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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 场效应管类型 测试条件 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 反向恢复T (trr) IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 噪声系数(dB Typ @ f)
2N6773 Harris Corporation 2N6773 0.3700
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ECAD 860 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 40W TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0075 860 650伏 1A 100微安 NPN 1V@200mA,1A 20@300mA,3V 50兆赫
HUF75332S3S Harris Corporation HUF75332S3S 0.4100
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 超场效应晶体管™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK (TO-263) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 55V 52A(温度) 10V 19毫欧@52A,10V 4V@250μA 85nC@20V ±20V 1300pF@25V - 110W(温度)
IRF623 Harris Corporation IRF623 0.3300
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ECAD 第1757章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 第737章 N沟道 150伏 4A(温度) 10V 1.2欧姆@2.5A,10V 4V@250μA 15nC@10V ±20V 450pF@25V - 40W(温度)
HGTH20N40C1D Harris Corporation HGTH20N40C1D -
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ECAD 5970 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-218-3隔离片、TO-218AC 标准 100W TO-218隔离 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 74 - - 400V 20A 35A 3.2V@20V,35A - 33nC -
HGT1S3N60C3D Harris Corporation HGT1S3N60C3D 0.9000
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ECAD 365 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA 标准 33W I2PAK (TO-262) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 600伏 6A 24A 2V@15V,3A - 13.8nC -
HGTG7N60A4D Harris Corporation HGTG7N60A4D 1.7700
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ECAD 269 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 标准 125W TO-247 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.29.0095 450 390V,7A,25欧姆,15V 34纳秒 - 600伏 34A 56A 2.7V@15V,7A 55μJ(开),60μJ(关) 37 纳克 11纳秒/100纳秒
IRF9542 Harris Corporation IRF9542 1.7800
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ECAD 第497章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 169 P沟道 100伏 15A(温度) 10V 300mOhm@10A,10V 4V@250μA 90nC@10V ±20V 1100pF@25V - 150W(温度)
HGTP10N50E1D Harris Corporation HGTP10N50E1D 3.1400
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ECAD 3 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 标准 75W TO-220 下载 不符合RoHS标准 3(168小时) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 1 - - 500V 17.5安 3.2V@20V,17.5A - 19nC -
2N6264 Harris Corporation 2N6264 -
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ECAD 3078 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1
IRFP141 Harris Corporation IRFP141 1.2500
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ECAD 288 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 80V 31A(温度) 10V 77毫欧@19A,10V 4V@250μA 59nC@10V ±20V 1275pF@25V - 180W(温度)
HGTG201N100E2 Harris Corporation HGTG201N100E2 -
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ECAD 6534 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不适用 3(168小时) 供应商未定义 1
MJE13004 Harris Corporation MJE13004 0.5100
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ECAD 6 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 75W TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 第592章 300伏 4A 1毫安 NPN 1V@1A、4A 10 @ 1A,5V -
IRFP9240 Harris Corporation IRFP9240 -
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ECAD 5544 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 MOSFET(金属O化物) TO-247AC 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 500 P沟道 200V 12A(温度) 10V 500mOhm@7.2A,10V 4V@250μA 44nC@10V ±20V 1200pF@25V - 150W(温度)
HFA3127B Harris Corporation HFA3127B 5.3200
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 150毫W 16-SOIC 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.21.0075 48 - 12V 65毫安 5 NPN 40@10mA,2V 8GHz 3.5dB@1GHz
RFD14N06LSM9A Harris Corporation RFD14N06LSM9A 0.3400
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 2,500人
IRF9511 Harris Corporation IRF9511 1.0000
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ECAD 8141 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 80V 3A(温度) 10V 1.2欧姆@1.5A,10V 4V@250μA 11nC@10V ±20V 180pF@25V - 20W(温度)
D44VM10 Harris Corporation D44VM10 0.8200
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ECAD 750 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 50W TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1 80V 8A 10微安 NPN 600mV@300mA,6A 40@4A,1V 50兆赫
HGTH20N50EID Harris Corporation HGTH20N50EID 3.4000
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1
CA3096CM96 Harris Corporation CA3096CM96 0.9000
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 CA3096 下载 供应商未定义 REACH旅行 2156-CA3096CM96-600026 1
2N6131 Harris Corporation 2N6131 -
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ECAD 7894 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1
IRF620R4587 Harris Corporation IRF620R4587 0.2700
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 IRF620 - - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 1,200 -
IRFP451 Harris Corporation IRFP451 3.6000
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ECAD 第538章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 450伏 14A(温度) 10V 400毫欧@7.9A,10V 4V@250μA 130nC@10V ±20V 2000pF@25V - 180W(温度)
2N6500 Harris Corporation 2N6500 29.4000
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ECAD 60 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 - 通孔 TO-213AA、TO-66-2 20W TO-66 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.30.0080 12 110V 4A - NPN - 15@3A,2V 60兆赫
RF1S630SM Harris Corporation RF1S630SM 0.9600
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263AB 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 200V 6A(温度) 10V 400mOhm@5A,10V 4V@250μA 30nC@10V ±20V 600pF@25V - 75W(温度)
HGTG27N60C3R Harris Corporation HGTG27N60C3R 2.9000
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ECAD 第297章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-247-3 标准 208W TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 600伏 54A 108一个 2.2V@15V,27A - 212nC -
RF1S45N06LE Harris Corporation RF1S45N06LE 0.8900
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) I2PAK (TO-262) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 60V 45A(温度) 5V 28毫欧@45A,5V 2V@250μA 135nC@10V ±10V 2150pF@25V - 142W(温度)
HGT1S3N60B3S Harris Corporation HGT1S3N60B3S 0.5600
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ECAD 800 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 标准 33.3W TO-263AB 下载 不符合RoHS标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 1 480V,3.5A,82欧姆,15V 16纳秒 - 600伏 7A 20A 2.1V@15V,3.5A 66μJ(开),88μJ(关) 21nC 18纳秒/105纳秒
HGT1S12N60C3 Harris Corporation HGT1S12N60C3 1.4200
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ECAD 899 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA 标准 104W I2PAK (TO-262) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 600伏 24A 96A 2V@15V,12A - 62纳克 -
IRF642 Harris Corporation IRF642 0.8800
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ECAD 6 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 200V 16A(温度) 10V 220毫欧@10A,10V 4V@250μA 64nC@10V ±20V 1275pF@25V - 125W(温度)
HGTP10N40F1D Harris Corporation HGTP10N40F1D 0.9600
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ECAD 806 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 标准 75W TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 400V 12A 12A 2.5V@10V,5A - 13.4nC -
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