电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | 噪音图 | 电压 -测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRF21125R3 | 122.1100 | ![]() | 809 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.11GHZ〜2.17GHz | MOSFET | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | n通道 | 10µA | 1.6 a | 125W | 13DB | - | 28 V | |||
![]() | MRF6S21190HR3 | 149.4500 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | NI-880 | MRF6 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-880 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 1.6 a | 54W | 16dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRFE6VP6300HSR3 | - | ![]() | 4544 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 130 v | NI-780S-4 | MRFE6 | 230MHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 100 ma | 300W | 26.5db | - | 50 V | |||
![]() | MRF6VP121KHR5178 | - | ![]() | 7058 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 底盘安装 | NI-1230 | 965MHz〜1.215GHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | 双重的 | 100µA | 150 ma | 1000W | 21.4db | - | 50 V | |||||
![]() | MRF8S9220HSR3 | 137.1200 | ![]() | 273 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | NI-780 | MRF8 | 960MHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | - | 1.6 a | 65W | 19.4dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRFG35010NR5 | 37.5500 | ![]() | 688 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 15 v | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 180 MA | 9W | 10dB | - | 12 v | ||||
![]() | MRFG35010R5 | 59.4800 | ![]() | 158 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 15 v | 底盘安装 | NI-360HF | 3.55GHz | Phemt fet | NI-360HF | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 180 MA | 10W | 10dB | - | 12 v | ||||||
MRF8S21100H5 | - | ![]() | 7195 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.17GHz | MOSFET | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 4 | n通道 | - | 700 MA | 24W | 18.3db | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF1511NT1 | 8.2200 | ![]() | 9006 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 40 V | PLD-1.5 | MRF15 | 175MHz | ldmos | PLD-1.5 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 3 | 4a | 150 ma | 8W | 13DB | - | 7.5 v | ||||
![]() | MRF19085LR3 | 163.5600 | ![]() | 220 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF19 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 850 MA | 18W | 13DB | - | 26 V | ||||
![]() | MRF6VP3091NBR1 | 80.3700 | ![]() | 127 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 115 v | TO-272BB | MRF6 | 860MHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 350 MA | 18W | 22DB | - | 50 V | |||
![]() | MRF5P21240HR6 | 162.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-1230 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 150 | 10µA | 2.2 a | 52W | 13DB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF21010LR1 | 39.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-360 | MRF21 | 2.17GHz | ldmos | NI-360 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 100 ma | 10W | 13.5dB | - | 28 V | ||||
![]() | MHT1008NT1 | 18.1000 | ![]() | 483 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2156-MHT1008NT1-600055 | Ear99 | 8541.29.0075 | 17 | ||||||||||||||||
![]() | AFT18HW355SR5 | 275.3000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-1230S | AFT18 | 1.88GHz | ldmos | NI-1230S | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 双重的 | - | 1.1 a | 63W | 15.2db | - | 28 V |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库