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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
2N1482	-	RFQ	5206	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1													55 v	1.5 a	5µA（ICBO）	NPN	750mv @ 10mA，200mA	35 @ 200ma，4V
BD244B	0.1900	RFQ	2813	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			65 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	271													80 V	6 a	700µA	PNP	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
2N6487	0.9600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6487		1.8 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	314													60 V	15 a	1ma	NPN	3.5V @ 5a，15a	20 @ 5A，4V	5MHz
RFM10N45	-	RFQ	2712	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		450 v	10A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA		±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFR421	0.4100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		450 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRF632	1.4100	RFQ	21	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		200 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RFP50N06R4034	0.6100	RFQ	3	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFP50	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
RFP23N06LE	0.4100	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定				1
D44E1	1.0100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			1.67 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1													40 V	10 a	10µA	npn-达灵顿	2V @ 20mA，10a	1000 @ 5A，5V	-
D40D3	-	RFQ	8028	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-202长标签			1.67 w	TO-202AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1														1 a	100NA	NPN	-	-
HFA3127B	5.3200	RFQ	1	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）			150MW	16-Soic	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.21.0075	48		-											12V	65mA		5 NPN		40 @ 10mA，2V	8GHz	3.5db @ 1GHz
D44VM10	0.8200	RFQ	750	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			50 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1													80 V	8 a	10µA	NPN	600mv @ 300mA，6a	40 @ 4A，1V	50MHz
BD240A	-	RFQ	3864	哈里斯公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			30 W	TO-220	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	253													60 V	2 a	300µA	PNP	700mv @ 200mA，1a	40 @ 200ma，4V	-
2N3053	45.4500	RFQ	6	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			5 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	8													40 V	700 MA	-	NPN	-	-	-
D44VM4	0.6900	RFQ	600	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			50 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1													45 v	8 a	10µA	NPN	600mv @ 300mA，6a	40 @ 4A，1V	50MHz
IRF341	1.4400	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		350 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	125W（TC）
RFP50N06	1.0000	RFQ	7	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	301	n通道		60 V	50A（TC）	10V	22mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	2020 PF @ 25 V	-	131W（TC）
HRF3205L	0.9600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	314	n通道		55 v	100A（TC）	10V	8mohm @ 59a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	175W（TC）
HUF75307T3ST136	0.2400	RFQ	3	哈里斯公司	*	大部分	积极的				HUF75307				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
TIP127	1.0000	RFQ	6542	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			2 w	TO-220AB	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50													100 v	5 a	500µA	pnp-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
RF1S530SM9A	0.8800	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-RF1S530SM9A-600026			1
2N6500	29.4000	RFQ	60	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			20 w	到66	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.30.0080	12													110 v	4 a	-	NPN	-	15 @ 3a，2v	60MHz
CA3096CM96	0.9000	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的				CA3096				下载		供应商不确定	到达受影响	2156-CA3096CM96-600026			1
RFP4N06	0.3300	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,079	n通道		60 V	4A（TC）	10V	800MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA		±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
HP4936DY	0.4600	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HP4936DY-600026			1
RF1K4909396	0.5700	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-RF1K4909396-600026			1
IRFP142R	-	RFQ	7056	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	6	n通道		100 v	27a（TC）	10V	99mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IRFD1Z3	0.5200	RFQ	12	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）		MOSFET （金属 o化物）		4浸，六角	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	400mA（TC）	10V	3.2OHM @ 250mA，10V	4V @ 250µA	3 NC @ 10 V	±20V	50 pf @ 25 V	-	1W（TC）
IRFF9122	1.2300	RFQ	422	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		100 v	3.5A（TC）	-	-	-		-		-	20W
IRFF221	1.0700	RFQ	650	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	3.5A（TC）	10V	800MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	20W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²