@3A,2V | 60兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S630SM | 0.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263AB | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 200V | 6A(温度) | 10V | 400mOhm@5A,10V | 4V@250μA | 30nC@10V | ±20V | 600pF@25V | - | 75W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG27N60C3R | 2.9000 | ![]() | 第297章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | 标准 | 208W | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 600伏 | 54A | 108一个 | 2.2V@15V,27A | - | 212nC | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S45N06LE | 0.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | MOSFET(金属O化物) | I2PAK (TO-262) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N沟道 | 60V | 45A(温度) | 5V | 28毫欧@45A,5V | 2V@250μA | 135nC@10V | ±10V | 2150pF@25V | - | 142W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S3N60B3S | 0.5600 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 标准 | 33.3W | TO-263AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V,3.5A,82欧姆,15V | 16纳秒 | - | 600伏 | 7A | 20A | 2.1V@15V,3.5A | 66μJ(开),88μJ(关) | 21nC | 18纳秒/105纳秒 | ||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S12N60C3 | 1.4200 | ![]() | 899 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | 标准 | 104W | I2PAK (TO-262) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 600伏 | 24A | 96A | 2V@15V,12A | - | 62纳克 | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRF642 | 0.8800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 200V | 16A(温度) | 10V | 220毫欧@10A,10V | 4V@250μA | 64nC@10V | ±20V | 1275pF@25V | - | 125W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HGTP10N40F1D | 0.9600 | ![]() | 806 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 标准 | 75W | TO-220 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 400V | 12A | 12A | 2.5V@10V,5A | - | 13.4nC | - |
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